上海掠入射檢測分析

XRD檢測納米二氧化鈦晶粒尺寸引言納米材料的性能往往和其晶粒大小有關(guān)，而X射線衍射是測定納米材料晶尺寸的有效方法之一。晶粒尺寸Dhkl(可理解為一個(gè)完整小單晶的大小)可通過謝樂公示計(jì)算Dhkl：晶粒尺寸，垂直于晶面hkl方向β:hkl晶面的半高寬（或展寬）θ：hkl晶面的bragg角度λ：入射X光的波長，一般Cu靶為1.54埃K：常數(shù)（晶粒近似為球形，K=0.89；其他K=1）ADVANCE采用了開放式設(shè)計(jì)并具有不受約束的模塊化特性的同時(shí)，將用戶友好性、操作便利性以及安全操作性發(fā)揮得淋漓盡致，這就是布魯克DAVINCI設(shè)計(jì)D8D對地質(zhì)構(gòu)造研究，借助μXRD，哪怕是很小的包裹體定性相分析和結(jié)構(gòu)測定都不在話下。上海掠入射檢測分析

對分布函數(shù)（PDF）分析是一種分析技術(shù)，它基于Bragg以及漫散射（“總散射”），提供無序材料的結(jié)構(gòu)信息。其中，您可以通過Bragg衍射峰，了解材料的平均晶體結(jié)構(gòu)的信息（即長程有序），通過漫散射，表征其局部結(jié)構(gòu)（即短程有序）。就分析速度、數(shù)據(jù)質(zhì)量以及對非晶、弱晶型、納米晶或納米結(jié)構(gòu)材料的分析結(jié)果而言，D8ADVANCE和TOPAS軟件市面上性能好的PDF分析解決方案：相鑒定結(jié)構(gòu)測定和精修納米粒度和形狀。由于具有出色的適應(yīng)能力，使用D8ADVANCE，您就可對所有類型的樣品進(jìn)行測量：從液體到粉末、從薄膜到固體塊狀物。無論是新手用戶還是專業(yè)用戶，都可簡單快捷、不出錯(cuò)地對配置進(jìn)行更改。這都是通過布魯克獨(dú)特的DAVINCI設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)的：配置儀器時(shí)，免工具、免準(zhǔn)直，同時(shí)還受到自動(dòng)化的實(shí)時(shí)組件識別與驗(yàn)證的支持。南京倒空間檢測分析在DIFFRAC.EVA中，進(jìn)行半定量分析，以現(xiàn)實(shí)孔板上不同相的濃度。

汽車和航空航天：配備了UMC樣品臺的D8D的一大優(yōu)勢就是可以對大型機(jī)械零件進(jìn)行殘余應(yīng)力和結(jié)構(gòu)分析以及殘余奧氏體或高溫合金表征。半導(dǎo)體與微電子：從過程開發(fā)到質(zhì)量控制，D8D可以對亞毫米至300mm大小的樣品進(jìn)行結(jié)構(gòu)表征。制藥業(yè)篩選：新結(jié)構(gòu)測定以及多晶篩選是藥物開發(fā)的關(guān)鍵步驟，對此，D8D具有高通量篩選功能。儲能/電池：使用D8D,您將能在原位循環(huán)條件下測試電池材料，直接了當(dāng)?shù)墨@取不斷變化的儲能材料的晶體結(jié)構(gòu)和相組方面的信息。

粉煤灰中晶態(tài)礦相及非晶相定量分析引言粉煤灰，是從煤燃燒后的煙氣中收捕下來的細(xì)灰，粉煤灰是燃煤電廠排出的主要固體廢物。粉煤灰是我國當(dāng)前排量較大的工業(yè)廢渣之一。大量的粉煤灰不加處理，就會(huì)產(chǎn)生揚(yáng)塵，污染大氣；若排入水系會(huì)造成河流淤塞，而其中的有毒化學(xué)物質(zhì)還會(huì)對人體和生物造成危害。所以，粉煤灰的再利用一直都是關(guān)注的熱點(diǎn)。比如，已用于制水泥及制各種輕質(zhì)建材等。要合理高效的利用粉煤灰，則需要對其元素和礦相組成有詳細(xì)的了解。粉煤灰的礦相主要莫來石、石英以及大量的非晶態(tài)。利用XRD測定非晶態(tài)通常采用加入特定含量的標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)以精確的計(jì)算非晶相物質(zhì)的含量。在實(shí)驗(yàn)室中這個(gè)方法是可行的，但在實(shí)際生產(chǎn)和快速檢測過程中，這個(gè)方法就現(xiàn)實(shí)。目前一種全新的PONKS（PartialOrNoKnowCrystalStructure）方法*，解決了這一難題，實(shí)現(xiàn)了粉煤灰樣品的無標(biāo)樣定量分析。利用布魯克樣品臺，能精確地操縱樣品。根據(jù)所需自由度和樣品尺寸選合適的卡口安裝式樣品臺和落地式樣品臺。

對分布函數(shù)分析對分布函數(shù)（PDF）分析是一種分析技術(shù)，它基于Bragg衍射以及漫散射（“總散射”），提供無序材料的結(jié)構(gòu)信息。其中，您可以通過Bragg衍射峰，了解材料的平均晶體結(jié)構(gòu)的信息（即長程有序），通過漫散射，表征其局部結(jié)構(gòu)（即短程有序）。就分析速度、數(shù)據(jù)質(zhì)量以及對非晶、弱晶型、納米晶或納米結(jié)構(gòu)材料的分析結(jié)果而言，D8ADVANCE和TOPAS軟件是目前市面上性能較好的PDF分析解決方案：相鑒定結(jié)構(gòu)測定和精修納米粒度和形狀?？诎惭b式Eulerian托架可支持多種應(yīng)用，如應(yīng)力、織構(gòu)和外延膜分析，包括在非環(huán)境條件下。安徽全新XRD衍射儀

在DIFFRAC.LEPTOS中，對多層樣品進(jìn)行XRR分析，測定其薄膜厚度、晶格失配和混合晶體濃度。上海掠入射檢測分析

RuO2薄膜掠入射XRD-GID引言薄膜材料就是厚度介于一個(gè)納米到幾個(gè)微米之間的單層或者多層材料。由于厚度比較薄，薄膜材通常依附于一定的襯底材料之上。常規(guī)的XRD測試，X射線的穿透深度一般在幾個(gè)微米到幾十個(gè)微米，這遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于薄膜的厚度，導(dǎo)致薄膜的信號會(huì)受到襯底的影響（圖1）。另外，如果衍射簡單較高，那么X射線只能輻射到部分樣品，無法利用整個(gè)樣品的體積，衍射信號弱。薄膜掠入射衍射（GID：GrazingIncidenceX-RayDiffraction）很好的解絕了以上問題。所謂掠入射是指使X射線以非常小小的入射角（＜5°）照射到薄膜上，小的入射角大大減小了在薄膜中的穿透深度，同時(shí)增加衍射顆粒的數(shù)目和x射線在薄膜中的光程。這里有兩點(diǎn)說明：GID需要硬件配置；常規(guī)GID只適合多晶薄膜和非晶薄膜，不適合單晶外延膜。上海掠入射檢測分析