工業(yè)園區(qū)本地光刻系統(tǒng)量大從優(yōu)

英特爾高級研究員兼技術(shù)和制造部先進光刻技術(shù)總監(jiān)YanBorodovsky在去年說過“針對未來的IC設(shè)計，我認為正確的方向是具有互補性的光刻技術(shù)。193納米光刻是當前能力**強且**成熟的技術(shù)，能夠滿足精確度和成本要求，但缺點是分辨率低。利用一種新技術(shù)作為193納米光刻的補充，可能是在成本、性能以及精確度方面的比較好解決方案。補充技術(shù)可以是EUV或電子束光刻?！?[3]現(xiàn)階段很多公司也在推動納米壓印、無掩膜光刻或一種被稱為自組裝的新興技術(shù)。但是EUV光刻仍然被認為是下一代CPU的比較好工藝。曝光出來的圖形與掩膜板上的圖形分辨率相當，設(shè)備簡單。工業(yè)園區(qū)本地光刻系統(tǒng)量大從優(yōu)

得指出的是，EUV光刻技術(shù)的研發(fā)始于20世紀80年代。**早希望在半周期為70nm的節(jié)點（對應邏輯器件130nm節(jié)點）就能用上EUV光刻機 [1]?？墒?，這一技術(shù)一直達不到晶圓廠量產(chǎn)光刻所需要的技術(shù)指標和產(chǎn)能要求。一拖再拖，直到2016年，EUV光刻機仍然沒能投入量產(chǎn)。晶圓廠不得不使用193nm浸沒式光刻機，依靠雙重光刻的辦法來實現(xiàn)32nm存儲器件、20nm和14nm邏輯器件的生產(chǎn)。不斷延誤，對EUV技術(shù)來說，有利也有弊。一方面，它可以獲得更多的時間來解決技術(shù)問題，提高性能參數(shù)；另一方面，下一個技術(shù)節(jié)點會對EUV提出更高的要求。吳中區(qū)耐用光刻系統(tǒng)量大從優(yōu)影響光刻膠均勻性的參數(shù)：旋轉(zhuǎn)加速度，加速越快越均勻；與旋轉(zhuǎn)加速的時間點有關(guān)。

浸沒式光刻技術(shù)所面臨的挑戰(zhàn)主要有：如何解決曝光中產(chǎn)生的氣泡和污染等缺陷的問題；研發(fā)和水具有良好的兼容性且折射率大于1．8的光刻膠的問題；研發(fā)折射率較大的光學鏡頭材料和浸沒液體材料；以 及 有 效 數(shù) 值 孔 徑NA值 的 拓 展 等 問題。針 對 這 些 難 題 挑 戰(zhàn)，國 內(nèi) 外 學 者 以 及ASML，Nikon和IBM等公 司已 經(jīng) 做 了 相 關(guān) 研 究并提出相應的對策。浸沒式光刻機將朝著更高數(shù)值孔徑發(fā)展，以滿足更小光刻線寬的要求。 [1]提高光刻技術(shù)分辨率的傳統(tǒng)方法是增大鏡頭的NA或縮 短 波 長，通 常 首 先 采 用 的 方 法 是 縮 短 波長。

電子束光刻基本上分兩大類，一類是大生產(chǎn)光掩模版制造的電子束曝光系統(tǒng)，另一類是直接在基片上直寫納米級圖形的電子束光刻系統(tǒng)。電子束光刻技術(shù)起源于掃描電鏡，**早由德意志聯(lián)邦共和國杜平根大學的G．Mollenstedt等人在20世紀60年代提出。電子束曝光的波長取決于電子能量，電子能量越高，曝光的波長越短，大 體在10－6nm量級上，因而電子束光刻不受衍射極限的影響，所以電子束光刻可獲得接近于原子尺寸的分辨率。但是，由于電子束入射到抗蝕劑及基片上時，電子會與固體材料的原子發(fā)生“碰撞”產(chǎn)生電子散射現(xiàn)象，包括前散射和背散射電子，這些散射電子同樣也參與“曝光”，前散射電子波及范圍可在幾十納米，從基片上返回抗蝕劑中背散射電子可波及到幾十微米之遠。EUV光刻系統(tǒng)的發(fā)展歷經(jīng)應用基礎(chǔ)研究至量產(chǎn)四個階段，其突破得益于多元主體協(xié)同創(chuàng)新和全產(chǎn)業(yè)鏈資源整合 [3]。

為把193i技術(shù)進一步推進到32和22nm的技術(shù)節(jié)點上，光刻**一直在尋找新的技術(shù)，在沒有更好的新光刻技術(shù)出現(xiàn)前，兩次曝光技術(shù)（或者叫兩次成型技術(shù)，DPT）成為人們關(guān) 注 的 熱 點。ArF浸沒式兩次曝光技術(shù)已被業(yè)界認為是32nm節(jié)點相當有競爭力的技術(shù)；在更低的22nm節(jié)點甚至16nm節(jié)點技術(shù)中，浸沒式 光刻技術(shù)也 具 有相當大 的優(yōu)勢。01:23新哥聊芯片:13.光刻機的數(shù)值孔徑浸沒式光刻技術(shù)所面臨的挑戰(zhàn)主要有：如何解決曝光中產(chǎn)生的氣泡和污染等缺陷的問題；研發(fā)和水具有良好的兼容性且折射率大于1．8的光刻膠的問題；研發(fā)折射率較大的光學鏡頭材料和浸沒液體材料；以 及 有 效 數(shù) 值 孔 徑NA值 的 拓 展 等 問題。針 對 這 些 難 題 挑 戰(zhàn)，國 內(nèi) 外 學 者 以 及ASML，Nikon和IBM等公 司已 經(jīng) 做 了 相 關(guān) 研 究并提出相應的對策。浸沒式光刻機將朝著更高數(shù)值孔徑發(fā)展，以滿足更小光刻線寬的要求。下一代技術(shù)如納米壓印和定向自組裝正在研發(fā)中 [6]。蘇州銷售光刻系統(tǒng)量大從優(yōu)

激發(fā)化學增強光刻膠的PAG產(chǎn)生的酸與光刻膠上的保護基團發(fā)生反應并移除基團使之能溶解于顯影液。工業(yè)園區(qū)本地光刻系統(tǒng)量大從優(yōu)

制造掩模版，比較靈活。但由于其曝光效率低，主要用于實驗室小樣品納米制造。而電子束曝光要適應大批量生產(chǎn)，如何進一步提高曝光速度是個難題。為了解決電子束光刻的效率問題，通常將其與其他光刻技術(shù)配合使用。例如為解決曝光效率問題，通常采用電子束光刻與光學光刻進行匹配與混合光刻的辦法，即大部分曝光工藝仍然采用現(xiàn)有十分成熟的半導體光學光刻工藝制備，只有納米尺度的圖形或者工藝層由電子束光刻實現(xiàn)。在傳統(tǒng)光學光刻技術(shù)逼近工藝極限的情況下，電子束光刻技術(shù)將有可能出現(xiàn)在與目前193i為**的光學曝光技術(shù)及EUV技術(shù)相匹配的混合光刻中，在實現(xiàn)10nm級光刻中起重要的作用。工業(yè)園區(qū)本地光刻系統(tǒng)量大從優(yōu)

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