武漢多芯MT-FA光組件在光背板中的應(yīng)用

多芯MT-FA光組件的應(yīng)用場景覆蓋了從超算中心到5G前傳的全鏈路光網(wǎng)絡(luò)。在AI算力集群中，其高可靠性特性尤為關(guān)鍵——通過嚴格的制造工藝控制，組件可承受-25℃至+70℃的寬溫工作范圍，且經(jīng)過≥200次插拔測試后仍保持性能穩(wěn)定，滿足7×24小時不間斷運行需求。在光背板交叉連接矩陣中，MT-FA組件通過并行傳輸特性，將傳統(tǒng)串行光鏈路的數(shù)據(jù)吞吐量提升數(shù)個量級。例如，在800G光模塊互聯(lián)場景下，單組件即可實現(xiàn)8通道×100Gbps的并行傳輸，配合保偏光纖陣列技術(shù)，可有效抑制偏振模色散，確保信號在高速傳輸中的相位一致性。此外，其模塊化設(shè)計支持快速定制，可根據(jù)背板架構(gòu)需求調(diào)整通道數(shù)量、端面角度及光纖類型，為光網(wǎng)絡(luò)升級提供靈活解決方案。隨著1.6T光模塊商業(yè)化進程加速，多芯MT-FA組件將成為構(gòu)建下一代光互連基礎(chǔ)設(shè)施的關(guān)鍵支撐。在CPO共封裝架構(gòu)中，多芯MT-FA光組件與FAU隔離器協(xié)同提升信號完整性。武漢多芯MT-FA光組件在光背板中的應(yīng)用

環(huán)境適應(yīng)性驗證是多芯MT-FA光組件可靠性評估的重要環(huán)節(jié)，需結(jié)合應(yīng)用場景制定分級測試標準。對于室內(nèi)數(shù)據(jù)中心場景，組件需通過-5℃至70℃溫循測試，以10℃/min的速率升降溫，在極限溫度點停留30分鐘，累計完成100次循環(huán)，驗證材料在溫度梯度下的形變控制能力。室外應(yīng)用場景則需升級至-40℃至85℃溫循測試，循環(huán)次數(shù)增至500次，同時疊加85℃/85%RH濕熱條件，持續(xù)2000小時以模擬中東等高溫高濕環(huán)境。此類測試可暴露非氣密封裝組件的吸濕膨脹問題，通過監(jiān)測光纖陣列與MT插芯的膠合界面變化，確保濕熱環(huán)境下光功率衰減不超過0.2dB/km。針對多芯并行傳輸特性，還需開展光纖可靠性專項測試，包括軸向扭轉(zhuǎn)、側(cè)向拉力、非軸向扭擺等工況。例如，對12芯MT-FA組件施加3N·m的側(cè)向扭矩并保持1分鐘，循環(huán)50次后檢測各通道插損，要求單通道衰減增量不超過0.05dB。實驗表明，采用低應(yīng)力膠合工藝與高精度研磨技術(shù)的組件，在完成全部環(huán)境測試后，多通道均勻性仍可保持在±0.1dB以內(nèi)，充分滿足AI算力集群對數(shù)據(jù)傳輸穩(wěn)定性的嚴苛要求。沈陽多芯MT-FA光組件溫度穩(wěn)定性多芯 MT-FA 光組件提升光網(wǎng)絡(luò)擴容能力，輕松應(yīng)對數(shù)據(jù)量增長需求。

在超算中心高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)闹匾軜?gòu)中，多芯MT-FA光組件已成為支撐AI算力與大規(guī)?？茖W(xué)計算的關(guān)鍵技術(shù)載體。其通過精密研磨工藝將光纖陣列端面加工為特定角度的反射鏡，結(jié)合低損耗MT插芯實現(xiàn)多路光信號的并行耦合傳輸。以800G/1.6T光模塊為例，該組件可在單模塊內(nèi)集成12至24芯光纖，通道均勻性誤差控制在±0.5μm以內(nèi)，確保每個通道的插入損耗低于0.35dB、回波損耗超過60dB。這種技術(shù)特性使其在超算集群的板間互聯(lián)場景中表現(xiàn)突出：當(dāng)處理AI大模型訓(xùn)練產(chǎn)生的PB級數(shù)據(jù)時，多芯MT-FA組件可通過并行傳輸將單節(jié)點數(shù)據(jù)吞吐量提升至傳統(tǒng)方案的3倍以上，同時將光鏈路時延壓縮至納秒級。在超算中心的實際部署中，該組件已普遍應(yīng)用于CPO/LPO架構(gòu)的硅光模塊內(nèi)部連接，通過高密度封裝技術(shù)將光引擎與電芯片的間距縮短至毫米級，明顯降低信號衰減與功耗。其支持的多模光纖與保偏光纖混合傳輸方案，更可滿足超算中心對不同波長（850nm/1310nm/1550nm）光信號的兼容需求，為HPC集群的異構(gòu)計算提供穩(wěn)定的光傳輸基礎(chǔ)。

