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      首頁(yè) >  手機(jī)通訊 >  青海三維光子芯片多芯MT-FA光互連架構(gòu) 客戶至上「上海光織科技供應(yīng)」

      三維光子互連芯片基本參數(shù)
      • 品牌
      • 光織
      • 型號(hào)
      • 齊全
      三維光子互連芯片企業(yè)商機(jī)

      三維光子互連技術(shù)與多芯MT-FA光連接器的融合,正在重塑芯片級(jí)光通信的物理架構(gòu)。傳統(tǒng)電子互連受限于銅線傳輸?shù)碾娮钃p耗與電磁干擾,在3nm制程時(shí)代已難以滿足AI芯片間T比特級(jí)數(shù)據(jù)傳輸需求。而三維光子互連通過(guò)垂直堆疊光子器件與波導(dǎo)結(jié)構(gòu),構(gòu)建了立體化的光信號(hào)傳輸網(wǎng)絡(luò)。這種架構(gòu)突破二維平面布局的物理限制,使光子器件密度提升3-5倍,同時(shí)通過(guò)垂直耦合器實(shí)現(xiàn)層間光信號(hào)的無(wú)損傳輸。多芯MT-FA作為該體系的重要接口,采用42.5°端面研磨工藝與低損耗MT插芯,在800G/1.6T光模塊中實(shí)現(xiàn)12-24通道的并行光連接。其V槽pitch公差控制在±0.3μm以內(nèi),配合紫外膠水OG198-54的精密粘接,確保多芯光纖的陣列精度達(dá)到亞微米級(jí)。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)顯示,這種結(jié)構(gòu)在2304通道并行傳輸時(shí),單比特能耗可低至50fJ,較傳統(tǒng)電子互連降低82%,而帶寬密度突破5.3Tb/s/mm2,為AI訓(xùn)練集群的算力擴(kuò)展提供了關(guān)鍵支撐。量子計(jì)算領(lǐng)域,三維光子互連芯片為量子比特間的高效通信搭建橋梁。青海三維光子芯片多芯MT-FA光互連架構(gòu)

      青海三維光子芯片多芯MT-FA光互連架構(gòu),三維光子互連芯片

      多芯MT-FA光組件的三維光子耦合方案是突破高速光通信系統(tǒng)帶寬瓶頸的重要技術(shù),其重要在于通過(guò)三維空間光路設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)多芯光纖與光芯片的高效耦合。傳統(tǒng)二維平面耦合受限于光芯片表面平整度與光纖陣列排布精度,導(dǎo)致耦合損耗隨通道數(shù)增加呈指數(shù)級(jí)上升。而三維耦合方案通過(guò)在垂直于光芯片平面的方向引入微型反射鏡陣列或棱鏡結(jié)構(gòu),將水平傳輸?shù)墓饽J睫D(zhuǎn)換為垂直方向耦合,使多芯光纖的纖芯與光芯片波導(dǎo)實(shí)現(xiàn)單獨(dú)、低損耗的垂直對(duì)接。例如,采用5個(gè)三維微型反射鏡組成的聚合物陣列,通過(guò)激光直寫(xiě)技術(shù)精確控制反射鏡的曲面形貌與空間排布,可實(shí)現(xiàn)各通道平均耦合損耗低于4dB,工作波長(zhǎng)帶寬超過(guò)100納米,且兼容CMOS工藝與波分復(fù)用技術(shù)。這種設(shè)計(jì)不僅解決了高密度通道間的串?dāng)_問(wèn)題,還通過(guò)三維堆疊結(jié)構(gòu)將光模塊體積縮小40%以上,為800G/1.6T光模塊的小型化提供了關(guān)鍵支撐。青海三維光子芯片多芯MT-FA光互連架構(gòu)在面對(duì)大規(guī)模數(shù)據(jù)處理時(shí),三維光子互連芯片的高帶寬和低延遲特點(diǎn),能夠確保數(shù)據(jù)的快速傳輸和處理。

