波導(dǎo)開(kāi)關(guān)的射頻指標(biāo)主要為電壓駐波比、插入損耗和隔離度。微波系統(tǒng)的設(shè)計(jì)合理與否,直接影響著波導(dǎo)開(kāi)關(guān)的射頻指標(biāo)。傳統(tǒng)波導(dǎo)開(kāi)關(guān)的轉(zhuǎn)子為圓柱形結(jié)構(gòu),在開(kāi)有圓柱槽的定子內(nèi)轉(zhuǎn)動(dòng)實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)的狀態(tài)變換。為保證轉(zhuǎn)動(dòng)可靠性,轉(zhuǎn)子和定子在設(shè)計(jì)時(shí)具有一定間隙,電磁波在傳輸時(shí)會(huì)沿著此間隙在周向、徑向泄漏,導(dǎo)致隔離度和插入損耗指標(biāo)惡化。本文設(shè)計(jì)的開(kāi)關(guān)微波轉(zhuǎn)子呈錐形結(jié)構(gòu),與微波定子上的錐形孔接觸配合,在理想情況下微波通道斷開(kāi)間隙為零[5]。相對(duì)于傳統(tǒng)的間隙波導(dǎo)開(kāi)關(guān),無(wú)間隙波導(dǎo)開(kāi)關(guān)在更高的頻率范圍內(nèi)具有更好的傳輸效果。精密波導(dǎo)開(kāi)關(guān)可用于毫米波測(cè)試系統(tǒng),支持高頻段穩(wěn)定切換。高隔離波導(dǎo)開(kāi)關(guān)技術(shù)參數(shù)

GaAs FET 波導(dǎo)開(kāi)關(guān)基于 GaAs 場(chǎng)效應(yīng)晶體管的導(dǎo)通與截止特性實(shí)現(xiàn)信號(hào)控制,其工作原理與 PIN 二極管開(kāi)關(guān)類(lèi)似,但具有更低的噪聲系數(shù)、更高的集成度以及更寬的帶寬。GaAs FET 開(kāi)關(guān)的開(kāi)關(guān)速度可達(dá)納秒級(jí),且能夠?qū)崿F(xiàn)多通道集成,適用于毫米波頻段、大規(guī)模相控陣?yán)走_(dá)等應(yīng)用場(chǎng)景。但其制造成本較高,功率容量低于 PIN 二極管開(kāi)關(guān),限制了其在大功率系統(tǒng)中的應(yīng)用。除機(jī)械與電子驅(qū)動(dòng)外,還有一些特殊驅(qū)動(dòng)方式的波導(dǎo)開(kāi)關(guān),如電磁驅(qū)動(dòng)型、壓電驅(qū)動(dòng)型等,這些類(lèi)型的開(kāi)關(guān)通常針對(duì)特定應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)計(jì),具有獨(dú)特的性能優(yōu)勢(shì)。高隔離波導(dǎo)開(kāi)關(guān)技術(shù)參數(shù)超小型波導(dǎo)開(kāi)關(guān)法蘭接口需符合ISO或CPR標(biāo)準(zhǔn),保證兼容性。

在波導(dǎo)開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)中,PIN二極管通常以并聯(lián)或串聯(lián)方式集成在波導(dǎo)腔內(nèi)。并聯(lián)型開(kāi)關(guān)將PIN二極管兩端分別連接到波導(dǎo)的兩個(gè)寬邊,正向偏置時(shí),二極管低阻抗短路,信號(hào)被反射;反向偏置時(shí),二極管高阻抗開(kāi)路,信號(hào)正常傳輸。串聯(lián)型開(kāi)關(guān)則將PIN二極管串聯(lián)在波導(dǎo)傳輸路徑中,正向偏置時(shí)導(dǎo)通,反向偏置時(shí)截止。為實(shí)現(xiàn)更高的隔離度,實(shí)際應(yīng)用中常采用多個(gè)PIN二極管組成的陣列結(jié)構(gòu),如雙二極管并聯(lián)結(jié)構(gòu)可使隔離度提升至30dB以上。PIN二極管波導(dǎo)開(kāi)關(guān)的開(kāi)關(guān)速度可達(dá)微秒級(jí)(1-10μs),部分高性能產(chǎn)品可達(dá)到納秒級(jí),壽命長(zhǎng)達(dá)10^9次以上,但其功率容量較低(通常<50W),且插入損耗受偏置電路影響較大。該類(lèi)型開(kāi)關(guān)廣泛應(yīng)用于跳頻通信、雷達(dá)接收系統(tǒng)、微波測(cè)量?jī)x器等高速切換、中低功率場(chǎng)景。
隨著紅外光技術(shù)和毫米波技術(shù)發(fā)展愈來(lái)愈成熟,位于二者之間的太赫茲波(頻段0.1THz~10THz)毫無(wú)疑問(wèn)成為下一代通信的發(fā)展方向。機(jī)電微波開(kāi)關(guān)是通信系統(tǒng)中的關(guān)鍵元器件,隨著太赫茲波測(cè)試方法與輻射源不斷發(fā)展,太赫茲波逐漸廣泛應(yīng)用于雷達(dá)系統(tǒng)、衛(wèi)星通信系統(tǒng),對(duì)太赫茲微波開(kāi)關(guān)的需求也不斷增長(zhǎng)。微波開(kāi)關(guān)的主要功能是實(shí)現(xiàn)信號(hào)在不同通道間切換,當(dāng)部分硬件失效時(shí),當(dāng)部分硬件失效時(shí),可通過(guò)開(kāi)關(guān)切換到備份硬件,提升系統(tǒng)可靠性。根據(jù)傳輸線類(lèi)型不同,機(jī)電式微波開(kāi)關(guān)可以分為機(jī)電同軸開(kāi)關(guān)和機(jī)電波導(dǎo)開(kāi)關(guān)兩種。高功率波導(dǎo)開(kāi)關(guān)應(yīng)配備散熱翅片或風(fēng)冷接口輔助降溫。

