北京開發(fā)氧化石墨

石墨烯可與多種傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料形成異質(zhì)結(jié)，如硅[64][65][66]，鍺[67]，氧化鋅[68]，硫化鎘[69]、二硫化鉬[70]等。其中，石墨烯/硅異質(zhì)結(jié)器件是目前研究**為***、光電轉(zhuǎn)換效率比較高（AM1.5）的一類光電器件?；诠?石墨烯異質(zhì)結(jié)光電探測器（SGPD），獲得了極高的光伏響應(yīng)[71]。相比于光電流響應(yīng)，它不會因產(chǎn)生焦耳熱而產(chǎn)生損耗?；诨瘜W氣象沉積法（CVD）生長的石墨烯光電探測器有很多其獨特的優(yōu)點。首先有極高的光伏響應(yīng)，其次有極小的等效噪聲功率可以探測極微弱的信號，常見的硅-石墨烯異質(zhì)結(jié)光電探測器結(jié)構(gòu)如圖9.8所示。當超過某上限后氧化石墨烯量子點的性質(zhì)相當接近氧化石墨烯。北京開發(fā)氧化石墨

氧化石墨烯（GO）在很寬的光譜范圍內(nèi)具有光致發(fā)光性質(zhì)，同時也是高效的熒光淬滅劑。氧化石墨烯（GO）具有特殊的光學性質(zhì)和多樣化的可修飾性，為石墨烯在光學、光電子學領(lǐng)域的應(yīng)用提供了一個功能可調(diào)控的強大平臺[6]，其在光電領(lǐng)域的應(yīng)用日趨***。氧化石墨烯（GO）和還原氧化石墨烯（RGO）應(yīng)用于光電傳感，主要是作為電子給體或者電子受體材料。作為電子給體材料時，利用的是其在光的吸收、轉(zhuǎn)換、發(fā)射等光學方面的特殊性質(zhì)，作為電子受體材料時，利用的是其優(yōu)異的載流子遷移率等電學性質(zhì)。本書前面的內(nèi)容中對氧化石墨烯（GO）、還原氧化石墨烯（RGO）的電學性質(zhì)已經(jīng)有了比較詳細的論述，本章在介紹其在光電領(lǐng)域的應(yīng)用之前，首先對相關(guān)的光學性質(zhì)部分進行介紹。杭州應(yīng)該怎么做氧化石墨GO成為制作傳感器極好的基本材料。

氧化應(yīng)激是指體內(nèi)氧化與抗氧化作用失衡，傾向于氧化，導(dǎo)致中性粒細胞炎性浸潤，蛋白酶分泌增加，產(chǎn)生大量氧化中間產(chǎn)物，即活性氧。大量的實驗研究已經(jīng)確認細胞經(jīng)不同濃度的GO處理后，都會增加細胞中活性氧的量。而活性氧的量可以通過商業(yè)化的無色染料染色后利用流式細胞儀或熒光顯微鏡檢測到。氧化應(yīng)激是由自由基在體內(nèi)產(chǎn)生的一種負面作用，并被認為是導(dǎo)致衰老和疾病的一個重要因素。氧化應(yīng)激反應(yīng)不僅與GO的濃度[17,18]有關(guān)，還與GO的氧化程度[19]有關(guān)。如將蠕蟲分別置于10μg/ml和20μg/ml的PLL-PEG修飾的GO溶液中，GO會引起蠕蟲細胞內(nèi)活性氧的積累，其活性氧分別增加59.2%和75.3%。

使得*在單層中排列的水蒸氣可以滲透通過納米通道。通過在GO納米片之間夾入適當尺寸的間隔物來調(diào)節(jié)GO間距，可以制造廣譜的GO膜，每個膜能夠精確地分離特定尺寸范圍內(nèi)的目標離子和分子。水合作用力使得溶液中氧化石墨烯片層間隙的距離增大到1.3 nm，真正有效、可自由通過的孔道尺寸為0.9 nm，計算出水合半徑小于0.45 nm的物質(zhì)可以通過氧化石墨烯膜片，而水合半徑大于0.45 nm的物質(zhì)被截留，如圖8.4所示。例如，脫鹽要求GO的層間距小于0.7 nm，以從水中篩分水合Na +（水合半徑為0.36nm）。 通過部分還原GO以減小水合官能團的尺寸或通過將堆疊的GO納米片與小尺寸分子共價鍵合以克服水合力，可以獲得這種小間距。與此相反，如果要擴大GO的層間距至1~2 nm，可在GO納米片之間插入剛性較大的化學基團或聚合物鏈（例如聚電解質(zhì)），從而使GO膜成為水凈化、廢水回收、制藥和燃料分離等應(yīng)用的理想選擇。 如果使用更大尺寸的納米顆?；蚣{米纖維作為插層物，可以制備出間距超過2nm的GO膜，以用于生物醫(yī)學應(yīng)用（例如人工腎和透析），這些應(yīng)用需要大面積預(yù)分離生物分子和小廢物分子。石墨烯具有很好的電學性質(zhì)，但氧化石墨本身卻是絕緣體(或是半導(dǎo)體)。

與石墨烯量子點類似，氧化石墨烯量子點也具備一些特殊的性質(zhì)。當GO片徑達到若干納米量級的時候?qū)霈F(xiàn)明顯的限域效應(yīng)，其光學性質(zhì)會隨著片徑尺寸大小發(fā)生變化[48]，當超過某上限后氧化石墨烯量子點的性質(zhì)相當接近氧化石墨烯，這就提供了一種通過控制片徑尺寸分布改變氧化石墨烯量子點光響應(yīng)的手段。與GO類似，這種pH依賴來源于自由型zigzag邊緣的質(zhì)子化或者去質(zhì)子化。同樣，這也可以解釋以GO為前驅(qū)體通過超聲-水熱法得到的石墨烯量子點的光發(fā)射性能，在藍光區(qū)域其光發(fā)射性能取決于zigzag邊緣狀態(tài)，而綠色的熒光發(fā)射則來自于能級陷阱的無序狀態(tài)。通過控制氧化石墨烯量子點的氧化程度，可以控制其發(fā)光的波長。這一類量子點的光學性質(zhì)類似于GO，這說明只要片徑小于量子點，都會產(chǎn)生同樣的光學效應(yīng)，也就是在結(jié)構(gòu)上存在一個限域島狀SP2雜化的碳或者含氧基團在功能化過程中引入的缺陷狀態(tài)。氧化石墨片層的邊緣包括羰基或羧基。合成氧化石墨納米材料

GO的生物毒性除了有濃度依賴性，還會因GO原料的不同而呈現(xiàn)出毒性數(shù)據(jù)的多樣性。北京開發(fā)氧化石墨

太赫茲技術(shù)可用于醫(yī)學診斷與成像、反恐安全檢查、通信雷達、射電天文等領(lǐng)域，將對技術(shù)創(chuàng)新、國民經(jīng)濟發(fā)展以及**等領(lǐng)域產(chǎn)生深遠的影響。作為極具發(fā)展?jié)摿Φ男录夹g(shù)，2004年，美國**將THz科技評為“改變未來世界的**技術(shù)”之一，而日本于2005年1月8日更是將THz技術(shù)列為“國家支柱**重點戰(zhàn)略目標”**，舉全國之力進行研發(fā)。傳統(tǒng)的寬帶THz波可以通過光整流、光電導(dǎo)天線、激光氣體等離子體等方法產(chǎn)生，窄帶THz波可以通過太赫茲激光器、光學混頻、加速電子、光參量轉(zhuǎn)換等方法產(chǎn)生。北京開發(fā)氧化石墨