寬禁帶半導體應用對電感提出哪些新要求？

蘇州谷景電子有限公司2025-12-30

碳化硅與氮化鎵器件開關頻率可達MHz級別，要求電感具有更低損耗與更好高頻特性。傳統(tǒng)鐵氧體磁芯在高頻下?lián)p耗劇增，需改用低損耗磁材（如金屬復合磁粉）。繞組需采用多股絞線或平面繞組以減少集膚效應。同時，電感需優(yōu)化結構以降低寄生電容，避免高頻振蕩。這些改進能充分發(fā)揮寬禁帶半導體高效、高功率密度優(yōu)勢。

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