江蘇點陣參數(shù)精確測量XRD衍射儀

X射線反射率測定引言X射線反射率（XRR：X-RayReflectivity）是一種表面表征技術(shù)，是利用X射線在不同物質(zhì)表面或界面的反射線之間的干涉現(xiàn)象分析薄膜或多層膜結(jié)構(gòu)的工具。通過分析XRR圖譜(圖1)可以確定各層薄膜的密度、膜厚、粗糙度等結(jié)構(gòu)參數(shù)。XRR的特點：1無損檢測2對樣品的結(jié)晶狀態(tài)沒有要求，不論是單晶膜、多晶膜還是非晶膜均可以進行測試3XRR適用于納米薄膜，要求厚度小于500nm4晶面膜，表面粗糙度一般不超過5nm5多層膜之間要求有密度差在DIFFRAC.SAXS中，對EIGER2 R 500K通過2D模式手機的NIST SRM 8011 9nm金納米顆粒進行粒度分析。江蘇點陣參數(shù)精確測量XRD衍射儀

RuO2薄膜掠入射XRD-GID引言薄膜材料就是厚度介于一個納米到幾個微米之間的單層或者多層材料。由于厚度比較薄，薄膜材通常依附于一定的襯底材料之上。常規(guī)的XRD測試，X射線的穿透深度一般在幾個微米到幾十個微米，這遠遠大于薄膜的厚度，導致薄膜的信號會受到襯底的影響（圖1）。另外，如果衍射簡單較高，那么X射線只能輻射到部分樣品，無法利用整個樣品的體積，衍射信號弱。薄膜掠入射衍射（GID：GrazingIncidenceX-RayDiffraction）很好的解絕了以上問題。所謂掠入射是指使X射線以非常小小的入射角（＜5°）照射到薄膜上，小的入射角大大減小了在薄膜中的穿透深度，同時增加衍射顆粒的數(shù)目和x射線在薄膜中的光程。這里有兩點說明：GID需要硬件配置；常規(guī)GID只適合多晶薄膜和非晶薄膜，不適合單晶外延膜。南京x射線檢測分析EIGER2 R 250K和500K是將Synchrotron性能帶入實驗室X射線衍射的2D檢測器。

D8DISCOVER是旗艦款多功能X射線衍射儀，帶有諸多前沿技術(shù)組件。它專為在環(huán)境條件下和非環(huán)境條件下，對從粉末、非晶和多晶材料到外延多層薄膜等各種材料進行結(jié)構(gòu)表征而設(shè)計。應用范圍：1.定性相分析和定量相分析、結(jié)構(gòu)測定和精修、微應變和微晶尺寸分析2.X射線反射法、掠入射衍射（GID）、面內(nèi)衍射、高分辨率XRD、GISAXS、GI應力分析、晶體取向分析3.殘余應力分析、織構(gòu)和極圖、微區(qū)X射線衍射、廣角X射線散射（WAXS）4.總散射分析：Bragg衍射、對分布函數(shù)（PDF）、小角X射線散射（SAXS）

D2PHASER所具備的數(shù)據(jù)質(zhì)量和數(shù)據(jù)采集速度遠超目前人們對臺式XRD系統(tǒng)的認知。緊湊輕便的外形和易于使用的設(shè)計，十分便于移動，您無需準備復雜的基礎(chǔ)框架、大而笨重的工作臺，也無需供應商前來安裝和調(diào)整，只需準備標準的電源插座，然后花費幾分鐘的時間，即可完成從拆包到獲得分析結(jié)果的過程。D2PHASERXE-T版D2PHASER配備了獨特的LYNXEYEXE-T探測器，已然成為同類更好的選擇！小于380eV的能量分辨率使其支持的數(shù)字單色器模式，可有效去除——不必要的輻射，如樣品熒光，Kβ輻射以及軔致輻射——背景散射，而不會明顯降低檢測速度?？偵⑸浞治觯築ragg衍射、對分布函數(shù)（PDF）、小角X射線散射（SAXS）。

X射線衍射（XRD）和反射率是對薄層結(jié)構(gòu)樣品進行無損表征的重要方法。D8DISCOVER和DIFFRAC.SUITE軟件將有助于您使用常見的XRD方法輕松進行薄膜分析：掠入射衍射（GID）：晶相表面靈敏識別及結(jié)構(gòu)性質(zhì)測定，包括微晶尺寸和應變。X射線反射率測量（XRR）：用于提取從簡單的基底到高度復雜的超晶格結(jié)構(gòu)等多層樣品的厚度、材料密度和界面結(jié)構(gòu)信息。高分辨率X射線衍射（HRXRD）：用于分析外延生長結(jié)構(gòu)：層厚度、應變、弛豫、鑲嵌、混合晶體的成分分析。應力和織構(gòu)（擇優(yōu)取向）分析。候選材料鑒別（PMI） 為常見，這是因為對其原子結(jié)構(gòu)十分靈敏，而這無法通過元素分析技術(shù)實現(xiàn)。重慶檢測XRD衍射儀

D8D為藥品的整個生命周期提供支持，包括結(jié)構(gòu)測定、候選材料鑒別、配方定量和非環(huán)境穩(wěn)定性測試。江蘇點陣參數(shù)精確測量XRD衍射儀

那么,碳晶體的晶胞參數(shù)可直接用來表征其石墨化度。XRD法利用石墨的晶格常數(shù)計算石墨化度G[1]：式中：0.3440為完全非石墨化炭的(002)晶面間距，nm；0.3354為理想石墨晶體的(002)晶面間距，nm。為實際石墨試樣（002）晶面間距，nm。實例不同石墨的石墨化度為了準確的確定值或(002)峰的峰位，需要在樣品中加入內(nèi)標以校準。本文根據(jù)QJ2507-93[2]規(guī)范，用硅作為內(nèi)標物，加入待測石墨樣品中，在瑪瑙研缽中混合研磨均勻。石墨及其復合材料具有高溫下不熔融、導電導熱性能好以及化學穩(wěn)定性優(yōu)異等特點，應用于冶金、化工、航空航天等行業(yè)。特別是近年來鋰電池的快速發(fā)展，進一步加大了石墨材料的需求。工業(yè)上常將碳原料經(jīng)過煅燒破碎、焙燒、高溫石墨化處理來獲取高性能人造石墨材料。石墨的質(zhì)量對電池的性能有很大影響，石墨化度是一種從結(jié)構(gòu)上表征石墨質(zhì)量的方法之一。江蘇點陣參數(shù)精確測量XRD衍射儀