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  • 企業(yè)商機(jī)
    外延系統(tǒng)基本參數(shù)
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    外延系統(tǒng)企業(yè)商機(jī)

    PLD技術(shù)與磁控濺射技術(shù)在沉積多元氧化物時(shí)的對(duì)比。磁控濺射通常使用多個(gè)射頻或直流電源同時(shí)濺射不同組分的靶材,通過控制各電源的功率來調(diào)節(jié)薄膜成分,控制相對(duì)復(fù)雜。而PLD技術(shù)的優(yōu)勢(shì)在于其“復(fù)制”效應(yīng),即使靶材化學(xué)成分非常復(fù)雜,也能在一次激光脈沖下實(shí)現(xiàn)化學(xué)計(jì)量比的忠實(shí)轉(zhuǎn)移,極大地簡(jiǎn)化了多組分材料(如含有五種以上元素的高熵氧化物)的研發(fā)流程。此外,PLD的瞬時(shí)高能量沉積過程更易于形成亞穩(wěn)態(tài)的晶體結(jié)構(gòu)。

    綜上所述,我們公司提供的這一系列超高真空薄膜沉積系統(tǒng),不是儀器設(shè)備,更是開啟前沿材料科學(xué)探索大門的鑰匙。它們以其優(yōu)異的性能性價(jià)比、高度的靈活性和可靠性,為廣大科研工作者提供了一個(gè)能夠?qū)?chuàng)新想法快速轉(zhuǎn)化為高質(zhì)量薄膜樣品的強(qiáng)大平臺(tái)。從傳統(tǒng)的半導(dǎo)體到前沿的量子材料,從能源催化到柔性電子,這些系統(tǒng)都將繼續(xù)作為不可或缺的主要研發(fā)工具,推動(dòng)著科學(xué)技術(shù)的不斷進(jìn)步與發(fā)展。 波紋管若出現(xiàn)破損,會(huì)破壞真空環(huán)境,需定期檢查更換。薄層外延系統(tǒng)多少錢

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    在完成檢查且確認(rèn)無誤后,按照以下步驟啟動(dòng)設(shè)備。先打開總電源開關(guān),為設(shè)備提供電力。然后啟動(dòng)真空泵,開始抽真空,觀察真空計(jì)的讀數(shù),當(dāng)真空度達(dá)到設(shè)備要求的基本壓力范圍,即從 5×10?1?至 5×10?11mbar 時(shí),可進(jìn)行后續(xù)操作。在啟動(dòng)過程中,要密切關(guān)注設(shè)備各部件的運(yùn)行狀態(tài),如發(fā)現(xiàn)異常聲音、振動(dòng)或異味等情況,應(yīng)立即停止啟動(dòng),排查故障。

    實(shí)驗(yàn)結(jié)束后,要按照正確的步驟關(guān)閉設(shè)備。首先停止沉積過程,關(guān)閉激光器和相關(guān)的加熱裝置,停止向設(shè)備輸入能量。然后逐漸降低真空度,先關(guān)閉分子泵,再關(guān)閉機(jī)械泵,然后打開放空閥門,使設(shè)備內(nèi)的壓力恢復(fù)到大氣壓。在關(guān)閉真空泵時(shí),要注意先關(guān)閉與真空系統(tǒng)相連的閥門,防止泵油倒吸進(jìn)入真空系統(tǒng)。 基質(zhì)輔助外延系統(tǒng)坩堝薄膜生長(zhǎng)監(jiān)控中,掃描型差分 RHEED 數(shù)據(jù)異常需檢查光路 alignment。

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    排氣系統(tǒng)是維持超高真空環(huán)境的動(dòng)力源泉。我們系統(tǒng)采用“分子泵+干式機(jī)械泵”的組合方案。干式機(jī)械泵作為前級(jí)泵,無需使用真空油,徹底避免了油蒸汽對(duì)腔室的污染,實(shí)現(xiàn)了潔凈抽氣。分子泵則串聯(lián)其后,利用高速旋轉(zhuǎn)的渦輪葉片對(duì)氣體分子進(jìn)行動(dòng)量傳遞,將其壓縮并排向前級(jí)泵,從而在生長(zhǎng)腔室獲得高真空和超高真空。這種組合抽氣系統(tǒng)運(yùn)行穩(wěn)定、維護(hù)簡(jiǎn)單,且能提供潔凈無油的真空環(huán)境,非常適合于對(duì)污染極其敏感的半導(dǎo)體材料和氧化物材料的生長(zhǎng)。