      青海三維光子芯片多芯MT-FA光互連架構(gòu),三維光子互連芯片

      三維光子互連系統(tǒng)的架構(gòu)創(chuàng)新進(jìn)一步放大了多芯MT-FA的技術(shù)效能。通過(guò)將光子器件層(含激光器、調(diào)制器、探測(cè)器)與電子芯片層進(jìn)行3D異質(zhì)集成,系統(tǒng)可構(gòu)建垂直耦合的光波導(dǎo)網(wǎng)絡(luò),實(shí)現(xiàn)光信號(hào)在三維空間內(nèi)的精確路由。這種結(jié)構(gòu)使光路徑長(zhǎng)度縮短60%以上,傳輸延遲降至皮秒級(jí),同時(shí)通過(guò)波分復(fù)用(WDM)與偏振復(fù)用技術(shù)的協(xié)同,單根多芯光纖的傳輸容量可擴(kuò)展至1.6Tbps。在制造工藝層面,原子層沉積(ALD)技術(shù)被用于制備共形薄層介質(zhì)膜,確保深寬比20:1的微型TSV(硅通孔)實(shí)現(xiàn)無(wú)缺陷銅填充,從而將垂直互連密度提升至每平方毫米10^4個(gè)通道。實(shí)際應(yīng)用中,該系統(tǒng)已驗(yàn)證在800G光模塊中支持20公里單模光纖傳輸,誤碼率低于10^-12,且在-40℃至85℃寬溫范圍內(nèi)保持性能穩(wěn)定。更值得關(guān)注的是,其模塊化設(shè)計(jì)支持光路動(dòng)態(tài)重構(gòu),通過(guò)軟件定義光網(wǎng)絡(luò)(SDN)技術(shù)可實(shí)時(shí)調(diào)整波長(zhǎng)分配與通道配置,為AI訓(xùn)練集群、超級(jí)計(jì)算機(jī)等高并發(fā)場(chǎng)景提供靈活的帶寬資源調(diào)度能力。這種技術(shù)演進(jìn)方向正推動(dòng)光通信從連接通道向智能傳輸平臺(tái)轉(zhuǎn)型,為6G通信、量子計(jì)算等未來(lái)技術(shù)奠定物理層基礎(chǔ)。

      標(biāo)準(zhǔn)化進(jìn)程的推進(jìn),需解決三維多芯MT-FA在材料、工藝與測(cè)試環(huán)節(jié)的技術(shù)協(xié)同難題。在材料層面,全石英基板與耐高溫環(huán)氧樹(shù)脂的復(fù)合應(yīng)用,使光連接組件能適應(yīng)-40℃至85℃的寬溫工作環(huán)境,同時(shí)降低熱膨脹系數(shù)差異導(dǎo)致的應(yīng)力開(kāi)裂風(fēng)險(xiǎn)。工藝方面,高精度研磨技術(shù)將光纖端面角度控制在42.5°±0.5°范圍內(nèi),配合低損耗MT插芯的鍍膜處理,使反射率優(yōu)于-55dB,滿足高速信號(hào)傳輸?shù)目垢蓴_需求。測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)則聚焦于多通道同步監(jiān)測(cè),通過(guò)引入光學(xué)頻域反射計(jì)(OFDR),可實(shí)時(shí)檢測(cè)48芯通道的插損、回?fù)p及偏振依賴損耗(PDL),確保每一路光信號(hào)的傳輸質(zhì)量。當(dāng)前,行業(yè)正推動(dòng)建立覆蓋設(shè)計(jì)、制造、驗(yàn)收的全鏈條標(biāo)準(zhǔn)體系,例如規(guī)定三維MT-FA的垂直堆疊層間對(duì)齊誤差需小于1μm,以避免通道間串?dāng)_。這些標(biāo)準(zhǔn)的實(shí)施,將加速光模塊從400G向1.6T及更高速率的迭代,同時(shí)推動(dòng)三維光子芯片在超級(jí)計(jì)算機(jī)、6G通信等領(lǐng)域的規(guī)?;瘧?yīng)用。三維光子互連芯片的高效互聯(lián)能力,將為設(shè)備間的數(shù)據(jù)交換提供有力支持。

