RPS遠(yuǎn)程等離子源采用獨(dú)特的空間分離設(shè)計(jì),將等離子體激發(fā)區(qū)與工藝處理區(qū)物理隔離。在激發(fā)腔內(nèi)通過(guò)射頻電源將工藝氣體(如O2、CF4、N2等)電離形成高密度等離子體,而長(zhǎng)壽命的活性自由基則通過(guò)輸運(yùn)系統(tǒng)進(jìn)入反應(yīng)腔室。這種設(shè)計(jì)使得RPS遠(yuǎn)程等離子源能夠在不直接接觸工件的情況下,實(shí)現(xiàn)表面清洗、刻蝕和活化等工藝。在半導(dǎo)體前端制造中,RPS遠(yuǎn)程等離子源特別適用于柵極氧化前的晶圓清洗,能有效去除有機(jī)殘留和金屬污染物,同時(shí)避免柵氧層損傷。其自由基濃度可穩(wěn)定控制在1010-1012/cm3范圍,確保工藝重復(fù)性優(yōu)于±2%。為原子級(jí)制造提供精密表面處理基礎(chǔ)。北京半導(dǎo)體RPS石墨舟處理

RPS遠(yuǎn)程等離子源應(yīng)用領(lǐng)域在生物醫(yī)療器件,特別是微流控芯片、體外診斷(IVD)設(shè)備和植入式器械的制造中,扮演著表面功能化改性的重要角色。許多高分子聚合物(如PDMS、PC、COC)因其優(yōu)異的生物相容性和易加工性被廣 使用,但其表面通常呈疏水性,不利于細(xì)胞粘附或液體流動(dòng)。RPS遠(yuǎn)程等離子源通過(guò)氧氣或空氣產(chǎn)生的氧自由基,能夠高效地在這些聚合物表面引入大量的極性含氧基團(tuán)(如羥基、羧基),從而將其從疏水性長(zhǎng)久性地改變?yōu)橛H水性。這種處理均勻、徹底,且不會(huì)像直接等離子體那樣因過(guò)熱和離子轟擊對(duì)精細(xì)的微流道結(jié)構(gòu)造成損傷。經(jīng)過(guò)RPS處理的微流控芯片,其親水通道可以實(shí)現(xiàn)無(wú)需泵驅(qū)動(dòng)的毛細(xì)管液流,極大地簡(jiǎn)化了設(shè)備結(jié)構(gòu),提升了檢測(cè)的可靠性和靈敏度。湖南國(guó)產(chǎn)RPS射頻電源在汽車(chē)電子中確保惡劣環(huán)境下可靠性。

對(duì)于GaN、SiC等化合物半導(dǎo)體和MEMS傳感器等精密器件,傳統(tǒng)的等離子體工藝因其高能離子轟擊和熱效應(yīng)容易造成器件性能的不可逆損傷。RPS遠(yuǎn)程等離子源應(yīng)用領(lǐng)域在此提供了低損傷、高精度的解決方案。在GaN HEMT器件的制造中,RPS可用于柵極凹槽的刻蝕預(yù)處理或刻蝕后殘留物的清理 ,其低離子能量特性確保了AlGaN勢(shì)壘層和二維電子氣(2DEG)不受損傷,從而維持了器件的高跨導(dǎo)和頻率特性。在MEMS制造中,關(guān)鍵的步驟是層的釋放,以形成可活動(dòng)的微結(jié)構(gòu)。RPS遠(yuǎn)程等離子源能夠使用氟基或氧基自由基,溫和且均勻地刻蝕掉結(jié)構(gòu)下方的氧化硅或聚合物層,避免了因“粘附效應(yīng)”(Stiction)導(dǎo)致的結(jié)構(gòu)坍塌,極大地提升了MEMS陀螺儀、加速度計(jì)和麥克風(fēng)的良品率和可靠性。
RPS遠(yuǎn)程等離子源在柔性電子制造中的適應(yīng)性柔性電子使用塑料或薄膜基板,對(duì)熱和機(jī)械應(yīng)力敏感。RPS遠(yuǎn)程等離子源通過(guò)低溫操作,避免了基板變形或降解。其非接觸式清洗去除了污染物,提升了導(dǎo)電跡線的附著力。在OLED照明或可穿戴設(shè)備制造中,RPS遠(yuǎn)程等離子源確保了工藝的可重復(fù)性。隨著柔性市場(chǎng)增長(zhǎng),該技術(shù)提供了必要的精度和靈活性。RPS遠(yuǎn)程等離子源的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)隨著制造業(yè)向更小節(jié)點(diǎn)和更復(fù)雜材料發(fā)展,RPS遠(yuǎn)程等離子源正不斷進(jìn)化。未來(lái)版本可能集成AI實(shí)時(shí)優(yōu)化,或支持更高頻率的等離子體生成。在可持續(xù)發(fā)展方面,RPS遠(yuǎn)程等離子源將聚焦于更節(jié)能的設(shè)計(jì)和可回收氣體。其應(yīng)用也可能擴(kuò)展到新能源或生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域。東莞市晟鼎精密儀器有限公司致力于創(chuàng)新,推動(dòng)RPS遠(yuǎn)程等離子源成為智能制造的基石。在聲學(xué)器件制造中提升諧振性能。

