技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)新型元器件將繼續(xù)向微型化、片式化、高性能化、集成化、智能化、環(huán)保節(jié)能方向發(fā)展。市場(chǎng)需求分析隨著下一代互聯(lián)網(wǎng)、新一代移動(dòng)通信和數(shù)字電視的逐步商用，電子整機(jī)產(chǎn)業(yè)的升級(jí)換代將為電子材料和元器件產(chǎn)業(yè)的發(fā)展帶來(lái)巨大的市場(chǎng)機(jī)遇?！笆晃濉卑l(fā)展重點(diǎn)我國(guó)《電子基礎(chǔ)材料和關(guān)鍵元器件“十一五”專項(xiàng)規(guī)劃》重點(diǎn)強(qiáng)調(diào)新型元器件、新型顯示器件和電子材料作為主要分產(chǎn)業(yè)的發(fā)展目標(biāo)。注：上表所列信息與數(shù)據(jù)引自商務(wù)部網(wǎng)站、國(guó)研網(wǎng)、統(tǒng)計(jì)局網(wǎng)站。
無(wú)錫微原電子，打造耐用且高效的電子元器件產(chǎn)品。雨花臺(tái)區(qū)大規(guī)模電子元器件
1906年美國(guó)人德福雷斯特發(fā)明真空三極管，用來(lái)放大電話的聲音電流。此后，人們強(qiáng)烈地期待著能夠誕生一種固體器件，用來(lái)作為質(zhì)量輕、價(jià)廉和壽命長(zhǎng)的放大器和電子開(kāi)關(guān)。1947年，點(diǎn)接觸型鍺晶體管的誕生，在電子器件的發(fā)展史上翻開(kāi)了新的一頁(yè)。但是，這種點(diǎn)接觸型晶體管在構(gòu)造上存在著接觸點(diǎn)不穩(wěn)定的致命弱點(diǎn)。在點(diǎn)接觸型晶體管開(kāi)發(fā)成功的同時(shí)，結(jié)型晶體管論就已經(jīng)提出，但是直至人們能夠制備超高純度的單晶以及能夠任意控制晶體的導(dǎo)電類型以后，結(jié)型晶體管材真正得以出現(xiàn)。1950年，具有使用價(jià)值的**早的鍺合金型晶體管誕生。加工電子元器件歡迎選購(gòu)無(wú)錫微原，用嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn)確保電子元器件的品質(zhì)。
電解電容器的檢測(cè)A 因?yàn)殡娊怆娙莸娜萘枯^一般固定電容大得多，所以，測(cè)量時(shí)，應(yīng)針對(duì)不同容量選用合適的量程。根據(jù)經(jīng)驗(yàn)，一般情況下，1～47μF間的電容，可用R×1k擋測(cè)量，大于47μF的電容可用R×100擋測(cè)量。B 將萬(wàn)用表紅表筆接負(fù)極，黑表筆接正極，在剛接觸的瞬間，萬(wàn)用表指針即向右偏轉(zhuǎn)較大偏度(對(duì)于同一電阻擋，容量越大，擺幅越大)，接著逐漸向左回轉(zhuǎn)，直到停在某一位置。此時(shí)的阻值便是電解電容的正向漏電阻，此值略大于反向漏電阻。實(shí)際使用經(jīng)驗(yàn)表明，電解電容的漏電阻一般應(yīng)在幾百kΩ以上，否則，將不能正常工作。在測(cè)試中，若正向、反向均無(wú)充電的現(xiàn)象，即表針不動(dòng)，則說(shuō)明容量消失或內(nèi)部斷路；如果所測(cè)阻值很小或?yàn)榱?，說(shuō)明電容漏電大或已擊穿損壞，不能再使用。
1954年，結(jié)型硅晶體管誕生。此后，人們提出了場(chǎng)效應(yīng)晶體管的構(gòu)想。隨著無(wú)缺陷結(jié)晶和缺陷控制等材料技術(shù)、晶體外誕生長(zhǎng)技術(shù)和擴(kuò)散摻雜技術(shù)、耐壓氧化膜的制備技術(shù)、腐蝕和光刻技術(shù)的出現(xiàn)和發(fā)展，各種性能優(yōu)良的電子器件相繼出現(xiàn)，電子元器件逐步從真空管時(shí)代進(jìn)入晶體管時(shí)代和大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路時(shí)代。逐步形成作為高技術(shù)產(chǎn)業(yè)**的半導(dǎo)體工業(yè)。由于社會(huì)發(fā)展的需要，電子裝置變的越來(lái)越復(fù)雜，這就要求了電子裝置必須具有可靠性、速度快、消耗功率小以及質(zhì)量輕、小型化、成本低等特點(diǎn)。無(wú)錫微原電子，為辦公自動(dòng)化提供高效元件解決方案。
