江蘇雙柵極MOSFET中國(guó)

導(dǎo)通電阻是衡量MOSFET性能的指標(biāo)之一，它直接決定了器件的通態(tài)損耗和溫升。芯技MOSFET在導(dǎo)通電阻的優(yōu)化上不遺余力，通過(guò)改良單元結(jié)構(gòu)和工藝制程，實(shí)現(xiàn)了同類產(chǎn)品中的Rds(on)值。對(duì)于低壓應(yīng)用，我們的產(chǎn)品導(dǎo)通電阻可低至毫歐級(jí)別，能降低電源路徑上的功率損耗，提升電池續(xù)航時(shí)間。而對(duì)于高壓應(yīng)用，我們通過(guò)引入電荷平衡技術(shù)，在保持高耐壓的同時(shí)，大幅降低了傳統(tǒng)高壓MOSFET固有的高導(dǎo)通電阻問(wèn)題。選擇芯技MOSFET，意味著您選擇的是一種對(duì)能效的追求，我們每一款產(chǎn)品的數(shù)據(jù)手冊(cè)都提供了詳盡的Rds(on)與柵極電壓、結(jié)溫的關(guān)系曲線，助力您進(jìn)行精細(xì)的熱設(shè)計(jì)和系統(tǒng)優(yōu)化。這款產(chǎn)品采用緊湊封裝，適合空間受限的應(yīng)用場(chǎng)景。江蘇雙柵極MOSFET中國(guó)

隨著汽車(chē)電動(dòng)化、智能化浪潮的推進(jìn)，車(chē)載系統(tǒng)對(duì)功率MOSFET的需求呈爆發(fā)式增長(zhǎng)。芯技MOSFET正積極布局AEC-Q101認(rèn)證體系，我們的產(chǎn)品旨在滿足發(fā)動(dòng)機(jī)管理系統(tǒng)、電動(dòng)水泵、燃油泵、LED車(chē)燈驅(qū)動(dòng)、電池管理系統(tǒng)等各類12V/24V平臺(tái)應(yīng)用。我們嚴(yán)格遵循汽車(chē)電子的開(kāi)發(fā)流程，對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行零缺陷管理，確保其在-40℃至150℃的極端溫度范圍內(nèi)性能穩(wěn)定。針對(duì)新能源汽車(chē)的部件，如OBC和DC-DC轉(zhuǎn)換器，我們正在開(kāi)發(fā)符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的車(chē)規(guī)級(jí)芯技MOSFET，以迎接未來(lái)的市場(chǎng)挑戰(zhàn)。安徽高頻MOSFET現(xiàn)貨我們持續(xù)改進(jìn)MOS管的制造工藝。

開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)領(lǐng)域?qū)β势骷膭?dòng)態(tài)特性有著嚴(yán)格要求。我們?yōu)榇祟悜?yīng)用專門(mén)開(kāi)發(fā)的MOS管產(chǎn)品，在開(kāi)關(guān)過(guò)程中展現(xiàn)出較為平滑的波形過(guò)渡特性，這種特性有助于降低切換瞬間產(chǎn)生的電壓電流應(yīng)力，對(duì)改善系統(tǒng)電磁兼容性表現(xiàn)具有積極意義。同時(shí)，我們特別關(guān)注器件在持續(xù)工作狀態(tài)下的熱管理表現(xiàn)，其封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)充分考慮了散熱路徑的優(yōu)化，能夠?qū)?nèi)部產(chǎn)生的熱量有效地傳導(dǎo)至外部散熱系統(tǒng)或印制電路板。這樣的設(shè)計(jì)考量使得MOS管在長(zhǎng)期運(yùn)行條件下能夠保持溫度穩(wěn)定，為電源系統(tǒng)的可靠運(yùn)行提供保障。

在氮化鎵和碳化硅等寬禁帶半導(dǎo)體迅猛發(fā)展的當(dāng)下，傳統(tǒng)的硅基MOSFET依然在其優(yōu)勢(shì)領(lǐng)域擁有強(qiáng)大的生命力。芯技MOSFET的戰(zhàn)略定位清晰：在中低壓、高性價(jià)比、高可靠性的應(yīng)用領(lǐng)域持續(xù)深耕，同時(shí)我們也密切關(guān)注寬禁帶技術(shù)的發(fā)展。我們相信，在未來(lái)很長(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi)，硅基MOSFET與寬禁帶器件將是互補(bǔ)共存的關(guān)系。芯技MOSFET將持續(xù)優(yōu)化其性能，特別是在導(dǎo)通電阻與成本控制上，為那些不需要極端頻率和溫度，但極度關(guān)注成本和供應(yīng)鏈穩(wěn)定性的客戶提供比較好選擇。您是否在尋找一款供貨穩(wěn)定的MOS管？

全球各地的能效法規(guī)日趨嚴(yán)格，對(duì)電源和電機(jī)系統(tǒng)的效率要求不斷提高。這要求功率半導(dǎo)體廠商必須持續(xù)進(jìn)行技術(shù)創(chuàng)新。芯技MOSFET的研發(fā)路線圖始終與全球能效標(biāo)準(zhǔn)同步演進(jìn)，我們正致力于開(kāi)發(fā)下一代導(dǎo)通電阻更低、開(kāi)關(guān)速度更快、品質(zhì)因數(shù)更優(yōu)的產(chǎn)品。我們積極參與到客戶應(yīng)對(duì)未來(lái)能效挑戰(zhàn)的設(shè)計(jì)中，通過(guò)提供符合能效標(biāo)準(zhǔn)的芯技MOSFET，幫助客戶的終端產(chǎn)品輕松滿足如80 PLUS鈦金、ErP等嚴(yán)苛的能效認(rèn)證要求，在全球市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中保持。歡迎咨詢，技術(shù)支持指導(dǎo)。車(chē)規(guī)級(jí)MOS管產(chǎn)品，通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證，滿足汽車(chē)電子嚴(yán)苛要求。浙江貼片MOSFET逆變器

規(guī)范的標(biāo)識(shí)，方便您進(jìn)行物料管理。江蘇雙柵極MOSFET中國(guó)

優(yōu)異的芯片性能需要強(qiáng)大的封裝技術(shù)來(lái)支撐和釋放。芯技MOSFET提供從傳統(tǒng)的TO-220、TO-247到先進(jìn)的DFN5x6、QFN8x8等多種封裝形式，以滿足不同應(yīng)用對(duì)空間、散熱和功率密度的要求。我們的先進(jìn)封裝采用了低熱阻的焊接材料和裸露的散熱焊盤(pán)，能夠?qū)⑿酒a(chǎn)生的熱量高效地傳導(dǎo)至PCB板，從而降低**結(jié)溫，延長(zhǎng)器件壽命。在大功率應(yīng)用中，我們強(qiáng)烈建議您充分利用芯技MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)中提供的結(jié)到環(huán)境的熱阻參數(shù)，進(jìn)行科學(xué)的熱仿真，并搭配適當(dāng)?shù)纳崞鳎源_保器件始終工作在安全溫度區(qū)內(nèi)，充分發(fā)揮其性能潛力。江蘇雙柵極MOSFET中國(guó)