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內(nèi)存顆粒封裝是內(nèi)存芯片所采用的封裝技術(shù)類型,通過包裹芯片避免外界損害,主要形式包括DIP、TSOP、BGA等。
到了上個世紀(jì)80年代,內(nèi)存第二代的封裝技術(shù)TSOP出現(xiàn),得到了業(yè)界廣の泛的認(rèn)可,時至今の日仍舊是內(nèi)存封裝的主流技術(shù)。TSOP是“Thin Small Outline Package”的縮寫,意思是薄型小尺寸封裝。TSOP內(nèi)存是在芯片的周圍做出引腳,采用SMT技術(shù)(表面安裝技術(shù))直接附著在PCB板的表面。TSOP封裝外形尺寸時,寄生參數(shù)(電流大幅度變化時,引起輸出電壓擾動) 減小,適合高頻應(yīng)用,操作比較方便,可靠性也比較高。同時TSOP封裝具有成品率高,價格便宜等優(yōu)點,因此得到了極為廣泛的應(yīng)用。TSOP封裝方式中,內(nèi)存芯片是通過芯片引腳焊接在PCB板上的,焊點和PCB板的接觸面積較小,使得芯片向PCB辦傳熱就相對困難。而且TSOP封裝方式的內(nèi)存在超過150MHz后,會產(chǎn)品較大的信號干擾和電磁干擾。 深圳東芯科達(dá)的內(nèi)存顆粒生產(chǎn)環(huán)節(jié)采用科學(xué)管理流程,從原材料篩選到成品檢測,全程嚴(yán)格把控品質(zhì)。四川含稅內(nèi)存顆粒

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三星、SK 海力士、美光等行業(yè)巨頭持續(xù)深耕,1α/1β 納米工藝不斷突破,MRAM 等新型介質(zhì)加速迭代,讓內(nèi)存顆粒在 “高密度、低功耗、高帶寬” 的道路上持續(xù)精進(jìn)。選擇優(yōu)の質(zhì)內(nèi)存顆粒,就是選擇流暢不卡頓的使用體驗,選擇穩(wěn)定可靠的數(shù)字保障,選擇與前沿科技同步的生活方式。
小顆粒,大能量。內(nèi)存顆粒以技術(shù)為刃,劃破性能邊界;以品質(zhì)為基,支撐數(shù)字未來。無論是提升個人設(shè)備體驗,還是賦能產(chǎn)業(yè)技術(shù)升級,它都在默默釋放核の心動力,讓每一次數(shù)據(jù)流轉(zhuǎn)都更快、更穩(wěn)、更高效 —— 這就是內(nèi)存顆粒的力量,定義數(shù)字體驗的新高度! 西藏內(nèi)存顆粒AI體育場館的計分設(shè)備可使用深圳東芯科達(dá)的內(nèi)存顆粒,用于存儲比賽數(shù)據(jù),確保計分準(zhǔn)確、實時更新。

深圳東芯科達(dá)科技有限公司,一起了解下內(nèi)存顆粒(DRAM 顆粒)與存儲顆粒(NAND 顆粒)。
存儲顆粒(NAND Flash)的核の心應(yīng)用場景
1. 消費(fèi)級存儲:兼顧容量、速度與成本
*消費(fèi)級 SSD(固態(tài)硬盤):主導(dǎo)產(chǎn)品為 3D TLC 顆粒,容量覆蓋 1TB-4TB,接口支持 SATA 或 NVMe 協(xié)議(NVMe 協(xié)議可充分釋放性能),適配 PC、筆記本、游戲主機(jī),用于系統(tǒng)安裝、文件存儲、游戲加載,相比機(jī)械硬盤大幅提升讀寫速度(順序讀取速度可達(dá) 3500MB/s 以上)。
*移動設(shè)備存儲:采用 eMMC 或 UFS 封裝的小型化存儲顆粒,適配智能手機(jī)、平板電腦、智能手表等便攜設(shè)備,兼顧低功耗、小體積與足量存儲,支撐系統(tǒng)運(yùn)行、照片視頻存儲、APP 安裝等需求。