加溫檢測(cè)；在常溫測(cè)試正常的基礎(chǔ)上，即可進(jìn)行第二步測(cè)試—加溫檢測(cè)，將一熱源(例如電烙鐵)靠近PTC熱敏電阻對(duì)其加熱，同時(shí)用萬(wàn)用表監(jiān)測(cè)其電阻值是否隨溫度的升高而增大，如是，說(shuō)明熱敏電阻正常，若阻值無(wú)變化，說(shuō)明其性能變劣，不能繼續(xù)使用。注意不要使熱源與PTC熱敏電阻靠得過(guò)近或直接接觸熱敏電阻，以防止將其燙壞。6 負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻(NTC)的檢測(cè)。(1)、測(cè)量標(biāo)稱電阻值Rt 用萬(wàn)用表測(cè)量NTC熱敏電阻的方法與測(cè)量普通固定電阻的方法相同，即根據(jù)NTC熱敏電阻的標(biāo)稱阻值選擇合適的電阻擋可直接測(cè)出Rt的實(shí)際值。但因NTC熱敏電阻對(duì)溫度很敏感，故測(cè)試時(shí)應(yīng)注意以下幾點(diǎn)：A Rt是生產(chǎn)廠家在環(huán)境溫度為25℃時(shí)所測(cè)得的，所以用萬(wàn)用表測(cè)量Rt時(shí)，亦應(yīng)在環(huán)境溫度接近25℃時(shí)進(jìn)行，以保證測(cè)試的可信度。B 測(cè)量功率不得超過(guò)規(guī)定值，以免電流熱效應(yīng)引起測(cè)量誤差。C 注意正確操作。測(cè)試時(shí)，不要用手捏住熱敏電阻體，以防止人體溫度對(duì)測(cè)試產(chǎn)生影響。無(wú)錫微原科技，用電子元器件點(diǎn)亮智能家居生活。加工電子元器件歡迎選購(gòu)
由于社會(huì)發(fā)展的需要，電子裝置變的越來(lái)越復(fù)雜。雨花臺(tái)區(qū)大規(guī)模電子元器件
2002年OFC展覽會(huì)上有十多家自動(dòng)封裝、自動(dòng)熔接設(shè)備廠商參展，熔接、對(duì)準(zhǔn)、壓焊等許多認(rèn)為只能由人工操作的工藝都能由機(jī)械手進(jìn)行。據(jù)ElectroniCast預(yù)測(cè)，到2005年自動(dòng)化組裝與測(cè)試設(shè)備的銷量將達(dá)17.1億美元，光電子器件產(chǎn)值中的70%~80%將由全自動(dòng)或半自動(dòng)化組裝生產(chǎn), 可以說(shuō)自動(dòng)化生產(chǎn)線的出現(xiàn)是光電子行業(yè)開(kāi)始走向成熟的標(biāo)志和發(fā)展的必然。光電器件下一代光傳送網(wǎng)的基本特征是超大容量，從各種復(fù)用技術(shù)的發(fā)展?fàn)顩r看，密集波分復(fù)用（DWDM）被認(rèn)為是擴(kuò)大網(wǎng)絡(luò)容量和提高其靈活性的***途徑。采用DWDM可以使容量迅速地?cái)U(kuò)大數(shù)十倍至數(shù)百倍。由于市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)和技術(shù)突破的影響，波分復(fù)用系統(tǒng)發(fā)展極為迅速。因此各種新研制的光器件也都或多或少與波分復(fù)用有關(guān)。DWDM的發(fā)展思路一直是追求更高的頻譜效率，一方面提高每個(gè)通道的速率，另一方面增加通道密度。雨花臺(tái)區(qū)大規(guī)模電子元器件
無(wú)錫微原電子科技有限公司匯集了大量的優(yōu)秀人才，集企業(yè)奇思，創(chuàng)經(jīng)濟(jì)奇跡，一群有夢(mèng)想有朝氣的團(tuán)隊(duì)不斷在前進(jìn)的道路上開(kāi)創(chuàng)新天地，繪畫(huà)新藍(lán)圖，在江蘇省等地區(qū)的電子元器件中始終保持良好的信譽(yù)，信奉著“爭(zhēng)取每一個(gè)客戶不容易，失去每一個(gè)用戶很簡(jiǎn)單”的理念，市場(chǎng)是企業(yè)的方向，質(zhì)量是企業(yè)的生命，在公司有效方針的領(lǐng)導(dǎo)下，全體上下，團(tuán)結(jié)一致，共同進(jìn)退，**協(xié)力把各方面工作做得更好，努力開(kāi)創(chuàng)工作的新局面，公司的新高度，未來(lái)無(wú)錫微原電子科技供應(yīng)和您一起奔向更美好的未來(lái)，即使現(xiàn)在有一點(diǎn)小小的成績(jī)，也不足以驕傲，過(guò)去的種種都已成為昨日我們只有總結(jié)經(jīng)驗(yàn)，才能繼續(xù)上路，讓我們一起點(diǎn)燃新的希望，放飛新的夢(mèng)想！