    本產(chǎn)品與 CVD 技術(shù)對(duì)比,薄膜特性方面,CVD技術(shù)制備的薄膜由于反應(yīng)過程的復(fù)雜性,可能會(huì)引入一些雜質(zhì),且薄膜的微觀結(jié)構(gòu)和成分均勻性相對(duì)較難控制。本產(chǎn)品在超高真空環(huán)境下進(jìn)行薄膜沉積,幾乎不會(huì)引入雜質(zhì),且通過精確的分子束控制和原位監(jiān)測(cè)反饋機(jī)制,能精確控制薄膜的微觀結(jié)構(gòu)和成分均勻性,制備出的薄膜具有更好的電學(xué)、光學(xué)和力學(xué)性能。設(shè)備成本也是一個(gè)重要考量因素,CVD設(shè)備通常較為復(fù)雜,需要配備復(fù)雜的氣體供應(yīng)和反應(yīng)尾氣處理系統(tǒng),設(shè)備成本較高。本產(chǎn)品雖然也屬于高精度設(shè)備,但在設(shè)計(jì)上注重性價(jià)比,通過優(yōu)化結(jié)構(gòu)和功能,降低了設(shè)備成本,同時(shí)其維護(hù)成本相對(duì)較低,對(duì)于科研機(jī)構(gòu)和企業(yè)來說,在滿足實(shí)驗(yàn)和生產(chǎn)需求的前提下,能有效降低成本投入,提高設(shè)備的使用效益。實(shí)驗(yàn)室需配備適用電源,滿足基板加熱電源等部件的供電需求。

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    該系統(tǒng)在拓?fù)淞孔硬牧涎芯款I(lǐng)域具有前瞻性應(yīng)用。拓?fù)浣^緣體、狄拉克半金屬等新型量子材料因其奇特的物理性質(zhì)而備受關(guān)注,如碲化鉍、碲化鉬等。利用MBE技術(shù),可以在絕緣襯底上實(shí)現(xiàn)原子級(jí)平整的拓?fù)浣^緣體薄膜的外延生長(zhǎng)。通過與其他材料(如磁性摻雜的超晶格)結(jié)合,可以研究其表面態(tài)的拓?fù)漭斶\(yùn)性質(zhì),并為未來低功耗電子器件和拓?fù)淞孔佑?jì)算提供材料基礎(chǔ)。除此之外,在新能源材料探索方面,該系統(tǒng)是制備高效催化劑薄膜的理想平臺(tái)。例如,用于電解水制氫的析氧反應(yīng)催化劑,其活性與表面原子結(jié)構(gòu)密切相關(guān)。利用PLD技術(shù),可以精確制備出具有特定晶面取向的鈣鈦礦氧化物、尖晶石氧化物薄膜模型催化劑。通過在這種清潔、結(jié)構(gòu)明確的模型體系上進(jìn)行電化學(xué)測(cè)試和原位表征,能夠建立催化劑結(jié)構(gòu)與性能之間的構(gòu)效關(guān)系,為指導(dǎo)設(shè)計(jì)下一代高效、穩(wěn)定的實(shí)用化催化劑提供理論基礎(chǔ)。開展 UHV 濺射相關(guān)實(shí)驗(yàn),此超高真空薄膜沉積系統(tǒng)首要選擇。薄層外延系統(tǒng)多少錢

    真空系統(tǒng)維護(hù)區(qū)域需保持干燥清潔,防止部件受潮損壞。薄層外延系統(tǒng)多少錢

    雜氧化物材料是當(dāng)今凝聚態(tài)物理和材料科學(xué)的前沿陣地,而這正是PLD技術(shù)大顯身手的舞臺(tái)。高溫超導(dǎo)銅氧化物、龐磁阻錳氧化物、多鐵性鉍鐵氧體以及鐵電鈦酸鍶鋇等材料,都具有復(fù)雜的晶格結(jié)構(gòu)和氧化學(xué)計(jì)量比要求。PLD技術(shù)由于其非平衡的沉積特性,能夠?qū)胁牡幕瘜W(xué)計(jì)量比高度忠實(shí)地轉(zhuǎn)移到生長(zhǎng)的薄膜中,這是其他沉積技術(shù)難以比擬的。通過在沉積過程中精確引入氧氣氛圍,并配合高溫加熱,可以成功制備出具有特定氧空位濃度和晶體結(jié)構(gòu)的功能性氧化物薄膜,用于探索其奇特的物理現(xiàn)象和開發(fā)下一代電子器件。薄層外延系統(tǒng)多少錢

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