電子元器件漏電失效時，如何檢測二氧化硅層中的可動正離子？

江蘇天鼎檢測科技有限公司2025-10-11

江蘇天鼎檢測科技有限公司針對半導體器件漏電問題，建立了“C-V特性測試-TDDB加速試驗-SIMS深度剖析”分析鏈。以某MOSFET器件閾值電壓漂移案例為例，團隊首先通過HP4156半導體參數(shù)分析儀測量C-V特性曲線，發(fā)現(xiàn)界面態(tài)密度異常；隨后在125℃下進行TDDB（時間依賴介質(zhì)擊穿）加速試驗，結合SIMS二次離子質(zhì)譜儀檢測到二氧化硅層中鈉離子濃度達1×1012atoms/cm2；較終通過優(yōu)化清洗工藝，使漏電流從10??A降至10?12A以下。天鼎檢測還配備了Keithley4200SCS參數(shù)分析儀、Agilent4155C半導體測試系統(tǒng)等設備，可完成從納米級薄膜到晶圓級器件的全參數(shù)測試。

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