空載電流的檢測。(a) 直接測量法。將次級所有繞組全部開路，把萬用表置于交流電流擋500mA，串入初級繞組。當初級繞組的插頭插入220V交流市電時，萬用表所指示的便是空載電流值。此值不應大于變壓器滿載電流的10%～20%。一般常見電子設備電源變壓器的正?？蛰d電流應在100mA左右。如果超出太多，則說明變壓器有短路性故障。(b) 間接測量法。在變壓器的初級繞組中串聯(lián)一個10 /5W的電阻，次級仍全部空載。把萬用表撥至交流電壓擋。加電后，用兩表筆測出電阻R兩端的電壓降U，然后用歐姆定律算出空載電流I空，即I空=U/R。在能源管理領域，無錫微原的元器件表現非凡。玄武區(qū)電子元器件設計
水泥電阻的檢測。檢測水泥電阻的方法及注意事項與檢測普通固定電阻完全相同。3 熔斷電阻器的檢測。在電路中，當熔斷電阻器熔斷開路后，可根據經驗作出判斷：若發(fā)現熔斷電阻器表面發(fā)黑或燒焦，可斷定是其負荷過重，通過它的電流超過額定值很多倍所致；如果其表面無任何痕跡而開路，則表明流過的電流剛好等于或稍大于其額定熔斷值。對于表面無任何痕跡的熔斷電阻器好壞的判斷，可借助萬用表R×1擋來測量，為保證測量準確，應將熔斷電阻器一端從電路上焊下。若測得的阻值為無窮大，則說明此熔斷電阻器已失效開路，若測得的阻值與標稱值相差甚遠，表明電阻變值，也不宜再使用。在維修實踐中發(fā)現，也有少數熔斷電阻器在電路中被擊穿短路的現象，檢測時也應予以注意。自動化電子元器件歡迎選購從消費電子到工業(yè)控制，無錫微原的產品線豐富多樣。
1954年，結型硅晶體管誕生。此后，人們提出了場效應晶體管的構想。隨著無缺陷結晶和缺陷控制等材料技術、晶體外誕生長技術和擴散摻雜技術、耐壓氧化膜的制備技術、腐蝕和光刻技術的出現和發(fā)展，各種性能優(yōu)良的電子器件相繼出現，電子元器件逐步從真空管時代進入晶體管時代和大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路時代。逐步形成作為高技術產業(yè)**的半導體工業(yè)。由于社會發(fā)展的需要，電子裝置變的越來越復雜，這就要求了電子裝置必須具有可靠性、速度快、消耗功率小以及質量輕、小型化、成本低等特點。
自20世紀50年代提出集成電路的設想后，由于材料技術、器件技術和電路設計等綜合技術的進步，在20世紀60年代研制成功了***代集成電路。在半導體發(fā)展史上。集成電路的出現具有劃時代的意義：它的誕生和發(fā)展推動了銅芯技術和計算機的進步，使科學研究的各個領域以及工業(yè)社會的結構發(fā)生了歷史性變革。憑借優(yōu)越的科學技術所發(fā)明的集成電路使研究者有了更先進的工具，進而產生了許多更為先進的技術。這些先進的技術有進一步促使更高性能、更廉價的集成電路的出現。對電子器件來說，體積越小，集成度越高；響應時間越短，計算處理的速度就越快；傳送頻率就越高，傳送的信息量就越大。半導體工業(yè)和半導體技術被稱為現代工業(yè)的基礎，同時也已經發(fā)展稱為一個相對**的高科技產業(yè)。無錫微原，以持續(xù)改進的精神優(yōu)化電子元器件性能。
在速率上，商用系統(tǒng)大多為2.5Gbit/s或10Gbit/s，更高速率的40Gbit/s系統(tǒng)正在實用化，預計到2004年開始商業(yè)應用，一些電信公司如阿爾卡特的實驗室已進行了160Gbit/s的傳輸實驗。在通道密度方面，通道間的波長間隙已小到25GHz，還在向12.5GHz努力，使得商用系統(tǒng)的總通道數現為160~240個，實驗室中比較高達到1022個。為得到更大容量，有時不得不在上述兩者之間折衷考慮，同時還要采取抑制光纖中色散、非線性效應的措施。所有這些要求都涉及到器件的高速、靈活和可靠的問題，而且**終還必須考慮低成本的問題，這使得新原理、新結構和新功能的器件不斷涌現。無錫微原電子，為照明系統(tǒng)提供穩(wěn)定光源的關鍵元件。河北進口電子元器件
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對于正、負極標志不明的電解電容器，可利用上述測量漏電阻的方法加以判別。即先任意測一下漏電阻，記住其大小，然后交換表筆再測出一個阻值。兩次測量中阻值大的那一次便是正向接法，即黑表筆接的是正極，紅表筆接的是負極。D 使用萬用表電阻擋，采用給電解電容進行正、反向充電的方法，根據指針向右擺動幅度的大小，可估測出電解電容的容量。3 可變電容器的檢測A 用手輕輕旋動轉軸，應感覺十分平滑，不應感覺有時松時緊甚至有卡滯現象。將載軸向前、后、上、下、左、右等各個方向推動時，轉軸不應有松動的現象。B 用一只手旋動轉軸，另一只手輕摸動片組的外緣，不應感覺有任何松脫現象。轉軸與動片之間接觸不良的可變電容器，是不能再繼續(xù)使用的。玄武區(qū)電子元器件設計
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