2. 行業(yè)級存儲:側(cè)重耐久性與高性能
*企業(yè)級存儲設(shè)備:選用 3D MLC/SLC 顆粒,具備高 P/E 次數(shù)(10 萬次以上)、高 IOPS(每秒輸入輸出操作數(shù))和低延遲特性,適配數(shù)據(jù)中心、金融機(jī)構(gòu)、大型企業(yè)的核の心存儲系統(tǒng),用于關(guān)鍵業(yè)務(wù)數(shù)據(jù)存儲、備份與快速檢索,保障業(yè)務(wù)連續(xù)性。
*邊緣計算 / AIoT 設(shè)備:采用低功耗、小容量(16GB-128GB)存儲顆粒,適配智能家居設(shè)備、智能攝像頭、邊緣網(wǎng)關(guān)、傳感器等,滿足設(shè)備長效待機(jī)、數(shù)據(jù)本地緩存與離線處理需求,支撐 AIoT 生態(tài)的輕量化運(yùn)行。
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內(nèi)存顆粒分為原廠(major brand或者簡稱major,打印芯片原廠商標(biāo))/白片/次品(downgraded)。
“白片”又可以細(xì)分為ett、utt以及其他更差的等級。在正規(guī)市場上交易的一般就是major、ett、utt這幾種。utt名字是untested就是未經(jīng)測試,但實際上**基本的物理測試還是做的,而ett名為effectively tested,就是通過有效性測試的顆粒,測試工序比utt多了不少,質(zhì)量也要強(qiáng)不少。但是它們都沒有經(jīng)過原廠major顆粒那樣的嚴(yán)酷測試。
原廠顆粒一般要在測試時通過物理條件來模擬顆粒在惡劣環(huán)境下長時間工作幾年老化以后的情況(但不會使顆粒真的老化),能通過這種測試的顆粒當(dāng)然能夠保證長時間使用的穩(wěn)定性。只有這樣的顆粒,才有資格打上原廠標(biāo)。 深圳東芯科達(dá)的內(nèi)存顆粒質(zhì)保政策明確,在質(zhì)保期內(nèi)出現(xiàn)非人為質(zhì)量問題,可享受維修或更換服務(wù)。

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內(nèi)存顆粒CSP封裝形式:
CSP(Chip Scale Package),是芯片級封裝的意思。CSP封裝蕞新一代的內(nèi)存芯片封裝技術(shù),其技術(shù)性能又有了新的提升。CSP封裝可以讓芯片面積與封裝面積之比超過1:1.14,已經(jīng)相當(dāng)接近1:1的理想情況,絕の對尺寸也只有32平方毫米,約為普通的BGA的1/3,相當(dāng)于TSOP內(nèi)存芯片面積的1/6。與BGA封裝相比,同等空間下CSP封裝可以將存儲容量提高三倍。
CSP封裝內(nèi)存不但體積小,同時也更薄,其金屬基板到散熱體的蕞有效散熱路徑只有0.2毫米,大の大提高了內(nèi)存芯片在長時間運(yùn)行后的可靠性,線路阻抗顯の著減小,芯片速度也隨之得到大幅度提高。
CSP封裝內(nèi)存芯片的中心引腳形式有效地縮短了信號的傳導(dǎo)距離,其衰減隨之減少,芯片的抗干擾、抗噪性能也能得到大幅提升,這也使得CSP的存取時間比BGA改善15%-20%。在CSP的封裝方式中,內(nèi)存顆粒是通過一個個錫球焊接在PCB板上,由于焊點和PCB板的接觸面積較大,所以內(nèi)存芯片在運(yùn)行中所產(chǎn)生的熱量可以很容易地傳導(dǎo)到PCB板上并散發(fā)出去。CSP封裝可以從背面散熱,且熱效率良好,CSP的熱阻為35℃/W,而TSOP熱阻40℃/W。 深圳東芯科達(dá)的內(nèi)存顆??筛鶕?jù)用戶需求配置容量,從幾百M(fèi)B到幾十GB不等,適配不同存儲場景。浙江企業(yè)級SSD內(nèi)存顆粒AI
