企業(yè)商機
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28、頂板頂板是在凹?;蚰K內活動的板狀零件,以向上動作直接或間接頂出工(序)件或廢料。29、齒圈齒圈是精沖凹?;驇X壓料板上的成圈齒形突起,是凹?;驇X壓料板的局部結構而不是單獨的零件。30、限位套...
集成電路制造中利用光學- 化學反應原理和化學、物理刻蝕方法,將電路圖形傳遞到單晶表面或介質層上,形成有效圖形窗口或功能圖形的工藝技術。隨著半導體技術的發(fā)展,光刻技術傳遞圖形的尺寸限度縮小了2~3個數量...
由于193nm沉浸式工藝的延伸性非常強,同時EUV技術耗資巨大進展緩慢。EUV(極紫外線光刻技術)是下一代光刻技術(<32nm節(jié)點的光刻技術)。它是采用波長為13.4nm的軟x射線進行光刻的技術。EU...
兩種工藝常規(guī)光刻技術是采用波長為2000~4500埃的紫外光作為圖像信息載體,以光致抗蝕劑為中間(圖像記錄)媒介實現圖形的變換、轉移和處理,**終把圖像信息傳遞到晶片(主要指硅片)或介質層上的一種工藝...
按接口C型鏡頭法蘭焦距是安裝法蘭到入射鏡頭平行光的匯聚點之間的距離。法蘭焦距為17.526mm或0.690in。安裝羅紋為:直徑1in,32牙.in。鏡頭可以用在長度為0.512in (13mm)以內...
善的評價莫過于MTF (Modulation Transfer Function)。但是由于像差(標定的原因),鏡頭的每個范圍都有一個MTF值。這些范圍指的是:(1)近軸部分,(2)離軸部分,(3)當...
③縮短圖像傳遞鏈,減少工藝上造成的缺陷和誤差,可獲得很高的成品率。④采用精密自動調焦技術,避免高溫工藝引起的晶片變形對成像質量的影響。⑤采用原版自動選擇機構(版庫),不但有利于成品率的提高,而且成為能...
手動光圈變焦鏡頭焦距可變的,有一個焦距調整環(huán),可以在一定范圍內調整鏡頭的焦距,其可變比一般為2 ~3倍,焦距一般為3.6~8mm。實際應用中,可通過手動調節(jié)鏡頭的變焦環(huán),可以方便地選擇被監(jiān)視地市場的市...
邊緣光刻膠的去除光刻膠涂覆后,在硅片邊緣的正反兩面都會有光刻膠的堆積。邊緣的光刻膠一般涂布不均勻,不能得到很好的圖形,而且容易發(fā)生剝離(Peeling)而影響其它部分的圖形。所以需要去除。方法:a、化...
以適用于35毫米單鏡頭反光照相機的交換鏡頭為例,魚眼鏡頭是一種焦距約在6-16毫米之間的短焦距超廣角攝影鏡頭,“魚眼鏡頭”是它的俗稱。為使鏡頭達到比較大的攝影視角,這種攝影鏡頭的前鏡片直徑且呈拋物狀向...
使用長焦鏡頭拍攝時,測光比較好采用機內TTL測光方式。因為,普通的入射式或反射式測光表的受光角往往大于鏡頭視角,直接按測光表數值曝光會出現偏差 [6]。1、使用較高快門速度高速快門可以降低或避免相機抖...
CS型鏡頭With a 5 mm adapter ring, a C lens can be used on a CS-mount camera.U型鏡頭一種可變焦距的鏡頭,其法蘭焦距為47.526m...
46、墊板墊板是介于固定板(或凹模)與模座間的淬硬板狀零件,用以減低模座承受的單位壓縮應力。A.每使用1500-2000小時維護保養(yǎng)應執(zhí)行項目:1.滑潤油脂吐出油量及壓力檢知功能測試與調整.2.空氣系...
46、墊板墊板是介于固定板(或凹模)與模座間的淬硬板狀零件,用以減低模座承受的單位壓縮應力。A.每使用1500-2000小時維護保養(yǎng)應執(zhí)行項目:1.滑潤油脂吐出油量及壓力檢知功能測試與調整.2.空氣系...
舉例來說,對某一確定的被攝體,水平方向需要200個像素才能再現其細節(jié),如果成像寬度為10mm,則光學分辨率為20線/mm的鏡頭就能勝任,如果成像寬度為1mm,則要求鏡頭的光學分辨率必須在200線/毫米...
