如何測試 MOS 管的性能？

深圳市阿賽姆電子有限公司2025-02-16

測試 MOS 管性能可以采用多種方法和設(shè)備。首先，可以使用萬用表進(jìn)行初步的簡單測試。將萬用表置于二極管檔，測量 MOS 管的源極和漏極之間的二極管壓降。正常情況下，對于 N 溝道 MOS 管，紅表筆接源極，黑表筆接漏極時(shí)，會顯示一個(gè)類似二極管導(dǎo)通的壓降值（一般在 0.5 - 1V 左右），反接時(shí)應(yīng)顯示無窮大。這可以初步判斷 MOS 管的源漏極是否正常，以及是否存在短路或開路情況。然后，使用專門的 MOS 管測試儀可以精確測量其各項(xiàng)參數(shù)。測試儀可以測量閾值電壓（Vth），通過逐漸增加?xùn)艠O電壓，當(dāng)漏極電流達(dá)到一定值（如 1μA）時(shí)，此時(shí)的柵極電壓即為閾值電壓。還可以測量導(dǎo)通電阻（RDS (on)），在 MOS 管導(dǎo)通狀態(tài)下，通過施加一定的漏極電流，測量源極和漏極之間的電壓降，根據(jù)歐姆定律計(jì)算出導(dǎo)通電阻。此外，測試儀還能測量跨導(dǎo)（gm），即漏極電流的變化量與柵極電壓變化量的比值，反映 MOS 管的放大能力。對于高頻性能，需要使用高頻信號發(fā)生器和示波器等設(shè)備，測量 MOS 管的開關(guān)時(shí)間、上升沿和下降沿等參數(shù)，評估其在高頻應(yīng)用中的性能表現(xiàn)。

本回答由 深圳市阿賽姆電子有限公司 提供