深圳東芯科達(dá)的內(nèi)存顆粒產(chǎn)品適用于電腦、筆記本、手機(jī)、平板、安防、智能家居、機(jī)器人等領(lǐng)域。四川含稅內(nèi)存顆粒
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內(nèi)存顆粒的場景細(xì)分:高の端游戲 / 超頻:海力士 A-Die 顆粒(6400-8800MHz)適配 Z790/X670 主板,滿足極の致性能需求;主流辦公 / 創(chuàng)作:海力士 M-Die(6000-6400MHz)、長鑫顆粒(4800-6000MHz)平衡性能與價格;服務(wù)器 / 數(shù)據(jù)中心:高容量(32Gb/64Gb)、高可靠性顆粒,支持多通道并行傳輸;汽車電子 / 工業(yè)控制:寬溫域、長壽命顆粒,通過車規(guī)級認(rèn)證,適配 ADAS、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備。
存儲顆粒的場景覆蓋消費(fèi)級 SSD:TLC 顆粒主導(dǎo),兼顧容量(1TB-4TB)與成本,適配 PC、筆記本;企業(yè)級存儲:MLC/SLC 顆粒,高 P/E 次數(shù)(10 萬次以上),支持?jǐn)?shù)據(jù)中心 7×24 小時運(yùn)行;移動設(shè)備:eMMC/UFS 封裝的存儲顆粒,小型化設(shè)計適配手機(jī)、平板;邊緣計算:低功耗存儲顆粒,滿足 AIoT 設(shè)備長效運(yùn)行需求。 四川含稅內(nèi)存顆粒
深圳市東芯科達(dá)科技有限公司是一家有著先進(jìn)的發(fā)展理念,先進(jìn)的管理經(jīng)驗,在發(fā)展過程中不斷完善自己,要求自己,不斷創(chuàng)新,時刻準(zhǔn)備著迎接更多挑戰(zhàn)的活力公司,在廣東省等地區(qū)的數(shù)碼、電腦中匯聚了大量的人脈以及**,在業(yè)界也收獲了很多良好的評價,這些都源自于自身的努力和大家共同進(jìn)步的結(jié)果,這些評價對我們而言是比較好的前進(jìn)動力,也促使我們在以后的道路上保持奮發(fā)圖強(qiáng)、一往無前的進(jìn)取創(chuàng)新精神,努力把公司發(fā)展戰(zhàn)略推向一個新高度,在全體員工共同努力之下,全力拼搏將共同和您一起攜手走向更好的未來,創(chuàng)造更有價值的產(chǎn)品,我們將以更好的狀態(tài),更認(rèn)真的態(tài)度,更飽滿的精力去創(chuàng)造,去拼搏,去努力,讓我們一起更好更快的成長!
***深圳東芯科達(dá)科技有限公司*** 內(nèi)存顆粒的類型與技術(shù)演進(jìn) - 內(nèi)存顆粒主要分為兩類:? 1. DDR SDRAM?:主流類型,通過雙倍數(shù)據(jù)傳輸提升速率,已迭代至DDR5,頻率突破4000MHz,帶寬提升且功耗降低。?? 2. SGRAM?:專為圖形處理設(shè)計,高帶寬支持快速數(shù)據(jù)讀寫,但逐漸被新型顯存取代。?? - 技術(shù)演進(jìn)聚焦于:? * 容量提升?:單顆顆粒從16Gb增至32Gb,支持單條256GB內(nèi)存。? * 工藝革新?:SK海力士采用1bnm工藝,功耗降低18%;長鑫存儲通過3D堆疊提升存儲密度。? * 低時序優(yōu)化?:如CL28時序設(shè)...