c、水坑（旋覆浸沒）式顯影（Puddle Development）。噴覆足夠（不能太多，**小化背面濕度）的顯影液到硅片表面，并形成水坑形狀（顯影液的流動保持較低，以減少邊緣顯影速率的變化）。硅片固定或慢慢旋轉。一般采用多次旋覆顯影液：***次涂覆、保持10～30秒、去除；第二次涂覆、保持、去除。然后用去離子水沖洗（去除硅片兩面的所有化學品）并旋轉甩干。優(yōu)點：顯影液用量少；硅片顯影均勻；**小化了溫度梯度。顯影液：a、正性光刻膠的顯影液。正膠的顯影液位堿性水溶液。KOH和NaOH因為會帶來可動離子污染（MIC，Movable Ion Contamination），所以在IC制造中一般不用。方法：真空熱板，85～120C,30～60秒；姑蘇區(qū)本地光刻系統(tǒng)按需定制

光刻是平面型晶體管和集成電路生產(chǎn)中的一個主要工藝。是對半導體晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)進行開孔，以便進行雜質(zhì)的定域擴散的一種加工技術。一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕、檢測等工序。硅片清洗烘干方法：濕法清洗+去離子水沖洗+脫水烘焙（熱板150～250C,1～2分鐘，氮氣保護）目的：a、除去表面的污染物（顆粒、有機物、工藝殘余、可動離子）；b、除去水蒸氣，使基底表面由親水性變?yōu)樵魉?，增強表面的黏附性（對光刻膠或者是HMDS-〉六甲基二硅胺烷）。徐州本地光刻系統(tǒng)按需定制方法：a、氣相成底膜的熱板涂底。HMDS蒸氣淀積，200～250C,30秒鐘；

半導體器件和集成電路對光刻曝光技術提出了越來越高的要求，在單位面積上要求完善傳遞圖像的信息量已接近常規(guī)光學的極限。光刻曝光的常用波長是3650～4358 埃，預計實用分辨率約為1微米。幾何光學的原理，允許將波長向下延伸至約2000埃的遠紫外波長，此時可達到的實用分辨率約為0.5～0.7微米。微米級圖形的光復印技術除要求先進的曝光系統(tǒng)外,對抗蝕劑的特性、成膜技術、顯影技術、超凈環(huán)境控制技術、刻蝕技術、硅片平整度、變形控制技術等也有極高的要求。因此，工藝過程的自動化和數(shù)學模型化是兩個重要的研究方向。

b、堅膜，以提高光刻膠在離子注入或刻蝕中保護下表面的能力；c、進一步增強光刻膠與硅片表面之間的黏附性；d、進一步減少駐波效應（Standing Wave Effect）。常見問題：a、烘烤不足（Underbake）。減弱光刻膠的強度（抗刻蝕能力和離子注入中的阻擋能力）；降低***填充能力（Gapfill Capability for the needle hole）；降低與基底的黏附能力。b、烘烤過度（Overbake）。引起光刻膠的流動，使圖形精度降低，分辨率變差。另外還可以用深紫外線（DUV，Deep Ultra-Violet）堅膜。使正性光刻膠樹脂發(fā)生交聯(lián)形成一層薄的表面硬殼，增加光刻膠的熱穩(wěn)定性。在后面的等離子刻蝕和離子注入（125～200C）工藝中減少因光刻膠高溫流動而引起分辨率的降低。完成圖形的曝光后，用激光曝光硅片邊緣，然后在顯影或特殊溶劑中溶解；

浸沒式光刻機是通過在物鏡與晶圓之間注入超純水，等效縮短光源波長并提升數(shù)值孔徑，從而實現(xiàn)更高分辨率的半導體制造**設備。2024年9月工信部文件顯示，國產(chǎn)氟化氬浸沒式光刻機套刻精度已達到≤8nm水平。該技術研發(fā)涉及浸液系統(tǒng)、光學控制等多項復雜工藝，林本堅團隊在浸液系統(tǒng)領域取得關鍵突破。目前國產(chǎn)ArF光刻機在成熟制程（如28nm）上有應用潛力，但與ASML同類產(chǎn)品仍存在代差 [1]。通過浸液系統(tǒng)在物鏡和晶圓之間填充超純水，將193nm的氟化氬激光等效縮短為134nm波長，同時將數(shù)值孔徑提升至1.35以上，***增強光刻分辨率 [1]。該技術相比干式光刻機，可突破物理衍射極限。光刻膠厚度控片（PhotoResist Thickness MC）：光刻膠厚度測量；徐州本地光刻系統(tǒng)按需定制

關鍵尺寸控片（Critical Dimension MC）：用于光刻區(qū)關鍵尺寸穩(wěn)定性的監(jiān)控；姑蘇區(qū)本地光刻系統(tǒng)按需定制

b、接近式曝光（Proximity Printing）。掩膜板與光刻膠層的略微分開，大約為10～50μm?？梢员苊馀c光刻膠直接接觸而引起的掩膜板損傷。但是同時引入了衍射效應，降低了分辨率。1970后適用，但是其最大分辨率*為2～4μm。c、投影式曝光（Projection Printing）。在掩膜板與光刻膠之間使用透鏡聚集光實現(xiàn)曝光。一般掩膜板的尺寸會以需要轉移圖形的4倍制作。優(yōu)點：提高了分辨率；掩膜板的制作更加容易；掩膜板上的缺陷影響減小。投影式曝光分類：姑蘇區(qū)本地光刻系統(tǒng)按需定制

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