DDR地址、命令總線的一致性測(cè)試
DDR的地址、命令總線的信號(hào)完整性測(cè)試主要測(cè)試其波形和時(shí)序參數(shù)。地址總線An、 命令總線/RAS、/CAS、/WE、/CS需要測(cè)試的信號(hào)品質(zhì)主要包括:Vmax (最大電壓值);Vmin (小電壓值);Overshoot (過沖)和Undershoot (下沖)的持續(xù)時(shí)間的大值;Slew Rate (斜率);Ringback (回溝)等。還需要測(cè)試相對(duì)于時(shí)鐘邊沿的Setup Time (建立時(shí)間)和Hold Time (保持時(shí)間)。建立時(shí)間和保持時(shí)間的定義如圖7.134所示,其中加為建立時(shí)間,如為 保持時(shí)間,針對(duì)DDR400,加和如為0.7ns。
DDR5 一致性測(cè)試應(yīng)用軟件。測(cè)量DDR一致性測(cè)試協(xié)議測(cè)試方法

DDR5的接收端容限測(cè)試
前面我們?cè)诮榻BUSB3 . 0、PCIe等高速串行總線的測(cè)試時(shí)提到過很多高速的串行總線 由于接收端放置有均衡器,因此需要進(jìn)行接收容限的測(cè)試以驗(yàn)證接收均衡器和CDR在惡劣 信 號(hào) 下 的 表 現(xiàn) 。 對(duì) 于 D D R 來 說 , D D R 4 及 之 前 的 總 線 接 收 端 還 相 對(duì) 比 較 簡(jiǎn) 單 , 只 是 做 一 些 匹配、時(shí)延、閾值的調(diào)整。但到了DDR5時(shí)代(圖5 . 19),由于信號(hào)速率更高,因此接收端也 開 始 采 用 很 多 高 速 串 行 總 線 中 使 用 的 可 變 增 益 調(diào) 整 以 及 均 衡 器 技 術(shù) , 這 也 使 得 D D R 5 測(cè) 試 中必須關(guān)注接收均衡器的影響,這是之前的DDR測(cè)試中不曾涉及的。 海南DDR一致性測(cè)試維修電話DDR、DDR2、DDR3、DDR4 調(diào)試和驗(yàn)證的總線解碼器。

由于DDR4的數(shù)據(jù)速率會(huì)達(dá)到3.2GT/s以上,DDR5的數(shù)據(jù)速率更高,所以對(duì)邏輯分析儀的要求也要很高,需要狀態(tài)采樣時(shí)鐘支持1.6GHz以上且在雙采樣模式下支持3.2Gbps 以上的數(shù)據(jù)速率?;诟咚龠壿嫹治鰞x的DDR4/5協(xié)議測(cè)試系統(tǒng)。圖中是通過 DIMM條的適配器夾具把上百路信號(hào)引到邏輯分析儀,相應(yīng)的適配器要經(jīng)過嚴(yán)格測(cè)試,確 保在其標(biāo)稱的速率下不會(huì)因?yàn)樾盘?hào)質(zhì)量問題對(duì)協(xié)議測(cè)試結(jié)果造成影響。目前的邏輯分析儀可以支持4Gbps以上信號(hào)的采集和分析。
工業(yè)規(guī)范標(biāo)準(zhǔn),Specification:如果所設(shè)計(jì)的功能模塊要實(shí)現(xiàn)某種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)接口或者協(xié)議,那一定要找到相關(guān)的工業(yè)規(guī)范標(biāo)準(zhǔn),讀懂規(guī)范之后,才能開始設(shè)計(jì)。
因此,為實(shí)現(xiàn)本設(shè)計(jì)實(shí)例中的DDR模塊,需要技術(shù)資料和文檔。
由于我們要設(shè)計(jì)DDR存諸模塊,那么在所有的資料當(dāng)中,應(yīng)該較早了解DDR規(guī)范。通過對(duì)DDR規(guī)范文件JEDEC79R]的閱讀,我們了解到,設(shè)計(jì)一個(gè)DDR接口,需要滿足規(guī)范中規(guī)定的DC,AC特性及信號(hào)時(shí)序特征。下面我們從設(shè)計(jì)規(guī)范要求和器件本身特性兩個(gè)方面來解讀,如何在設(shè)計(jì)中滿足設(shè)計(jì)要求。 DDR2/3/4 和 LPDDR2/3 的協(xié)議一致性測(cè)試和分析工具箱。

