在射頻集成電路（RFIC）中，片上電感面臨哪些挑戰(zhàn)？

蘇州谷景電子有限公司2025-10-30

在硅芯片上直接制作電感是RFIC設(shè)計的一大挑戰(zhàn)。首先，硅襯底是損耗介質(zhì)，會導(dǎo)致電感的Q值非常低（通常<20），極大影響電路（如LNA、VCO）的噪聲性能和效率。其次，受芯片面積限制，電感值通常很?。╪H級）。此外，電感的磁場會與襯底及其他金屬線產(chǎn)生寄生耦合，引入不必要的干擾和模型誤差。設(shè)計者需要采用特殊結(jié)構(gòu)，如使用頂層厚金屬、空心螺旋結(jié)構(gòu)、或圖案化接地屏蔽層來提升Q值和自諧振頻率，并通過復(fù)雜的電磁場仿真工具進行精確建模和優(yōu)化。

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