PWM 調(diào)光電路通過改變?nèi)龢O管導(dǎo)通時(shí)間（占空比）調(diào)節(jié) LED 亮度，占空比范圍受三極管開關(guān)速度和 LED 響應(yīng)時(shí)間限制。若占空比過低（如 <5%），LED 可能出現(xiàn)閃爍，因人眼能感知低頻明暗變化；若占空比過高（如> 95%），三極管導(dǎo)通時(shí)間過長，可能因 PC=IC×VCE 超過 PCM 導(dǎo)致過熱。例如 LED 工作電流 300mA，VCE=0.3V（飽和時(shí)），PC=90mW，選擇 PCM=200mW 的三極管（如 8050），占空比可設(shè)為 10%~90%，既避免閃爍，又確保功耗安全，同時(shí) PWM 頻率需≥100Hz，超出人眼視覺暫留范圍?；鶚O并加速電容，可縮短載流子存儲(chǔ)時(shí)間，加快開關(guān)速度。華東地區(qū)高精度NPN型晶體三極管
貼片封裝（如 SOT-23、SOT-323）與直插封裝（TO-92）的 重要參數(shù)（ICM、PCM、β）相近，但散熱性能和安裝密度不同：直插封裝引腳長，散熱路徑長，PCM 通常略低（如 TO-92 封裝的 9013，PCM=625mW）；貼片封裝緊貼 PCB，可通過 PCB 銅箔散熱，PCM 可提升 10%~20%（如 SOT-23 封裝的 MMBT9013，PCM=700mW），且安裝密度高，適合小型化設(shè)備（如手機(jī)、智能手環(huán)）。直插封裝則適合手工焊接和高溫環(huán)境（引腳散熱好），如工業(yè)控制設(shè)備中的繼電器驅(qū)動(dòng)電路，便于維修更換。定制需求低噪聲放大NPN型晶體三極管選 ICBO 小的硅管，或在基極接地接泄放電阻，可抑制 ICEO。
共射放大電路是 NPN 型小功率管的經(jīng)典應(yīng)用，發(fā)射極接地，輸入信號(hào)加在 BE 間，輸出信號(hào)從 CE 間取出。電路中，RB（基極偏置電阻）控制 IB，確定靜態(tài)工作點(diǎn)；RC（集電極負(fù)載電阻）將 IC 變化轉(zhuǎn)化為 VCE 變化，實(shí)現(xiàn)電壓放大。該電路的優(yōu)勢是電壓放大倍數(shù)高（Av=-βRC/ri，ri 為輸入電阻）、電流放大倍數(shù)大，缺點(diǎn)是輸入電阻小、輸出電阻大，輸出信號(hào)與輸入信號(hào)反相。例如在音頻前置放大電路中，用 9014 管組成共射電路，將麥克風(fēng)輸出的 mV 級(jí)信號(hào)放大至 V 級(jí)，為后級(jí)功率放大提供信號(hào)源。
靜態(tài)工作點(diǎn)是三極管放大電路的 重要參數(shù)，需通過偏置電路設(shè)置，確保三極管工作在放大區(qū)。常用的偏置方式有固定偏置和分壓式偏置：固定偏置通過基極電阻 RB 直接從電源取電，RB=(VCC-VBE)/IBQ，電路簡單但穩(wěn)定性差，適合負(fù)載固定、溫度變化小的場景；分壓式偏置（RB1、RB2 分壓）使 VB 穩(wěn)定（VB≈VCC×RB2/(RB1+RB2)），再通過發(fā)射極電阻 RE 抑制 IC 漂移，穩(wěn)定性遠(yuǎn)優(yōu)于固定偏置，是多數(shù)放大電路的首要選擇。例如在音頻放大電路中，VCC=12V，若需 IBQ=20μA、VE=2V，可設(shè) RB2=2kΩ（VB≈2.7V）、RB1=10kΩ、RE=100Ω，確保靜態(tài)工作點(diǎn)穩(wěn)定。直插封裝適合手工焊接和高溫環(huán)境，維修更換更方便。
電流放大系數(shù) β 并非在所有頻率下都恒定，而是隨信號(hào)頻率升高而下降，這一特性用特征頻率 fT 描述，fT 是指 β 下降至 1 時(shí)的頻率，是衡量三極管高頻放大能力的關(guān)鍵參數(shù)。小功率 NPN 管的 fT 差異較大，低頻管（如 9014）fT 約 150MHz，高頻管（如 S9018）fT 可達(dá) 1GHz 以上。在實(shí)際應(yīng)用中，需確保工作頻率遠(yuǎn)低于 fT（通常為 fT 的 1/5~1/10），才能保證穩(wěn)定的放大效果。例如在 FM 收音機(jī)中頻放大電路（工作頻率 10.7MHz）中，選擇 fT≥100MHz 的三極管（如 2SC1815，fT=110MHz），可避免因 β 下降導(dǎo)致的放大倍數(shù)不足。三極管補(bǔ)償法用同型號(hào)管發(fā)射結(jié)并聯(lián)，抵消參數(shù)溫度漂移。華東地區(qū)高可靠性NPN型晶體三極管機(jī)構(gòu)認(rèn)證
振蕩實(shí)驗(yàn)組裝 RC/LC 電路，觀察波形理解起振條件。華東地區(qū)高精度NPN型晶體三極管
反向擊穿電壓是衡量 NPN 型小功率晶體三極管耐壓能力的重要參數(shù)，主要包括集電極 - 基極反向擊穿電壓（V (BR) CBO）、集電極 - 發(fā)射極反向擊穿電壓（V (BR) CEO）和發(fā)射極 - 基極反向擊穿電壓（V (BR) EBO）。V (BR) CBO 是指發(fā)射極開路時(shí)，集電極與基極之間所能承受的 反向電壓，若超過此電壓，集電結(jié)會(huì)發(fā)生反向擊穿，導(dǎo)致反向電流急劇增大；V (BR) CEO 是指基極開路時(shí)，集電極與發(fā)射極之間的反向電壓，其數(shù)值通常小于 V (BR) CBO，因?yàn)榛鶚O開路時(shí)，集電結(jié)的反向擊穿會(huì)通過基區(qū)影響發(fā)射結(jié)，使得 V (BR) CEO 降低；V (BR) EBO 是指集電極開路時(shí)，發(fā)射極與基極之間的反向電壓，由于發(fā)射結(jié)通常工作在正向偏置狀態(tài)，對(duì)反向電壓的耐受能力較弱，所以 V (BR) EBO 的數(shù)值較小，一般在幾伏到十幾伏之間。在電路設(shè)計(jì)中，必須確保三極管實(shí)際工作時(shí)的電壓不超過對(duì)應(yīng)的反向擊穿電壓，否則會(huì)導(dǎo)致三極管損壞。華東地區(qū)高精度NPN型晶體三極管
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