面對(duì)航天領(lǐng)域的應(yīng)用需求,波導(dǎo)開(kāi)關(guān)以“硬核實(shí)力”應(yīng)對(duì)極端挑戰(zhàn)。新型陶瓷材質(zhì)版本耐高溫、抗腐蝕,輕松適配航天設(shè)備的復(fù)雜工況;非旋轉(zhuǎn)式機(jī)械開(kāi)關(guān)通過(guò)金屬柱高低切換通道,10ms的切換速度較傳統(tǒng)型號(hào)大幅優(yōu)化,同時(shí)2024年產(chǎn)品平均重量降至,SPDT型,在提升設(shè)備便攜性的同時(shí),保障JG通信與航天探測(cè)任務(wù)的準(zhǔn)確執(zhí)行。在工業(yè)測(cè)試領(lǐng)域,波導(dǎo)開(kāi)關(guān)則成為提升檢測(cè)效率的“得力助手”。步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)型產(chǎn)品2024年滲透率提升,響應(yīng)速度與切換精度完美適配自動(dòng)化測(cè)試需求;基于相變材料的T型射頻開(kāi)關(guān),在直流至67GHz頻段插損≤、隔離度≥26dB,且尺寸大幅小型化,搭配占比的RS-485協(xié)議控制,輕松融入多系統(tǒng)集成,為工業(yè)生產(chǎn)的高質(zhì)量檢測(cè)提供穩(wěn)定支撐。波導(dǎo)開(kāi)關(guān)的插入損耗應(yīng)盡可能低,通常要求小于0.2dB。上海高功率波導(dǎo)開(kāi)關(guān)價(jià)格咨詢
波導(dǎo)開(kāi)關(guān)選型需綜合考慮頻段、功率、體積與成本因素。高隔離波導(dǎo)開(kāi)關(guān)技術(shù)參數(shù)
機(jī)械波導(dǎo)開(kāi)關(guān)的性能優(yōu)化需圍繞降低插入損耗、提升隔離度與開(kāi)關(guān)壽命展開(kāi)。
降低插入損耗的關(guān)鍵在于減少傳輸路徑上的損耗源:一是優(yōu)化波導(dǎo)結(jié)構(gòu),采用漸變過(guò)渡段減少阻抗突變,過(guò)渡段長(zhǎng)度通常為0.5-1個(gè)波長(zhǎng);二是提升材料導(dǎo)電性,采用鍍金或鍍銀工藝,鍍層厚度≥2μm,以降低趨膚效應(yīng)帶來(lái)的導(dǎo)體損耗;三是控制間隙損耗,通過(guò)精密加工保證可動(dòng)與固定波導(dǎo)的間隙<0.05mm,必要時(shí)采用彈性接觸結(jié)構(gòu)(如彈簧加載滑塊)補(bǔ)償加工誤差。
提升隔離度的重點(diǎn)在于阻斷泄漏路徑:一是采用雙斷口結(jié)構(gòu),在每個(gè)輸出端設(shè)置單獨(dú)的斷開(kāi)點(diǎn),使關(guān)斷狀態(tài)下的泄漏路徑增加一倍;二是增加屏蔽腔,在開(kāi)關(guān)內(nèi)部設(shè)置金屬屏蔽隔板,將不同端口的微波場(chǎng)隔離,屏蔽腔的屏蔽效能需≥40dB;三是優(yōu)化端口布局,避免輸入端與非導(dǎo)通輸出端之間的直接輻射耦合,端口間距通?!?個(gè)波長(zhǎng)。
延長(zhǎng)開(kāi)關(guān)壽命的重點(diǎn)在于減少機(jī)械磨損:一是采用自潤(rùn)滑材料,在可動(dòng)部件與支撐結(jié)構(gòu)之間涂抹固體潤(rùn)滑劑(如二硫化鉬),或選用含油軸承;二是優(yōu)化受力設(shè)計(jì),通過(guò)平衡可動(dòng)部件的重力與驅(qū)動(dòng)力,減少接觸壓力,接觸壓力通常控制在5-10N;三是采用密封設(shè)計(jì),通過(guò)密封圈、防塵罩等部件防止粉塵、水汽進(jìn)入開(kāi)關(guān)內(nèi)部,避免磨損加劇。 高隔離波導(dǎo)開(kāi)關(guān)技術(shù)參數(shù)
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