掃描投影曝光(Scanning Project Printing)。70年代末~80年代初,〉1μm工藝;掩膜板1:1,全尺寸;步進重復投影曝光(Stepping-repeating Project ...
廣角鏡頭又稱短鏡頭。攝影輔助鏡頭的一種。鏡頭焦距***地小于像場直徑(底片對角線長度),約為6~35毫米;視角大于標準鏡頭,約為53°以上直至220°。相對口徑一般較小。廣角透鏡在十九世紀六十年代快直...
現代學者的共識是該機械是在希臘語使用區(qū)域制造,所有機械上組件的文字都是通用希臘語。一種假說認為,該機械是在希臘當時的天文和機械工程中心羅德島上的斯多亞學派學者波希多尼制造,而天文學家喜帕恰斯參與了設計...
現代學者的共識是該機械是在希臘語使用區(qū)域制造,所有機械上組件的文字都是通用希臘語。一種假說認為,該機械是在希臘當時的天文和機械工程中心羅德島上的斯多亞學派學者波希多尼制造,而天文學家喜帕恰斯參與了設計...
準分子光刻技術作為當前主流的光刻技術,主要包括:特征尺寸為0.1μm的248 nm KrF準分子激光技術;特征尺寸為90 nm的193 nm ArF準分子激光技術;特征尺寸為65 nm的193 nm ...
光刻是平面型晶體管和集成電路生產中的一個主要工藝。是對半導體晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)進行開孔,以便進行雜質的定域擴散的一種加工技術。一般的光刻工藝要經歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、...
此前人們認為該裝置是古希臘人使用的一種計算器,用來描繪天空中行星的運行軌跡,以幫助當時的人識別方向。然而,科學家們現在**了這部裝置表面破損的銘文后發(fā)現,它實際上是用來研究**的。安提基特拉機械裝置是...
28、頂板頂板是在凹模或模塊內活動的板狀零件,以向上動作直接或間接頂出工(序)件或廢料。29、齒圈齒圈是精沖凹模或帶齒壓料板上的成圈齒形突起,是凹?;驇X壓料板的局部結構而不是單獨的零件。30、限位套...
在拍攝廣闊的大場面時,攝影者一般都依靠廣角鏡頭焦距短,表現的景物景深長的特點,將從近到遠的整個景物都納入清晰表現的范圍。此外,用廣角鏡頭拍攝時,如果同時采用較小的光圈,則景物的景深就會變得更長。例如,...
EUV光刻采用波長為10-14納米的極紫外光作為光源,可使曝光波長一下子降到13.5nm,它能夠把光刻技術擴展到32nm以下的特征尺寸。根據瑞利公式(分辨率=k1·λ/NA),這么短的波長可以提供極高...
● 儀表盤面為MPa刻度值直接讀取● 精度等級0.25% 0.4%● 雙層鏡面表盤● 設有度盤調零裝置● 鐵噴塑表殼● 銅合金內機部件● 測量范圍-0.1至60MPa 外型尺寸示意圖精密壓力表的測量范...
光學變焦是通過鏡頭、物體和焦點三方的位置發(fā)生變化而產生的。當成像面在水平方向運動的時候,視覺和焦距就會發(fā)生變化,更遠的景物變得更清晰,讓人感覺像物體遞進的感覺。顯而易見,要改變視角必然有兩種辦法,一種...
選購廣角數碼相機時除了要注意相機的整體性能外,還需要著重考察其鏡頭表現。鏡頭畸變情況是我們首先需要考慮的因素。一般來說廣角下拍攝更容易產生畸變,但不同的相機所拍攝的照片變形的程度也不同,總體而言畸變越...
1971年,當時是耶魯大學科學史**阿瓦隆講座教授的普萊斯和希臘德謨克利特國家科學研究中心的核物理學家哈拉蘭伯斯·卡拉卡洛斯合作。卡拉卡洛斯使用伽馬射線和X射線對安提基特拉機械攝影,得知了其內部配置的...
浸沒式光刻技術所面臨的挑戰(zhàn)主要有:如何解決曝光中產生的氣泡和污染等缺陷的問題;研發(fā)和水具有良好的兼容性且折射率大于1.8的光刻膠的問題;研發(fā)折射率較大的光學鏡頭材料和浸沒液體材料;以 及 有 效 數 ...
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