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      首頁 >  手機通訊 >  哈爾濱多芯MT-FA光組件插損特***為先「上海光織科技供應(yīng)」

      多芯MT-FA光組件基本參數(shù)
      • 品牌
      • 上海光織科技
      • 型號
      • 齊全
      • 類型
      • FFC/FPC
      • 接口類型
      • DisplayPort
      多芯MT-FA光組件企業(yè)商機

      多芯MT-FA的技術(shù)優(yōu)勢在HPC的復(fù)雜計算場景中體現(xiàn)得尤為突出。在AI訓(xùn)練集群中,單臺服務(wù)器可能需同時處理數(shù)千個并行計算任務(wù),這對光互連的時延和帶寬提出極高要求。多芯MT-FA通過集成化設(shè)計,將傳統(tǒng)分立式光連接方案中的多個單獨接口整合為單一組件,不僅減少了物理空間占用,更通過并行傳輸機制將數(shù)據(jù)傳輸時延降低至納秒級。例如,在128節(jié)點HPC集群中,采用多芯MT-FA的800G光模塊可使總帶寬提升至102.4Tbps,較單通道方案提升12倍。此外,其高可靠性設(shè)計通過GR-1435規(guī)范認證,可在-25℃至+70℃工作溫度范圍內(nèi)保持性能穩(wěn)定,滿足HPC系統(tǒng)7×24小時不間斷運行的需求。隨著硅光技術(shù)的融合,多芯MT-FA正逐步向集成化方向發(fā)展,通過將透鏡陣列、隔離器等光學(xué)元件直接集成于組件內(nèi)部,進一步簡化光模塊封裝流程,為HPC系統(tǒng)的大規(guī)模部署提供更高效的解決方案。多芯MT-FA光組件的插芯材料升級,使回波損耗提升至≥65dB水平。哈爾濱多芯MT-FA光組件插損特性

      哈爾濱多芯MT-FA光組件插損特性,多芯MT-FA光組件

      在高性能計算(HPC)領(lǐng)域,多芯MT-FA光組件憑借其高密度并行傳輸特性,已成為突破算力集群帶寬瓶頸的重要器件。以12芯MT-FA為例,其通過陣列排布技術(shù)將12根光纖集成于微型插芯中,配合42.5°端面全反射研磨工藝,可在單模塊內(nèi)實現(xiàn)12路光信號的同步傳輸。這種設(shè)計使光模塊接口密度較傳統(tǒng)方案提升3倍以上,明顯優(yōu)化了HPC系統(tǒng)中服務(wù)器與交換機間的互聯(lián)效率。實驗數(shù)據(jù)顯示,采用多芯MT-FA的400GQSFP-DD光模塊,在2km傳輸距離下可實現(xiàn)低于0.35dB的插入損耗,回波損耗超過60dB,滿足HPC場景對信號完整性的嚴苛要求。其低損耗特性源于高精度V槽加工工藝,V槽pitch公差控制在±0.5μm以內(nèi),確保多芯光纖排列的幾何精度,從而降低耦合過程中的光功率損耗。哈爾濱多芯MT-FA光組件插損特性針對消費電子領(lǐng)域,多芯MT-FA光組件實現(xiàn)AR/VR設(shè)備的光波導(dǎo)耦合。

      哈爾濱多芯MT-FA光組件插損特性,多芯MT-FA光組件

      多芯MT-FA光組件作為高速光通信系統(tǒng)的重要器件,其技術(shù)規(guī)格直接決定了光模塊的傳輸性能與可靠性。該組件采用精密研磨工藝與陣列排布技術(shù),通過將光纖端面研磨為特定角度(如0°、8°、42.5°或45°),實現(xiàn)端面全反射與低損耗光路耦合。其重要結(jié)構(gòu)包含MT插芯與光纖陣列(FA)兩部分:MT插芯支持8/12/16/24/32/48/64/128通道并行傳輸,通道間距公差嚴格控制在±0.5μm以內(nèi),確保多路光信號的均勻性與穩(wěn)定性;FA部分則通過V槽基板固定光纖,支持單模(G657A2/G657B3)、多模(OM3/OM4/OM5)等多種光纖類型,工作波長覆蓋850nm、1310nm、1550nm及1310&1550nm雙波長組合,滿足從100G到1.6T不同速率光模塊的應(yīng)用需求。在光學(xué)性能方面,MT端插入損耗(IL)標準值≤0.70dB,低損耗型號可達≤0.35dB。

