光電器件下一代光傳送網(wǎng)的基本特征是超大容量,從各種復用技術(shù)的發(fā)展狀況看,密集波分復用(DWDM)被認為是擴大網(wǎng)絡(luò)容量和提高其靈活性的***途徑。采用DWDM可以使容量迅速地擴大數(shù)十倍至數(shù)百倍。由于市場驅(qū)動和技術(shù)突破的影響,波分復用系統(tǒng)發(fā)展極為迅速。因此各種新研制的光器件也都或多或少與波分復用有關(guān)。DWDM的發(fā)展思路一直是追求更高的頻譜效率,一方面提高每個通道的速率,另一方面增加通道密度。在速率上,商用系統(tǒng)大多為2.5Gbit/s或10Gbit/s,更高速率的40Gbit/s系統(tǒng)正在實用化,預計到2004年開始商業(yè)應用,一些電信公司如阿爾卡特的實驗室已進行了160Gbit/s的傳輸實驗醫(yī)療設(shè)備:心電圖機、超聲儀器通過傳感器、運算放大器采集并處理生理信號。宿遷常見電子元器件銷售廠家

變?nèi)荻O管是根據(jù)普通二極管內(nèi)部“PN結(jié)”的結(jié)電容能隨外加反向電壓的變化而變化這一原理專門設(shè)計出來的一種特殊二極管。變?nèi)荻O管在無繩電話機中主要用在手機或座機的高頻調(diào)制電路上,實現(xiàn)低頻信號調(diào)制到高頻信號上,并發(fā)射出去。在工作狀態(tài),變?nèi)荻O管調(diào)制電壓一般加到負極上,使變?nèi)荻O管的內(nèi)部結(jié)電容容量隨調(diào)制電壓的變化而變化。變?nèi)荻O管發(fā)生故障,主要表現(xiàn)為漏電或性能變差:(1)發(fā)生漏電現(xiàn)象時,高頻調(diào)制電路將不工作或調(diào)制性能變差。(2)變?nèi)菪阅茏儾顣r,高頻調(diào)制電路的工作不穩(wěn)定,使調(diào)制后的高頻信號發(fā)送到對方被對方接收后產(chǎn)生失真。出現(xiàn)上述情況之一時,就應該更換同型號的變?nèi)荻O管。泰州新型電子元器件推薦貨源基礎(chǔ)元件:電阻、電容、電感、電位器、連接器、散熱器。

憑借優(yōu)越的科學技術(shù)所發(fā)明的集成電路使研究者有了更先進的工具,進而產(chǎn)生了許多更為先進的技術(shù)。這些先進的技術(shù)有進一步促使更高性能、更廉價的集成電路的出現(xiàn)。對電子器件來說,體積越小,集成度越高;響應時間越短,計算處理的速度就越快;傳送頻率就越高,傳送的信息量就越大。半導體工業(yè)和半導體技術(shù)被稱為現(xiàn)代工業(yè)的基礎(chǔ),同時也已經(jīng)發(fā)展稱為一個相對**的高科技產(chǎn)業(yè)。 [1]電子分類一、元件:工廠在加工時沒改變原材料分子成分的產(chǎn)品可稱為元件。
由于社會發(fā)展的需要,電子裝置變的越來越復雜,這就要求了電子裝置必須具有可靠性、速度快、消耗功率小以及質(zhì)量輕、小型化、成本低等特點。自20世紀50年代提出集成電路的設(shè)想后,由于材料技術(shù)、器件技術(shù)和電路設(shè)計等綜合技術(shù)的進步,在20世紀60年代研制成功了***代集成電路。在半導體發(fā)展史上。集成電路的出現(xiàn)具有劃時代的意義:它的誕生和發(fā)展推動了銅芯技術(shù)和計算機的進步,使科學研究的各個領(lǐng)域以及工業(yè)社會的結(jié)構(gòu)發(fā)生了歷史性變革。傳感器與執(zhí)行器:溫度傳感器、壓力傳感器、加速度計、電機。

6 負溫度系數(shù)熱敏電阻(NTC)的檢測。(1)、測量標稱電阻值Rt 用萬用表測量NTC熱敏電阻的方法與測量普通固定電阻的方法相同,即根據(jù)NTC熱敏電阻的標稱阻值選擇合適的電阻擋可直接測出Rt的實際值。但因NTC熱敏電阻對溫度很敏感,故測試時應注意以下幾點:A Rt是生產(chǎn)廠家在環(huán)境溫度為25℃時所測得的,所以用萬用表測量Rt時,亦應在環(huán)境溫度接近25℃時進行,以保證測試的可信度。B 測量功率不得超過規(guī)定值,以免電流熱效應引起測量誤差。C 注意正確操作。測試時,不要用手捏住熱敏電阻體,以防止人體溫度對測試產(chǎn)生影響。晶體管:用于放大和開關(guān)電流的半導體元件,是現(xiàn)代電子設(shè)備。泰州新型電子元器件推薦貨源
小型化與集成化:集成電路向超大規(guī)模發(fā)展,推動電子設(shè)備向更輕、更薄方向演進。宿遷常見電子元器件銷售廠家
5 正溫度系數(shù)熱敏電阻(PTC)的檢測。檢測時,用萬用表R×1擋,具體可分兩步操作:A 常溫檢測(室內(nèi)溫度接近25℃);將兩表筆接觸PTC熱敏電阻的兩引腳測出其實際阻值,并與標稱阻值相對比,二者相差在±2Ω內(nèi)即為正常。實際阻值若與標稱阻值相差過大,則說明其性能不良或已損壞。B 加溫檢測;在常溫測試正常的基礎(chǔ)上,即可進行第二步測試—加溫檢測,將一熱源(例如電烙鐵)靠近PTC熱敏電阻對其加熱,同時用萬用表監(jiān)測其電阻值是否隨溫度的升高而增大,如是,說明熱敏電阻正常,若阻值無變化,說明其性能變劣,不能繼續(xù)使用。注意不要使熱源與PTC熱敏電阻靠得過近或直接接觸熱敏電阻,以防止將其燙壞。宿遷常見電子元器件銷售廠家
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