      青海三維光子芯片多芯MT-FA光互連架構(gòu),三維光子互連芯片

      三維芯片傳輸技術(shù)對(duì)多芯MT-FA的工藝精度提出了嚴(yán)苛要求,推動(dòng)著光組件制造向亞微米級(jí)控制演進(jìn)。在三維堆疊場(chǎng)景中,多芯MT-FA的V槽加工精度需達(dá)到±0.5μm,光纖端面角度偏差需控制在±0.5°以內(nèi),以確保與TSV垂直通道的精確對(duì)準(zhǔn)。為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo),制造流程中引入了雙光束干涉測(cè)量與原子力顯微鏡(AFM)檢測(cè)技術(shù),可實(shí)時(shí)修正研磨過(guò)程中的角度偏差。同時(shí),針對(duì)三維堆疊產(chǎn)生的熱應(yīng)力問(wèn)題,多芯MT-FA采用低熱膨脹系數(shù)(CTE)的玻璃基板與柔性粘接劑,使組件在-25℃至+70℃溫變范圍內(nèi)的通道偏移量小于0.1μm。在光信號(hào)耦合方面,三維傳輸架構(gòu)要求多芯MT-FA具備動(dòng)態(tài)校準(zhǔn)能力,通過(guò)集成微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)傾斜鏡,可實(shí)時(shí)調(diào)整各通道的光軸對(duì)齊度。這種設(shè)計(jì)在相干光通信測(cè)試中表現(xiàn)出色,當(dāng)應(yīng)用于1.6T光模塊時(shí),多芯MT-FA的通道均勻性(ChannelUniformity)優(yōu)于0.2dB,滿足AI集群對(duì)大規(guī)模并行傳輸?shù)姆€(wěn)定性需求。隨著三維集成技術(shù)的成熟,多芯MT-FA正從數(shù)據(jù)中心擴(kuò)展至自動(dòng)駕駛激光雷達(dá)、量子計(jì)算光互連等新興領(lǐng)域,成為突破摩爾定律限制的關(guān)鍵光子學(xué)解決方案。工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)發(fā)展中,三維光子互連芯片保障設(shè)備間高速、低延遲數(shù)據(jù)交互。拉薩多芯MT-FA光組件三維芯片互連標(biāo)準(zhǔn)

      三維光子互連芯片在通信帶寬上實(shí)現(xiàn)了質(zhì)的飛躍,滿足了高速數(shù)據(jù)處理的需求。青海三維光子芯片多芯MT-FA光互連架構(gòu)

      高性能多芯MT-FA光組件的三維集成方案通過(guò)突破傳統(tǒng)二維平面布局的物理限制,實(shí)現(xiàn)了光信號(hào)傳輸密度與系統(tǒng)可靠性的雙重提升。該方案以多芯光纖陣列(Multi-FiberTerminationFiberArray)為重要載體,通過(guò)精密研磨工藝將光纖端面加工成特定角度,結(jié)合低損耗MT插芯實(shí)現(xiàn)端面全反射,使多路光信號(hào)在毫米級(jí)空間內(nèi)完成并行傳輸。與傳統(tǒng)二維布局相比,三維集成技術(shù)通過(guò)層間耦合器將不同波導(dǎo)層的光信號(hào)進(jìn)行垂直互聯(lián),例如采用倏逝波耦合器或3D波導(dǎo)耦合器實(shí)現(xiàn)層間光場(chǎng)的高效轉(zhuǎn)換,明顯提升了單位面積內(nèi)的通道數(shù)量。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)顯示,采用三維堆疊技術(shù)的MT-FA組件可在800G光模塊中實(shí)現(xiàn)12通道并行傳輸,通道間距壓縮至0.25mm,較傳統(tǒng)方案提升40%的集成度。同時(shí),通過(guò)飛秒激光直寫(xiě)技術(shù)對(duì)玻璃基板進(jìn)行三維微納加工,可精確控制V槽(V-Groove)的深度與角度公差,確保多芯光纖的定位精度優(yōu)于±0.5μm,從而降低插入損耗至0.2dB以下,滿足AI算力集群對(duì)長(zhǎng)距離、高負(fù)荷數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆€(wěn)定性要求。青海三維光子芯片多芯MT-FA光互連架構(gòu)

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