西南地區(qū)抗輻射N(xiāo)PN型晶體三極管貼片SOT-23

共射放大電路的失真，有截止失真和飽和失真：截止失真是因靜態(tài)工作點(diǎn)過(guò)低，輸入信號(hào)負(fù)半周使三極管進(jìn)入截止區(qū)，輸出信號(hào)正半周被削波，解決方法是減小 RB（增大 IBQ）或提高 VCC；飽和失真是因靜態(tài)工作點(diǎn)過(guò)高，輸入信號(hào)正半周使三極管進(jìn)入飽和區(qū)，輸出信號(hào)負(fù)半周被削波，解決方法是增大 RB（減小 IBQ）、減小 RC 或降低 VCC。例如當(dāng)輸入正弦信號(hào)時(shí)，若示波器顯示輸出波形頂部被削，為截止失真，可將 RB 從 100kΩ 調(diào)至 80kΩ，增大 IBQ；若底部被削，為飽和失真，可將 RC 從 2kΩ 調(diào)至 3kΩ，降低 ICQ。開(kāi)關(guān)特性實(shí)驗(yàn)用脈沖信號(hào)控通斷，測(cè)量開(kāi)關(guān)時(shí)間。西南地區(qū)抗輻射N(xiāo)PN型晶體三極管貼片SOT-23

NPN 型小功率晶體三極管的輸出特性曲線(xiàn)是以基極電流（IB）為參變量，描述集電極電流（IC）與集電極 - 發(fā)射極電壓（VCE）之間關(guān)系的一族曲線(xiàn)。輸出特性曲線(xiàn)通常分為三個(gè)區(qū)域：截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)。截止區(qū)是指 IB=0 時(shí)的區(qū)域，此時(shí) IC 很小，近似為零，三極管相當(dāng)于開(kāi)路，一般當(dāng) VBE 小于死區(qū)電壓時(shí)，三極管工作在截止區(qū)；放大區(qū)的特點(diǎn)是 IC 基本不隨 VCE 的變化而變化，與 IB 成正比，即 IC=βIB，此時(shí)三極管具有穩(wěn)定的電流放大能力，是放大電路中三極管的主要工作區(qū)域，在該區(qū)域內(nèi)，發(fā)射結(jié)正向偏置、集電結(jié)反向偏置；飽和區(qū)是指當(dāng) VCE 較小時(shí)，IC 不再隨 IB 的增大而線(xiàn)性增大，此時(shí) IC 達(dá)到飽和值（ICS），三極管相當(dāng)于短路，飽和時(shí)的 VCE 稱(chēng)為飽和壓降（VCE (sat)），小功率 NPN 型三極管的 VCE (sat) 通常在 0.1-0.3V 之間，飽和區(qū)常用于開(kāi)關(guān)電路中，實(shí)現(xiàn)電路的導(dǎo)通與關(guān)斷。定制需求低噪聲放大NPN型晶體三極管耐壓100v共基電路輸入阻抗低、輸出阻抗高，適合做電流緩沖器。

用萬(wàn)用表檢測(cè)三極管好壞：第一步測(cè) PN 結(jié)正向?qū)ㄐ?，紅表筆接 B，黑表筆接 E、C，均應(yīng)顯示 0.6-0.7V（硅管），若顯示 “OL” 或壓降異常，說(shuō)明發(fā)射結(jié) / 集電結(jié)損壞；第二步測(cè)反向截止性，黑表筆接 B，紅表筆接 E、C，均應(yīng)顯示 “OL”，若有導(dǎo)通壓降，說(shuō)明 PN 結(jié)反向漏電；第三步估測(cè) β，將萬(wàn)用表調(diào)至 “hFE 檔”，根據(jù)三極管類(lèi)型（NPN）插入對(duì)應(yīng)插槽，顯示 β 值，若 β<10 或無(wú)顯示，說(shuō)明三極管放大能力失效。例如檢測(cè) 9013 管，若 B-E、B-C 正向壓降正常，反向截止，β=80-120，說(shuō)明三極管完好。

