上海隔離型NPN型晶體三極管

PWM 調(diào)光電路通過(guò)改變?nèi)龢O管導(dǎo)通時(shí)間（占空比）調(diào)節(jié) LED 亮度，占空比范圍受三極管開關(guān)速度和 LED 響應(yīng)時(shí)間限制。若占空比過(guò)低（如 <5%），LED 可能出現(xiàn)閃爍，因人眼能感知低頻明暗變化；若占空比過(guò)高（如> 95%），三極管導(dǎo)通時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，可能因 PC=IC×VCE 超過(guò) PCM 導(dǎo)致過(guò)熱。例如 LED 工作電流 300mA，VCE=0.3V（飽和時(shí)），PC=90mW，選擇 PCM=200mW 的三極管（如 8050），占空比可設(shè)為 10%~90%，既避免閃爍，又確保功耗安全，同時(shí) PWM 頻率需≥100Hz，超出人眼視覺(jué)暫留范圍。直插封裝適合手工焊接和高溫環(huán)境，維修更換更方便。上海隔離型NPN型晶體三極管

溫度對(duì) NPN 型小功率三極管參數(shù)影響比較明顯：一是 VBE 隨溫度升高而減小，每升高 1℃，VBE 下降 2-2.5mV，可能導(dǎo)致 IB 增大、IC 漂移；二是 β 隨溫度升高而增大，每升高 10℃，β 增大 10%-20%，加劇 IC 不穩(wěn)定；三是集電極反向飽和電流 ICBO（發(fā)射極開路時(shí) CB 反向電流）隨溫度升高呈指數(shù)增長(zhǎng)，每升高 10℃，ICBO 翻倍，而 ICEO（基極開路時(shí) CE 反向電流）≈(1+β) ICBO，變化更劇烈。例如在高溫環(huán)境（如汽車電子）中，需通過(guò)溫度補(bǔ)償電路（如并聯(lián)二極管）抵消溫度對(duì)參數(shù)的影響。天津貼片式NPN型晶體三極管價(jià)格選 ICBO 小的硅管，或在基極接地接泄放電阻，可抑制 ICEO。

NPN 型小功率晶體三極管的輸入特性曲線是描述基極電流（IB）與基極 - 發(fā)射極電壓（VBE）之間關(guān)系的曲線，通常在固定集電極 - 發(fā)射極電壓（VCE）的條件下測(cè)繪。對(duì)于硅材料的 NPN 型小功率三極管，當(dāng) VCE 大于 1V 時(shí)，輸入特性曲線基本重合，曲線形狀與二極管的正向伏安特性相似。在 VBE 較小時(shí)，IB 幾乎為零，這個(gè)區(qū)域被稱為死區(qū)，硅管的死區(qū)電壓約為 0.5V；當(dāng) VBE 超過(guò)死區(qū)電壓后，IB 隨著 VBE 的增加而快速增大，且近似呈指數(shù)關(guān)系增長(zhǎng)，此時(shí) VBE 基本穩(wěn)定在 0.6-0.7V 的范圍內(nèi)，這一特性在電路設(shè)計(jì)中具有重要意義，例如在共射放大電路中，常利用這一特性設(shè)置合適的靜態(tài)工作點(diǎn)，確保輸入信號(hào)在整個(gè)周期內(nèi)都能被有效放大，避免出現(xiàn)截止失真。

振蕩電路無(wú)需外部輸入信號(hào)即可產(chǎn)生周期性信號(hào)，NPN 型小功率三極管作為放大器件，為電路提供能量補(bǔ)償。振蕩需滿足相位平衡（總相移 360°）和幅值平衡（放大倍數(shù) × 反饋系數(shù)≥1）。例如 RC 橋式振蕩電路，三極管組成共射放大電路（提供 180° 相移），RC 串并聯(lián)網(wǎng)絡(luò)（提供 180° 相移）實(shí)現(xiàn)正反饋，產(chǎn)生低頻正弦波（頻率 f=1/(2πRC)），用于音頻信號(hào)源；LC 振蕩電路（如哈特萊振蕩電路），三極管放大信號(hào)，LC 諧振回路選頻并反饋，產(chǎn)生高頻信號(hào)（f≈1/(2π√(LC))），用于無(wú)線電發(fā)射機(jī)的載波產(chǎn)生。變壓器耦合可阻抗匹配，適合高頻功率放大，卻體積大、成本高。

共射放大電路的失真，有截止失真和飽和失真：截止失真是因靜態(tài)工作點(diǎn)過(guò)低，輸入信號(hào)負(fù)半周使三極管進(jìn)入截止區(qū)，輸出信號(hào)正半周被削波，解決方法是減小 RB（增大 IBQ）或提高 VCC；飽和失真是因靜態(tài)工作點(diǎn)過(guò)高，輸入信號(hào)正半周使三極管進(jìn)入飽和區(qū)，輸出信號(hào)負(fù)半周被削波，解決方法是增大 RB（減小 IBQ）、減小 RC 或降低 VCC。例如當(dāng)輸入正弦信號(hào)時(shí)，若示波器顯示輸出波形頂部被削，為截止失真，可將 RB 從 100kΩ 調(diào)至 80kΩ，增大 IBQ；若底部被削，為飽和失真，可將 RC 從 2kΩ 調(diào)至 3kΩ，降低 ICQ。檢測(cè)其好壞可先用萬(wàn)用表測(cè)PN結(jié)導(dǎo)通性，再估測(cè)β，正向壓降異?；颚逻^(guò)低均說(shuō)明器件可能失效。陜西高頻NPN型晶體三極管

手機(jī)等小型設(shè)備用貼片三極管，高安裝密度適配設(shè)備小型化。上海隔離型NPN型晶體三極管

ICEO 是基極開路時(shí)集電極 - 發(fā)射極反向電流，ICEO≈(1+β) ICBO，因 β 和 ICBO 均隨溫度升高而增大，ICEO 的溫度敏感性極強(qiáng)，會(huì)導(dǎo)致電路靜態(tài)電流增大，功耗上升。抑制 ICEO 的方法：一是選擇 ICBO 小的硅管，硅管 ICBO 遠(yuǎn)小于鍺管；二是在基極與地之間接泄放電阻 RB，使 IB=ICEO/(1+β)，減小 ICEO 對(duì) IC 的影響；三是采用分壓式偏置電路，通過(guò) RE 的負(fù)反饋穩(wěn)定 IC。例如在高精度電流源電路中，基極接 100kΩ 泄放電阻，當(dāng) ICEO=10μA（β=100）時(shí)，IB=0.1μA，對(duì) IC 的影響可忽略不計(jì)，確保電流源輸出穩(wěn)定。上海隔離型NPN型晶體三極管

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