醫(yī)療電子設(shè)備對(duì) MLCC 的安全性和可靠性要求極為嚴(yán)格,由于醫(yī)療設(shè)備直接關(guān)系到患者的生命健康,任何元器件的故障都可能導(dǎo)致嚴(yán)重后果,因此醫(yī)療電子領(lǐng)域所使用的 MLCC 必須符合嚴(yán)格的醫(yī)療行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和法規(guī)要求。在醫(yī)用診斷設(shè)備中,如 CT 掃描儀、核磁共振成像(MRI)設(shè)備、超聲診斷儀等,MLCC 用于電源電路、信號(hào)處理電路和控制電路,確保設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行和診斷數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性;在醫(yī)療設(shè)備中,如心臟起搏器、胰島素泵等植入式醫(yī)療設(shè)備,需要體積小、可靠性極高、低功耗的 MLCC,以確保設(shè)備在人體內(nèi)長期安全工作,且不會(huì)對(duì)人體造成不良影響。醫(yī)療電子用 MLCC 通常需要通過 FDA(美國食品藥品監(jiān)督管理局)等機(jī)構(gòu)的認(rèn)證,其生產(chǎn)過程需遵循嚴(yán)格的質(zhì)量控制體系,如 ISO 13485 醫(yī)療器械質(zhì)量管理體系,確保產(chǎn)品的一致性和可靠性。多層片式陶瓷電容器的自動(dòng)化生產(chǎn)線可實(shí)現(xiàn)從漿料制備到測試分選的全流程管控。深圳低損耗多層片式陶瓷電容器長期穩(wěn)定運(yùn)行

多層片式陶瓷電容器,簡稱 MLCC,是電子電路中不可或缺的被動(dòng)元器件之一,憑借體積小、容量范圍廣、可靠性高的特點(diǎn),被普遍應(yīng)用于各類電子設(shè)備。它的內(nèi)部重要結(jié)構(gòu)由多層陶瓷介質(zhì)和內(nèi)電極交替疊合,外部再覆蓋外電極構(gòu)成,這種多層疊層設(shè)計(jì)能在有限的空間內(nèi)大幅提升電容量,滿足電子設(shè)備小型化、高集成化的發(fā)展需求。與傳統(tǒng)的引線式陶瓷電容器相比,MLCC 去除了引線結(jié)構(gòu),不僅減少了占用空間,還降低了寄生電感和電阻,在高頻電路中表現(xiàn)出更優(yōu)異的電氣性能,成為消費(fèi)電子、汽車電子、工業(yè)控制等領(lǐng)域首要選擇的電容類型。直銷耐高溫多層片式陶瓷電容器筆記本電腦適配通信設(shè)備用多層片式陶瓷電容器需保證在高頻下信號(hào)傳輸?shù)姆€(wěn)定性。

多層片式陶瓷電容器的等效串聯(lián)電感(ESL)優(yōu)化是提升其高頻性能的主要方向,在 5G 通信、射頻識(shí)別(RFID)等高頻場景中,ESL 過大會(huì)導(dǎo)致信號(hào)相位偏移、傳輸損耗增加。為降低 ESL,MLCC 的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)不斷創(chuàng)新:一是采用 “疊層交錯(cuò)” 內(nèi)電極布局,將相鄰層的內(nèi)電極引出方向交替設(shè)置,使電流路徑相互抵消,減少磁場疊加;二是縮小外電極間距,將傳統(tǒng) 1206 封裝的外電極間距從 2.5mm 縮短至 1.8mm,進(jìn)一步縮短電流回路長度;三是開發(fā) “低 ESL 封裝”,如方形扁平無引腳(QFN)結(jié)構(gòu)的 MLCC,通過將電極布置在封裝底部,大幅降低寄生電感。目前,高頻 MLCC 的 ESL 可低至 0.3nH 以下,在 2.4GHz 頻段的插入損耗比普通 MLCC 低 2-3dB,滿足 5G 基站天線、毫米波雷達(dá)等高頻設(shè)備的需求。
損耗角正切(tanδ),又稱介質(zhì)損耗,是反映 MLCC 能量損耗程度的參數(shù),指的是電容器在交流電場作用下,介質(zhì)損耗功率與無功功率的比值。損耗角正切值越小,說明 MLCC 的能量損耗越小,在電路中產(chǎn)生的熱量越少,工作效率越高,尤其在高頻電路和大功率電路中,低損耗的 MLCC 能有效減少能量浪費(fèi),提升整個(gè)電路的性能。I 類陶瓷 MLCC 的損耗角正切通常遠(yuǎn)小于 II 類陶瓷 MLCC,例如 I 類陶瓷 MLCC 的 tanδ 一般在 0.1% 以下,而 II 類陶瓷 MLCC 的 tanδ 可能在 1%~5% 之間。在實(shí)際應(yīng)用中,對(duì)于對(duì)能量損耗敏感的電路,如射頻通信電路、高精度測量電路等,應(yīng)優(yōu)先選擇損耗角正切值小的 I 類陶瓷 MLCC;而對(duì)于普通的濾波、去耦電路,II 類陶瓷 MLCC 的損耗特性通??山邮?。5G 基站 Massive MIMO 天線用多層片式陶瓷電容器,多為 0402/0201 封裝,2.6GHz 頻段損耗低。