      多芯MT-FA光組件作為高速光通信領(lǐng)域的重要器件,其行業(yè)解決方案正通過精密制造工藝與定制化設(shè)計能力,深度賦能數(shù)據(jù)中心、AI算力集群及5G網(wǎng)絡(luò)等場景的升級需求。該組件采用低損耗MT插芯與V形槽基片陣列技術(shù),將多芯光纖以微米級精度嵌入基板,并通過42.5°或特定角度的端面研磨實現(xiàn)光信號的全反射傳輸。這一設(shè)計不僅使單組件支持8至24通道的并行光路耦合,更將插入損耗控制在≤0.35dB、回波損耗提升至≥60dB,確保在400G/800G/1.6T光模塊中實現(xiàn)長距離、高穩(wěn)定性的數(shù)據(jù)傳輸。例如,在AI訓(xùn)練場景下,MT-FA組件可為CPO(共封裝光學(xué))架構(gòu)提供緊湊的內(nèi)部連接方案,通過多芯并行傳輸將光模塊的布線密度提升3倍以上,同時降低30%的系統(tǒng)能耗。其全石英材質(zhì)與耐寬溫特性(-25℃至+70℃)更適配高密度機柜環(huán)境,有效解決傳統(tǒng)光纜在空間受限場景下的散熱與維護難題。多芯 MT-FA 光組件兼容多種光纖類型,增強不同場景下的應(yīng)用靈活性。

      哈爾濱多芯MT-FA光組件插損特性,多芯MT-FA光組件

      在長距傳輸?shù)膶嶋H部署中,多芯MT-FA光組件的技術(shù)優(yōu)勢進一步凸顯。以400G/800G光模塊為例,MT-FA組件通過低損耗MT插芯與模場轉(zhuǎn)換技術(shù)(MFD-FA),支持3.2μm至5.5μm的模場直徑定制,可匹配不同波長(850nm、1310nm、1550nm)與傳輸速率的光信號需求。在跨數(shù)據(jù)中心的長距互聯(lián)場景中,MT-FA組件的并行傳輸能力可減少中繼器使用數(shù)量,例如在100公里級傳輸鏈路中,通過優(yōu)化端面角度與光纖凸出量(精度±0.001μm),可將信號衰減控制在0.2dB/km以內(nèi),較傳統(tǒng)單芯傳輸方案提升30%以上的傳輸效率。同時,其多角度定制能力(支持8°至45°端面研磨)可靈活適配不同光路設(shè)計,例如在相干光通信系統(tǒng)中,MT-FA組件的42.5°全反射結(jié)構(gòu)能有效抑制偏振模色散(PMD),使長距傳輸?shù)恼`碼率(BER)降低至10?12以下。在光模塊老化測試中,多芯MT-FA光組件的MTBF超過50萬小時。哈爾濱多芯MT-FA光組件插損特性

      多芯 MT-FA 光組件通過精密設(shè)計,降低光信號在傳輸過程中的損耗。哈爾濱多芯MT-FA光組件插損特性

      隨著AI算力需求向1.6T時代演進,多芯MT-FA光組件的技術(shù)創(chuàng)新正推動數(shù)據(jù)中心互聯(lián)向更高效、更靈活的方向發(fā)展。針對相干光通信場景,保偏型MT-FA組件通過維持光波偏振態(tài)穩(wěn)定,將相干接收靈敏度提升至-31dBm,使得長距離傳輸?shù)恼`碼率控制在10^-15量級。在并行光學(xué)技術(shù)領(lǐng)域,新型48芯MT插芯結(jié)構(gòu)已實現(xiàn)單組件24路雙向傳輸,配合環(huán)形器集成設(shè)計,光纖使用量減少50%,系統(tǒng)成本降低40%。這種技術(shù)突破在超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心中表現(xiàn)尤為突出——某典型案例顯示,采用定制化MT-FA組件的光互聯(lián)系統(tǒng),可在1U機架空間內(nèi)實現(xiàn)12.8Tbps的聚合帶寬,較傳統(tǒng)方案密度提升8倍。更值得關(guān)注的是,隨著硅光集成技術(shù)的成熟,MT-FA組件與激光器芯片的混合封裝方案已進入量產(chǎn)階段,該技術(shù)通過將FA陣列直接鍵合在硅基光電子芯片表面,消除了傳統(tǒng)插拔式連接帶來的信號衰減,使光模塊的能效比達到0.1pJ/bit。這些技術(shù)演進不僅支撐了云計算、大數(shù)據(jù)等傳統(tǒng)場景的升級,更為自動駕駛、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等新興應(yīng)用提供了實時、可靠的光傳輸基礎(chǔ),推動數(shù)據(jù)中心互聯(lián)從連接基礎(chǔ)設(shè)施向智能算力樞紐轉(zhuǎn)型。哈爾濱多芯MT-FA光組件插損特性

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