昆山耐用光刻系統(tǒng)量大從優(yōu)

2024年9月工信部發(fā)布的技術指標顯示，國產(chǎn)浸沒式光刻機已實現(xiàn)：1.套刻精度≤8nm [1]2.滿足28nm制程需求 [1]3.具備多重曝光技術適配能力研發(fā)過程中需突破：超純水循環(huán)系統(tǒng)的納米級污染控制高速掃描下的液體湍流抑制光路折射率穩(wěn)定性維持林本堅團隊在浸液系統(tǒng)上的突破 [1]。目前國產(chǎn)ArF浸沒式光刻機：可實現(xiàn)套刻精度≤8nm在28nm節(jié)點具備商業(yè)化應用價值與ASML的TWINSCAN NXT系列相比，平均套刻精度相差約3nm [1]2024年ASML對中國出口浸沒式DUV光刻機的限制政策加速了國產(chǎn)設備信息公開進程 [1]。國產(chǎn)設備的參數(shù)披露被認為是對國際技術封鎖的實質性回應?？ūP顆?？仄–huck Particle MC）：測試光刻機上的卡盤平坦度的芯片，其平坦度要求非常高；昆山耐用光刻系統(tǒng)量大從優(yōu)

EUV光刻采用波長為10-14納米的極紫外光作為光源，可使曝光波長一下子降到13.5nm,它能夠把光刻技術擴展到32nm以下的特征尺寸。根據(jù)瑞利公式（分辨率=k1·λ/NA），這么短的波長可以提供極高的光刻分辨率。換個角度講，使用193i與EUV光刻機曝同一個圖形，EUV的工藝的k1因子要比193i大。k1越大對應的光刻工藝就越容易；k1的極限是0.25，小于0.25的光刻工藝是不可能的。從32nm半周期節(jié)點開始（對應20nm邏輯節(jié)點），即使使用1.35NA的193nm浸沒式光刻機，k1因子也小于0.25。一次曝光無法分辨32nm半周期的圖形，必須使用雙重光刻技術。使用0.32NA的EUV光刻，即使是11nm半周期的圖形，k1仍然可以大于0.25。南通耐用光刻系統(tǒng)推薦貨源光刻膠涂覆后，在硅片邊緣的正反兩面都會有光刻膠的堆積。

邊緣光刻膠的去除光刻膠涂覆后，在硅片邊緣的正反兩面都會有光刻膠的堆積。邊緣的光刻膠一般涂布不均勻，不能得到很好的圖形，而且容易發(fā)生剝離（Peeling）而影響其它部分的圖形。所以需要去除。方法：a、化學的方法（Chemical EBR）。軟烘后，用PGMEA或EGMEA去邊溶劑，噴出少量在正反面邊緣處，并小心控制不要到達光刻膠有效區(qū)域；b、光學方法（Optical EBR）。即硅片邊緣曝光（WEE，Wafer Edge Exposure）。在完成圖形的曝光后，用激光曝光硅片邊緣，然后在顯影或特殊溶劑中溶解

EUV光刻系統(tǒng)的發(fā)展歷經(jīng)應用基礎研究至量產(chǎn)四個階段，其突破得益于多元主體協(xié)同創(chuàng)新和全產(chǎn)業(yè)鏈資源整合 [3]。截至2024年12月，EUV技術已應用于2nm芯片量產(chǎn)，但仍需優(yōu)化光源和光刻膠性能。下一代技術如納米壓印和定向自組裝正在研發(fā)中 [6]。**光刻系統(tǒng)主要由荷蘭ASML、日本Nikon和Canon壟斷。國內上海微電子裝備股份有限公司研制的紫外光刻機占據(jù)中端市場 [7]?？蒲蓄I域***使用德國SUSS紫外光刻機（占比45%），國產(chǎn)設備在激光直寫設備中表現(xiàn)較好 [8]。連續(xù)噴霧顯影（Continuous Spray Development）/自動旋轉顯影（Auto-rotation Development）。

介紹04:54新型DUV光刻機公布，套刻精度達8納米！與全球前列設備差多少？直接分步重復曝光系統(tǒng) (DSW)  超大規(guī)模集成電路需要有高分辨率、高套刻精度和大直徑晶片加工。直接分步重復曝光系統(tǒng)是為適應這些相互制約的要求而發(fā)展起來的光學曝光系統(tǒng)。主要技術特點是：①采用像面分割原理，以覆蓋比較大芯片面積的單次曝光區(qū)作為**小成像單元，從而為獲得高分辨率的光學系統(tǒng)創(chuàng)造條件。②采用精密的定位控制技術和自動對準技術進行重復曝光，以組合方式實現(xiàn)大面積圖像傳遞，從而滿足晶片直徑不斷增大的實際要求。光刻缺陷控片（PDM，Photo Defect Monitor）：光刻膠缺陷監(jiān)控。昆山耐用光刻系統(tǒng)量大從優(yōu)

b、除去水蒸氣，使基底表面由親水性變?yōu)樵魉?，增強表面的黏附性六甲基二硅胺烷）。昆山耐用光刻系統(tǒng)量大從優(yōu)

英特爾高級研究員兼技術和制造部先進光刻技術總監(jiān)YanBorodovsky在去年說過“針對未來的IC設計，我認為正確的方向是具有互補性的光刻技術。193納米光刻是當前能力**強且**成熟的技術，能夠滿足精確度和成本要求，但缺點是分辨率低。利用一種新技術作為193納米光刻的補充，可能是在成本、性能以及精確度方面的比較好解決方案。補充技術可以是EUV或電子束光刻。” [3]現(xiàn)階段很多公司也在推動納米壓印、無掩膜光刻或一種被稱為自組裝的新興技術。但是EUV光刻仍然被認為是下一代CPU的比較好工藝。昆山耐用光刻系統(tǒng)量大從優(yōu)

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