MLCC 的低溫性能優(yōu)化是近年來行業(yè)關(guān)注的技術(shù)重點(diǎn)之一,在低溫環(huán)境(如 - 40℃以下)中,部分傳統(tǒng) MLCC 會(huì)出現(xiàn)電容量驟降、損耗角正切增大的問題,影響電路正常工作,尤其在冷鏈設(shè)備、極地探測儀器等場景中,這一問題更為突出。為改善低溫性能,企業(yè)通過調(diào)整陶瓷介質(zhì)配方,引入稀土元素(如鑭、釹)優(yōu)化晶格結(jié)構(gòu),減少低溫下介質(zhì)極化受阻的情況;同時(shí)改進(jìn)內(nèi)電極印刷工藝,采用更細(xì)的金屬漿料顆粒,提升電極與介質(zhì)在低溫下的結(jié)合穩(wěn)定性。經(jīng)過優(yōu)化的低溫型 MLCC,在 - 55℃環(huán)境下電容量衰減可控制在 5% 以內(nèi),損耗角正切維持在 0.5% 以下,滿足低溫場景的應(yīng)用需求。高容量多層片式陶瓷電容器通過增加疊層數(shù)量、減薄介質(zhì)層厚度實(shí)現(xiàn)。深圳低損耗多層片式陶瓷電容器長期穩(wěn)定運(yùn)行
多層片式陶瓷電容器的原材料中,高純度陶瓷粉末決定介電性能穩(wěn)定性。深圳低損耗多層片式陶瓷電容器長期穩(wěn)定運(yùn)行
MLCC 的失效分析是保障其應(yīng)用可靠性的關(guān)鍵技術(shù)環(huán)節(jié),當(dāng) MLCC 在實(shí)際使用中出現(xiàn)故障時(shí),需通過專業(yè)的失效分析手段找出失效原因,為產(chǎn)品改進(jìn)和應(yīng)用優(yōu)化提供依據(jù)。常見的 MLCC 失效模式包括電擊穿、熱擊穿、機(jī)械開裂、電極遷移等,不同失效模式對(duì)應(yīng)的失效原因和分析方法有所不同。電擊穿通常是由于 MLCC 的陶瓷介質(zhì)存在缺陷(如雜質(zhì)、氣孔)或額定電壓選擇不當(dāng),導(dǎo)致介質(zhì)在高電壓下被擊穿;熱擊穿則多因電路中電流過大,使 MLCC 產(chǎn)生過多熱量,超過陶瓷介質(zhì)的耐高溫極限。失效分析過程一般包括外觀檢查、電性能測試、解剖分析、材料分析等步驟,例如通過掃描電子顯微鏡(SEM)觀察 MLCC 的內(nèi)部結(jié)構(gòu),查看是否存在開裂、電極氧化等問題;通過能譜分析(EDS)檢測材料成分,判斷是否存在有害物質(zhì)或材料異常,從而準(zhǔn)確定位失效根源。深圳低損耗多層片式陶瓷電容器長期穩(wěn)定運(yùn)行
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