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由于電容部件260、262和264包括位于絕緣溝槽上的導(dǎo)體-電介質(zhì)-導(dǎo)體堆疊,因此該芯片的表面積相對于其電容部件位于絕緣溝槽之間的芯片的表面積減小。電容部件260可以用于高電壓,例如,大于10v的量級。這種高電壓例如對應(yīng)于存儲器單元的編程。電容部件262可以用于平均電壓,例如,在從0v至,例如5v。這樣的平均電壓例如對應(yīng)于數(shù)字電路的邏輯級別。電容部件264可以用于低電壓,例如,在0v至。這種低電壓對應(yīng)于濾波應(yīng)用,例如去耦,諸如電力供應(yīng)電壓的去耦,或無線電接收。對于相同的電容值,由于電容部件的電介質(zhì)厚度小,它們占據(jù)的表面積就越小。因此,對于部件264,可以獲得大于從12ff/μm2至20ff/μm2的量級的電容值。推薦地,部件264的電容值大于18ff/μm2的量級。因此,與*包括適于高電壓和/或平均電壓的電容部件的芯片相比,芯片的電容部件占據(jù)的表面積減小。此外,電容部件262和264位于溝槽的絕緣體106上,這些電容部件比如下電容部件更能夠過濾射頻:該電容部件直接位于諸如半導(dǎo)體襯底之類的導(dǎo)體上;或者該電容部件與這樣的導(dǎo)體通過厚度小于絕緣體106厚度的絕緣體分離。在上述方法中,可以省略一個或多個部分c1、c2、c3、m1、t2和t3。上海哪里有芯片引腳整形機配件模塊化設(shè)計支持快速更換定位夾具與整形梳,10分鐘內(nèi)切換生產(chǎn)型號,滿足多品種批量需求。

本公開一般涉及電子裝置,并且特別是電子集成電路芯片的電容部件和包括這種電容部件的電子芯片。背景技術(shù):電子集成電路芯片通常包括晶體管和/或存儲器單元。這種芯片通常還包括電容部件。技術(shù)實現(xiàn)要素:根據(jù)本實用新型,可以克服制造過程復(fù)雜等技術(shù)問題,有助于實現(xiàn)以下***:簡化電容部件的制造步驟并且減小其所占用的結(jié)構(gòu)空間。實施例提供了一種電容部件,包括半導(dǎo)體襯底;在所述半導(dǎo)體襯底中的溝槽;與***溝槽豎直排列的氧化硅層;以及包括溝槽以及與溝槽豎直排列的***氧化硅層的***部分和包括多晶硅或非晶硅的第二導(dǎo)電層和第三導(dǎo)電層的***部分,***層的***部分位于第二層和第三層的***部分之間并與第二層和第三層的***部分接觸。根據(jù)某些實施例,***導(dǎo)電層與所述第二導(dǎo)電層豎直排列地定位。根據(jù)某些實施例,第二層的***部分與第三層的***部分豎直排列地定位。根據(jù)某些實施例,氧化硅層與所述***導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層形成堆疊。根據(jù)某些實施例,***層、第二層和第三層的***部分形成堆疊。根據(jù)某些實施例,氧化硅層的側(cè)面以及所述***導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層的側(cè)面對應(yīng)于所述堆疊的側(cè)面。根據(jù)某些實施例,***層、第二層和第三層的***部分的側(cè)面對應(yīng)于所述堆疊的側(cè)面。
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