繼電器線(xiàn)圈是感性負(fù)載，斷電時(shí)會(huì)產(chǎn)生反向電動(dòng)勢(shì)，可能擊穿三極管。需在繼電器線(xiàn)圈兩端并聯(lián)續(xù)流二極管（如 1N4001），二極管正極接線(xiàn)圈負(fù)極，負(fù)極接線(xiàn)圈正極，當(dāng)線(xiàn)圈斷電時(shí)，反向電動(dòng)勢(shì)通過(guò)二極管形成回路，保護(hù)三極管。此外，若繼電器工作電流接近 ICM，需在基極增加限流電阻，避免 IB 過(guò)大導(dǎo)致三極管燒毀。例如 5V 繼電器線(xiàn)圈電阻 50Ω（工作電流 100mA），用 9013 管（ICM=500mA）驅(qū)動(dòng)，除并聯(lián)續(xù)流二極管外，基極電阻 RB=(5-0.7)/1mA=4.3kΩ，確保 IB=1mA（β=100 時(shí)，IC=100mA），既滿(mǎn)足驅(qū)動(dòng)需求，又避免過(guò)載。8050 管 ICM=1A，PCM=1W，降額后 IC≤800mA，PC≤700mW。

三極管的開(kāi)關(guān)速度由導(dǎo)通時(shí)間（ton）和關(guān)斷時(shí)間（toff）決定，ton 是從 IB 加入到 IC 達(dá)到 90% IC (sat) 的時(shí)間，toff 是從 IB 撤銷(xiāo)到 IC 降至 10% IC (sat) 的時(shí)間，小功率 NPN 管的 ton 和 toff 通常在幾十到幾百 ns。開(kāi)關(guān)速度影響電路的工作頻率，例如在 500kHz 的脈沖電路中，需選擇 ton+toff≤1μs 的三極管（如 MMBT3904，ton=25ns，toff=60ns），否則會(huì)出現(xiàn) “開(kāi)關(guān)不完全”，導(dǎo)致 IC 波形拖尾，功耗增大。為加快開(kāi)關(guān)速度，可在基極回路并聯(lián)加速電容，縮短載流子存儲(chǔ)時(shí)間。射極輸出器的輸出電阻低（通常幾十到幾百 Ω），需與低阻抗負(fù)載匹配才能發(fā)揮帶負(fù)載優(yōu)勢(shì)。若負(fù)載電阻 RL 遠(yuǎn)大于輸出電阻 ro，輸出電壓會(huì)隨 RL 變化，無(wú)法穩(wěn)定；若 RL 過(guò)?。ㄈ缧∮?ro 的 1/10），則會(huì)使 IC 增大，可能超過(guò) ICM。例如射極輸出器 ro=100Ω，驅(qū)動(dòng) LED 時(shí)（LED 工作電流 20mA，正向壓降 2V），需串聯(lián)限流電阻 R=（VCC-VE-VLED）/IL，若 VCC=5V、VE=2.7V，R=(5-2.7-2)/0.02=15Ω，此時(shí) RL（LED+R）≈15Ω，與 ro 匹配，LED 亮度穩(wěn)定。電流源電路用共基電路，低輸入阻抗減負(fù)載影響，高輸出阻抗穩(wěn)電流。線(xiàn)下市場(chǎng)低噪聲放大NPN型晶體三極管電流500mA

檢測(cè)其好壞可先用萬(wàn)用表測(cè)PN結(jié)導(dǎo)通性，再估測(cè)β，正向壓降異?；颚逻^(guò)低均說(shuō)明器件可能失效。西南地區(qū)抗輻射N(xiāo)PN型晶體三極管貼片SOT-23

集電極最大允許功耗 PCM 是指 NPN 型小功率晶體三極管在工作過(guò)程中，集電結(jié)所能承受的最大功耗，它是由三極管的結(jié)溫上限決定的。三極管工作時(shí)，集電結(jié)會(huì)產(chǎn)生功率損耗，這些損耗會(huì)轉(zhuǎn)化為熱量，導(dǎo)致結(jié)溫升高，當(dāng)結(jié)溫超過(guò)上限值時(shí)，三極管會(huì)因過(guò)熱而損壞。PCM 的計(jì)算公式為 PCM = IC × VCE，即集電極電流與集電極 - 發(fā)射極電壓的乘積。小功率 NPN 型三極管的 PCM 通常較小，一般在幾十毫瓦到幾百毫瓦之間，例如 9012 三極管的 PCM 約為 625mW，8050 三極管的 PCM 約為 1W。在電路設(shè)計(jì)中，必須確保三極管的實(shí)際功耗 PC = IC × VCE 小于 PCM，為了降低三極管的功耗和結(jié)溫，通常會(huì)合理選擇電路參數(shù)，減少 IC 和 VCE 的乘積，同時(shí)在功耗較大的場(chǎng)合，可為三極管加裝散熱片，提高散熱效率，從而使三極管能夠在接近 PCM 的條件下穩(wěn)定工作。西南地區(qū)抗輻射N(xiāo)PN型晶體三極管貼片SOT-23

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