氧化石墨烯表面含有-OH和-COOH等豐富的官能團,在水中可發(fā)生去質子化等反應帶有負電荷,由于靜電作用將金屬陽離子吸附至表面;相反的,如果水中pH等環(huán)境因素發(fā)生變化,氧化石墨烯表面也可攜帶正電荷,則與金屬離子產生靜電斥力,二者之間的吸附作用**減弱。而靜電作用的強弱與氧化石墨烯表面官能團產生的負電荷相關,其受環(huán)境pH值的影響較明顯。Wang44等人的研究證明,在pH>pHpzc時(pHpzc=3.8),GO表面的官能團可發(fā)生去質子化反應而帶負電,可有效吸附鈾離子U(VI),其吸附量可達到1330mg/g。減少面內難以修復的孔洞,從而提升還原石墨烯的本征導電性。應該怎么做氧化石墨制造

盡管氧化石墨烯自身可以發(fā)射熒光,但有趣的是它也可以淬滅熒光。這兩種看似相互矛盾的性質集于一身,正是由于氧化石墨烯化學成分的多樣性、原子和電子層面的復雜結構造成的。眾所周知,石墨形態(tài)的碳材料可以淬滅處于其表面的染料分子的熒光,同樣的,在GO和RGO中存在的SP2區(qū)域可以淬滅臨近一些物質的的熒光,如染料分子、共軛聚合物、量子點等,而GO的熒光淬滅效率在還原后還有進一步的提升。有很多文章定量分析了GO和RGO的熒光淬滅效率,研究表明,熒光淬滅特性來自于GO、RGO與輻射發(fā)生體之間的熒光共振能量轉移或者非輻射偶極-偶極耦合。應該怎么做氧化石墨制造靜電作用的強弱與氧化石墨烯表面官能團產生的負電荷相關。

GO的載藥作用也可促進間充質干細胞的成骨分化。如用攜帶正電荷NH3+的GO(GO-NH3+)和攜帶負電荷COOH-的GO(GOCOOH-)交替層疊使其**外層為GO-COOH-,以這種GO作為載體,攜帶骨形態(tài)發(fā)生蛋白-2(BMP-2)和P物質(SP)附著到鈦(Ti)種植體上,結果以Ti為基底,表面覆蓋GO-COOH-,攜帶BMP-2和SP(Ti/GO-/SP/BMP-2)種植體周圍的新骨生成量要明顯多于Ti/SP/BMP-2、Ti/GO-/BMP-2、Ti/GO-/SP。這證明GO可以同時攜帶BMP-2和SP到達局部并緩慢釋放,增加局部BMP-2和SP的有效劑量且發(fā)揮生物活性作用[89,90]。GO的這種雙重攜帶傳遞作用在口腔種植及骨愈合方面起著重要的作用。而體內羥磷灰石(hydroxyapatite,HA)是一種常用于骨組織修復的磷酸鈣陶瓷類材料。在HA中加入GO,可以增強其在鈦板表面的附著強度;以HA為基底,表面覆蓋GO的復合物(GO/HA)表現(xiàn)出比純HA更高的抗腐蝕性能,細胞活性也更強。
GO作為一種新型的藥物載體材料,以其良好的生物相容性、較高的載藥率、靶向給藥等方面得到廣泛的關注。GO作為遞送藥物的載體,它不僅可以負載小分子藥物,也可以與抗體、DNA、蛋白質等大分子結合,如圖7.2所示。普通的有機藥物很多都含有π結構,而這些藥物的水溶性都非常差,而GO具有較好的親水性,因此可以借助分散性較好的GO基材料來解決這個問題,即將上述藥物負載到GO基材料上,形成GO-藥物混合物材料。這對改善難溶***物的水溶性,降低藥物不良反應以及提高藥物穩(wěn)定性和生物利用度等方面有非常重要的研究意義。石墨、碳纖維、碳納米管和GO可以作為熒光受體。

與石墨烯量子點類似,氧化石墨烯量子點也具備一些特殊的性質。當GO片徑達到若干納米量級的時候將會出現(xiàn)明顯的限域效應,其光學性質會隨著片徑尺寸大小發(fā)生變化[48],當超過某上限后氧化石墨烯量子點的性質相當接近氧化石墨烯,這就提供了一種通過控制片徑尺寸分布改變氧化石墨烯量子點光響應的手段。與GO類似,這種pH依賴來源于自由型zigzag邊緣的質子化或者去質子化。同樣,這也可以解釋以GO為前驅體通過超聲-水熱法得到的石墨烯量子點的光發(fā)射性能,在藍光區(qū)域其光發(fā)射性能取決于zigzag邊緣狀態(tài),而綠色的熒光發(fā)射則來自于能級陷阱的無序狀態(tài)。通過控制氧化石墨烯量子點的氧化程度,可以控制其發(fā)光的波長。這一類量子點的光學性質類似于GO,這說明只要片徑小于量子點,都會產生同樣的光學效應,也就是在結構上存在一個限域島狀SP2雜化的碳或者含氧基團在功能化過程中引入的缺陷狀態(tài)。氧化石墨仍然保留石墨母體的片狀結構,但是兩層間的間距(約0.7nm)大約是石墨中層間距的兩倍。單層氧化石墨廠家報價
氧化石墨能夠滿足人們對于材料的功能性需求更為嚴苛的要求。應該怎么做氧化石墨制造
GO膜在水處理中的分離機理尚存在諸多爭議。一種觀點認為通過尺寸篩分以及帶電的目標分離物與納米孔之間的靜電排斥機理實現(xiàn)分離,如圖8.3所示。氧化石墨烯膜的分離通道主要由兩部分構成:1)氧化石墨烯分離膜中不規(guī)則褶皺結構形成的半圓柱孔道;2)氧化石墨烯分離膜片層之間的空隙。除此之外,由氧化石墨烯結構缺陷引起的納米孔道對于水分子的傳輸提供了額外的通道19-22。Mi等23研究認為干態(tài)下通過真空過濾制備的氧化石墨烯片層間隙的距離約為0.3nm。應該怎么做氧化石墨制造