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MOSFET的擊穿電壓BVDSS如何定義？

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深圳市芯技科技有限公司2025-06-23

測試條件：I_D=250μA時V_DS值，芯技標(biāo)注BVDSS@T_j=25/150℃

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簡介：深圳市芯技科技有限公司專注于保護(hù)器件、MOSFET和二三極管等產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于消費電子等多個領(lǐng)域。

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深圳市芯技科技有限公司 2025-06-25

正溫度系數(shù)：ΔBVDSS/ΔT≈0.1%/℃，芯技器件175℃時BVDSS升10%

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深圳市芯技科技有限公司 2025-06-27

設(shè)計余量：實際工作電壓≤80% BVDSS，芯技車規(guī)產(chǎn)品預(yù)留30%冗余

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