江蘇通信用NPN型晶體三極管開關電源電路應用維修

常見故障有：一是三極管燒毀，多因 IC 超過 ICM、PC 超過 PCM 或 VCE 超過 V (BR) CEO，排查時用萬用表測 CE 間電阻，若為 0Ω（短路）或無窮大（開路），說明燒毀，需更換參數匹配的三極管；二是放大能力下降，表現為輸出信號幅度減小，測 β 值若明顯低于標稱值，需更換三極管；三是開關失控，導通時 CE 壓降過大（未飽和），需增大 IB（減小 RB），截止時 IC 過大（漏電），需更換質量合格的三極管；四是溫度漂移，IC 隨溫度升高而增大，需增加溫度補償電路（如在 RB 旁并聯(lián)負溫度系數熱敏電阻）。老式礦石收音機用鍺管，因成本低，對性能要求也低。江蘇通信用NPN型晶體三極管開關電源電路應用維修

PN 型小功率晶體三極管的輸入特性曲線直接影響電路靜態(tài)工作點的設置。該曲線以集電極 - 發(fā)射極電壓 VCE 為固定參量（通常需滿足 VCE≥1V，消除 VCE 對曲線的影響），描述基極電流 IB 與基極 - 發(fā)射極電壓 VBE 之間的關系，其形態(tài)與二極管正向伏安特性高度相似，存在明顯的 “死區(qū)” 與 “導通區(qū)” 劃分。對于硅材料三極管，當 VBE＜0.5V 時，發(fā)射結未充分導通，IB 近似為 0，三極管處于截止狀態(tài)，此為死區(qū)；當 VBE 突破 0.5V 死區(qū)電壓后，IB 隨 VBE 的增大呈指數級快速上升，且在正常工作范圍內，VBE 會穩(wěn)定在 0.6-0.7V 的狹窄區(qū)間，這一特性成為電路設計的關鍵依據。例如在共射放大電路中，設計師需利用這一穩(wěn)定區(qū)間，通過基極偏置電阻（如分壓式偏置中的 RB1、RB2）精確控制 VBE，將 IB 鎖定在合適數值，確保靜態(tài)工作點落在放大區(qū)中心。福建高增益NPN型晶體三極管5G通信設備應用價格咨詢二極管補償法中，二極管與基極串聯(lián)，抵消 VBE 的溫度漂移。

靜態(tài)工作點是三極管放大電路的 重要參數，需通過偏置電路設置，確保三極管工作在放大區(qū)。常用的偏置方式有固定偏置和分壓式偏置：固定偏置通過基極電阻 RB 直接從電源取電，RB=(VCC-VBE)/IBQ，電路簡單但穩(wěn)定性差，適合負載固定、溫度變化小的場景；分壓式偏置（RB1、RB2 分壓）使 VB 穩(wěn)定（VB≈VCC×RB2/(RB1+RB2)），再通過發(fā)射極電阻 RE 抑制 IC 漂移，穩(wěn)定性遠優(yōu)于固定偏置，是多數放大電路的首要選擇。例如在音頻放大電路中，VCC=12V，若需 IBQ=20μA、VE=2V，可設 RB2=2kΩ（VB≈2.7V）、RB1=10kΩ、RE=100Ω，確保靜態(tài)工作點穩(wěn)定。

要讓 NPN 型小功率三極管實現放大或開關功能，需滿足特定偏置：發(fā)射結正向偏置、集電結反向偏置。發(fā)射結正向偏置指基極電壓（VB）高于發(fā)射極電壓（VE），硅管正向壓降約 0.6-0.7V，此時發(fā)射區(qū)自由電子在電場作用下越過發(fā)射結進入基區(qū)；集電結反向偏置指集電極電壓（VC）高于基極電壓（VB），反向電場阻止基區(qū)空穴向集電區(qū)移動，同時 “牽引” 基區(qū)未復合的自由電子進入集電區(qū)。若偏置條件不滿足，如發(fā)射結反偏，三極管會進入截止狀態(tài)；若集電結正偏，則可能進入飽和狀態(tài)，無法實現正常放大。靜態(tài)工作點需通過偏置電路設置，確保三極管工作在放大區(qū)。

共基放大電路以基極作為公共電極，輸入信號加在發(fā)射極和基極之間，輸出信號從集電極和基極之間取出，NPN 型小功率三極管在該電路中工作在放大區(qū)。共基放大電路的突出特點是頻率響應好，上限截止頻率高，這是因為基極交流接地，基極電容的影響較小，減少了載流子在基區(qū)的渡越時間對高頻信號的影響，因此常用于高頻放大電路中，如射頻信號放大、高頻振蕩電路等。與共射放大電路相比，共基放大電路的電壓放大倍數較高，但電流放大倍數小于 1，即沒有電流放大能力，能實現電壓放大，且輸出信號與輸入信號同相位。在實際應用時，共基放大電路常與共射放大電路組合使用，構成共射 - 共基組合放大電路，既能獲得較高的電壓放大倍數，又能擁有良好的高頻特性，滿足高頻信號放大的需求，例如在通信設備的高頻放大模塊中，就常采用這種組合電路。三極管燒毀多因 IC 超 ICM、PC 超 PCM，或 VCE 超擊穿電壓。江蘇通信用NPN型晶體三極管開關電源電路應用維修

選 ICBO 小的硅管，或在基極接地接泄放電阻，可抑制 ICEO。江蘇通信用NPN型晶體三極管開關電源電路應用維修

要使 NPN 型小功率晶體三極管正常工作，必須滿足特定的偏置條件，即發(fā)射結正向偏置、集電結反向偏置。發(fā)射結正向偏置是指在基極和發(fā)射極之間施加正向電壓，對于硅材料的三極管，這個正向電壓通常在 0.6-0.7V 左右，此時發(fā)射區(qū)的自由電子在正向電場的作用下，會大量越過發(fā)射結進入基區(qū)；集電結反向偏置則是在基極和集電極之間施加反向電壓，該電壓值通常比發(fā)射結正向電壓大得多，反向電場會阻止基區(qū)的空穴向集電區(qū)移動，同時能將基區(qū)中未與空穴復合的自由電子 “拉” 向集電區(qū)。當滿足這兩個偏置條件時，三極管內部會形成較大的集電極電流，且集電極電流會隨著基極電流的微小變化而發(fā)生明顯變化，從而實現電流放大功能。江蘇通信用NPN型晶體三極管開關電源電路應用維修

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