大部分的DRAM都是在一個(gè)同步時(shí)鐘的控制下進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫,即SDRAM(Synchronous Dynamic Random -Access Memory) 。SDRAM根據(jù)時(shí)鐘采樣方式的不同,又分為SDR SDRAM(Single Data Rate SDRAM)和DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM) 。SDR SDRAM只在時(shí)鐘的上升或者下降沿進(jìn)行數(shù)據(jù)采樣,而DDR SDRAM在時(shí)鐘的上升和下降 沿都會(huì)進(jìn)行數(shù)據(jù)采樣。采用DDR方式的好處是時(shí)鐘和數(shù)據(jù)信號(hào)的跳變速率是一樣的,因 此晶體管的工作速度以及PCB的損耗對(duì)于時(shí)鐘和數(shù)據(jù)信號(hào)是一樣的。尋找能夠滿足您的 DDR 和存儲(chǔ)器需求的特定解決方案。測(cè)量DDR一致性測(cè)試協(xié)議測(cè)試方法
DDR、DDR2、DDR3、DDR4都有什么區(qū)別?測(cè)量DDR一致性測(cè)試協(xié)議測(cè)試方法
我們看到,在用通用方法進(jìn)行的眼圖測(cè)試中,由于信號(hào)的讀寫和三態(tài)都混在一起,因此很難對(duì)信號(hào)質(zhì)量進(jìn)行評(píng)估。要進(jìn)行信號(hào)的評(píng)估,第1步是要把讀寫信號(hào)分離出來。傳統(tǒng)上有幾種方法用來進(jìn)行讀寫信號(hào)的分離,但都存在一定的缺陷??梢岳米x寫Preamble的寬度不同用脈沖寬度觸發(fā),但由于JEDEC只規(guī)定了WritePreamble寬度的下限,因此不同芯片間Preamble的寬度可能是不同的,而且如果Read/Write的Preamble的寬度一樣,則不能進(jìn)行分離。也可以利用讀寫信號(hào)的幅度不同進(jìn)行分離,如圖7-138中間 的圖片所示,但是如果讀寫信號(hào)幅度差別不大,則也不適用6還可以根據(jù)RAS、CAS、CS、 WE等控制信號(hào)來分離讀寫,但這種方法要求通道數(shù)多于4個(gè),只 有帶數(shù)字通道的MSO示波器才能滿足要求,比如Agilent的MS09000A系列或者 MSOX90000A系列,對(duì)于用戶示波器的要求比較高。測(cè)量DDR一致性測(cè)試協(xié)議測(cè)試方法
深圳市力恩科技有限公司依托可靠的品質(zhì),旗下品牌克勞德以高質(zhì)量的服務(wù)獲得廣大受眾的青睞。是具有一定實(shí)力的儀器儀表企業(yè)之一,主要提供實(shí)驗(yàn)室配套,誤碼儀/示波器,矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀,協(xié)議分析儀等領(lǐng)域內(nèi)的產(chǎn)品或服務(wù)。同時(shí),企業(yè)針對(duì)用戶,在實(shí)驗(yàn)室配套,誤碼儀/示波器,矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀,協(xié)議分析儀等幾大領(lǐng)域,提供更多、更豐富的儀器儀表產(chǎn)品,進(jìn)一步為全國(guó)更多單位和企業(yè)提供更具針對(duì)性的儀器儀表服務(wù)。公司坐落于深圳市南山區(qū)南頭街道南聯(lián)社區(qū)中山園路9號(hào)君翔達(dá)大廈辦公樓A201,業(yè)務(wù)覆蓋于全國(guó)多個(gè)省市和地區(qū)。持續(xù)多年業(yè)務(wù)創(chuàng)收,進(jìn)一步為當(dāng)?shù)亟?jīng)濟(jì)、社會(huì)協(xié)調(diào)發(fā)展做出了貢獻(xiàn)。
DDR簡(jiǎn)介與信號(hào)和協(xié)議測(cè)試 DDR/LPDDR簡(jiǎn)介 目前在計(jì)算機(jī)主板和各種嵌入式的應(yīng)用中,存儲(chǔ)器是必不可少的。常用的存儲(chǔ)器有兩 種: 一種是非易失性的,即掉電不會(huì)丟失數(shù)據(jù),常用的有Flash(閃存)或者ROM(Read-Only Memory),這種存儲(chǔ)器速度較慢,主要用于存儲(chǔ)程序代碼、文件以及長(zhǎng)久的數(shù)據(jù)信息等;另 一種是易失性的,即掉電會(huì)丟失數(shù)據(jù),常用的有RAM(Random Access Memory,隨機(jī)存儲(chǔ) 器),這種存儲(chǔ)器運(yùn)行速度較快,主要用于程序運(yùn)行時(shí)的程序或者數(shù)據(jù)緩存等。圖5.1是市 面上一些主流存儲(chǔ)器類型的劃分。 擴(kuò)展 DDR5 發(fā)射機(jī)合規(guī)性測(cè)試軟件的功能。青海...