RPS遠(yuǎn)程等離子源在光伏行業(yè)的提質(zhì)增效:在PERC太陽(yáng)能電池制造中,RPS遠(yuǎn)程等離子源通過(guò)兩步法優(yōu)化背鈍化層質(zhì)量。首先采用H2/Ar遠(yuǎn)程等離子體清洗硅片表面,將界面復(fù)合速率降至50cm/s以下;隨后通過(guò)N2O/SiH4遠(yuǎn)程等離子體沉積氧化硅鈍化層,實(shí)現(xiàn)表面復(fù)合速率<10cm/s的優(yōu)異性能。量產(chǎn)數(shù)據(jù)顯示,采用RPS遠(yuǎn)程等離子源處理的PERC電池,轉(zhuǎn)換效率是 值提升0.3%,光致衰減率降低40%。針對(duì)OLED顯示器的精細(xì)金屬掩膜板(FMM)清洗,RPS遠(yuǎn)程等離子源開(kāi)發(fā)了專屬工藝方案。通過(guò)Ar/O2遠(yuǎn)程等離子體在150℃以下溫和去除有機(jī)殘留,將掩膜板張力變化控制在±0.5N以內(nèi)。在LTPS背板制造中,RPS遠(yuǎn)程等離子源將多晶硅刻蝕均勻性提升至95%以上,確保了TFT器件閾值電壓的一致性。某面板廠應(yīng)用報(bào)告顯示,采用RPS遠(yuǎn)程等離子源后,OLED像素開(kāi)口率提升至78%,亮度均勻性達(dá)90%。在柔性電子制造中實(shí)現(xiàn)低溫基板表面活化。湖南國(guó)內(nèi)RPS腔體清洗
遠(yuǎn)程等離子工作時(shí),本身的鍍膜工藝是不工作的,沒(méi)有直接接觸有機(jī)發(fā)光材料,就不會(huì)對(duì)有機(jī)發(fā)光材質(zhì)造成損傷。北京半導(dǎo)體RPS石墨舟處理
在OLED和LCD顯示面板的制造中,玻璃基板或聚酰亞胺薄膜基板的尺寸越來(lái)越大,對(duì)清洗和刻蝕工藝的均勻性提出了極高要求。RPS遠(yuǎn)程等離子源應(yīng)用領(lǐng)域在這一場(chǎng)景下優(yōu)勢(shì)明顯。由于其等離子體均勻性不受基板尺寸限制,活性自由基能夠均勻地分布在整個(gè)大尺寸面板表面,實(shí)現(xiàn)無(wú)死角的徹底清潔。在OLED制造中,用于去除基板表面的微量有機(jī)物和顆粒,確保TFT背板和OLED發(fā)光層的質(zhì)量;在柔性顯示中,用于對(duì)PI基板進(jìn)行表面活化,增強(qiáng)后續(xù)薄膜的附著力。此外,在顯示面板的薄膜晶體管陣列制程中,RPS技術(shù)也用于氮化硅或非晶硅薄膜的低溫、低損傷刻蝕,確保了數(shù)百萬(wàn)個(gè)TFT性能的高度一致,從而保障了顯示畫(huà)面的均勻性和低壞點(diǎn)率。北京半導(dǎo)體RPS石墨舟處理