多芯MT-FA光組件的技術(shù)突破正推動光通信向超高速、集成化方向演進。在硅光模塊領(lǐng)域，該組件通過模場直徑轉(zhuǎn)換技術(shù)實現(xiàn)9μm標準光纖與3.2μm硅波導(dǎo)的低損耗耦合。某研究機構(gòu)開發(fā)的16通道MT-FA組件，采用超高數(shù)值孔徑光纖拼接工藝，使硅光收發(fā)器的耦合效率提升至92%，較傳統(tǒng)方案提高15%。這種技術(shù)突破使800G硅光模塊的功耗降低30%，成為AI算力集群降本增效的關(guān)鍵。在并行光學(xué)技術(shù)中，多芯MT-FA組件與VCSEL陣列的垂直耦合方案，使光模塊的封裝體積縮小60%，滿足HPC（高性能計算）系統(tǒng)對高密度布線的嚴苛要求。其定制化能力更支持從0°到45°的任意端面角度研磨，可適配不同光模塊廠商的封裝工藝。隨著1.6T光模塊進入商用階段，多芯MT-FA組件通過優(yōu)化光纖凸出量控制精度，使32通道并行傳輸?shù)耐ǖ谰鶆蛐云钚∮?.1dB，為下一代AI算力基礎(chǔ)設(shè)施提供可靠的物理層支撐。這種技術(shù)演進不僅推動光模塊向小型化、低功耗方向發(fā)展，更通過降低系統(tǒng)布線復(fù)雜度，使超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的運維成本下降40%，加速AI技術(shù)的商業(yè)化落地進程。多芯 MT-FA 光組件通過性能優(yōu)化，降低光信號串?dāng)_，提升傳輸質(zhì)量。

隨著AI算力需求呈指數(shù)級增長，多芯MT-FA組件的技術(shù)迭代正加速向高精度、高可靠性方向突破。在制造工藝層面，V槽基板加工精度已提升至±0.5μm，配合全石英材質(zhì)與耐寬溫設(shè)計，使組件在-25℃至+70℃環(huán)境下仍能保持性能穩(wěn)定。針對1.6T光模塊對模場匹配的嚴苛要求，部分技術(shù)方案通過模場直徑轉(zhuǎn)換技術(shù)，將波導(dǎo)模場從3.2μm擴展至9μm，實現(xiàn)與高速硅光芯片的低損耗耦合。在應(yīng)用場景拓展方面，該組件已從傳統(tǒng)數(shù)據(jù)中心延伸至智能駕駛、遠程醫(yī)療等新興領(lǐng)域。例如，在自動駕駛激光雷達系統(tǒng)中，多芯MT-FA可實現(xiàn)128通道光信號同步傳輸，支持點云數(shù)據(jù)實時處理。據(jù)行業(yè)預(yù)測，2026年后1.6T光模塊市場將全方面啟動，多芯MT-FA作為重要耦合器件，其市場規(guī)模有望突破十億元量級，技術(shù)壁壘與定制化能力將成為企業(yè)競爭的關(guān)鍵分水嶺。針對生物成像，多芯MT-FA光組件實現(xiàn)共聚焦顯微鏡的多波長耦合。合肥多芯MT-FA 1.6T/3.2T光模塊

針對消費電子領(lǐng)域，多芯MT-FA光組件實現(xiàn)AR/VR設(shè)備的光波導(dǎo)耦合。武漢多芯MT-FA光組件在光背板中的應(yīng)用

多芯MT-FA光組件的封裝工藝是光通信領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)高密度、高速率光信號傳輸?shù)闹匾夹g(shù)環(huán)節(jié)，其重要在于通過精密結(jié)構(gòu)設(shè)計與微納級加工控制，實現(xiàn)多芯光纖與光電器件的高效耦合。封裝過程以MT插芯為重要載體，該結(jié)構(gòu)采用雙通道設(shè)計：前端光纖包層通道內(nèi)徑與光纖直徑嚴格匹配，通過V形槽基板的微米級定位精度，確保每根光纖的軸向偏差控制在±0.5μm以內(nèi)；后端涂覆層通道則采用彈性壓接結(jié)構(gòu)，既保護光纖脆弱部分，又通過機械加壓實現(xiàn)穩(wěn)固固定。在光纖陣列組裝階段，需先對裸光纖進行預(yù)處理，去除涂覆層后置于V形槽中，通過自動化加壓裝置施加均勻壓力，使光纖與基片形成剛性連接。隨后采用低溫固化膠水進行粘合，膠層厚度需控制在5-10μm范圍內(nèi)，避免因膠量過多導(dǎo)致光學(xué)性能劣化。研磨拋光工序是決定耦合效率的關(guān)鍵，需將光纖端面研磨至42.5°反射角，表面粗糙度Ra值小于0.1μm，同時控制光纖凸出量在0.2±0.05mm范圍內(nèi)，以滿足垂直耦合的光學(xué)要求。武漢多芯MT-FA光組件在光背板中的應(yīng)用