三維NAND閃存堆疊層數(shù)的不斷增加，對(duì)刻蝕后高深寬比結(jié)構(gòu)的清洗帶來(lái)了巨大挑戰(zhàn)。其深孔或深溝槽底部的刻蝕殘留物（如聚合物）若不能徹底清理 ，將嚴(yán)重影響后續(xù)多晶硅或鎢填充的質(zhì)量，導(dǎo)致電荷陷阱和器件性能劣化。在此RPS遠(yuǎn)程等離子源應(yīng)用領(lǐng)域展現(xiàn)出其獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。由于等離子體在遠(yuǎn)程生成，其主要產(chǎn)物是電中性的自由基，這些自由基具有較好的擴(kuò)散能力，能夠無(wú)阻礙地深入深寬比超過(guò)60:1的結(jié)構(gòu)底部，與殘留物發(fā)生化學(xué)反應(yīng)并將其轉(zhuǎn)化為揮發(fā)性氣體排出。相較于直接等離子體，RPS技術(shù)避免了因離子鞘層效應(yīng)導(dǎo)致的清洗不均勻問(wèn)題，確保了從結(jié)構(gòu)頂部到底部的均勻清潔，且不會(huì)因離子轟擊造成結(jié)構(gòu)側(cè)壁的物理?yè)p傷。這使得RPS遠(yuǎn)程等離子源應(yīng)用領(lǐng)域成為3D NAND制造中實(shí)現(xiàn)高良率、高可靠性的主要 技術(shù)之一。用于磁性存儲(chǔ)器件的精密圖形化刻蝕工藝。廣東國(guó)內(nèi)RPS生產(chǎn)廠(chǎng)家
PS遠(yuǎn)程等離子源在生物芯片制造中的創(chuàng)新應(yīng)用在微流控芯片鍵合工藝中，RPS遠(yuǎn)程等離子源通過(guò)O2/N2混合氣體處理PDMS表面，將水接觸角從110°降至30°，明顯改善了親水性。在硅基生物傳感器制造中，采用NH3/H2遠(yuǎn)程等離子體功能化表面，將抗體固定密度提升至1012/cm2量級(jí)。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)顯示，經(jīng)RPS遠(yuǎn)程等離子源處理的生物芯片，檢測(cè)靈敏度提升兩個(gè)數(shù)量級(jí)，信噪比改善至50:1。RPS遠(yuǎn)程等離子源在光學(xué)器件制造中的精密加工在AR眼鏡波導(dǎo)鏡片制造中，RPS遠(yuǎn)程等離子源實(shí)現(xiàn)了納米級(jí)精度的表面處理。通過(guò)CF4/O2遠(yuǎn)程等離子體刻蝕二氧化硅波導(dǎo)層，將側(cè)壁粗糙度控制在1nmRMS以下。在紅外光學(xué)器件制造中，采用H2/Ar遠(yuǎn)程等離子體清洗鍺晶片，將表面顆粒污染降至5個(gè)/平方厘米以下，使光學(xué)透過(guò)率提升至99.5%。浙江遠(yuǎn)程等離子源RPS生產(chǎn)廠(chǎng)家RPS 通過(guò)將氣體輸送到裝置中，利用電場(chǎng)或者磁場(chǎng)產(chǎn)生等離子體，然后將等離子體傳輸?shù)叫枰幚淼谋砻鎱^(qū)域。
在OLED和LCD顯示面板的制造中，玻璃基板或聚酰亞胺薄膜基板的尺寸越來(lái)越大，對(duì)清洗和刻蝕工藝的均勻性提出了極高要求。RPS遠(yuǎn)程等離子源應(yīng)用領(lǐng)域在這一場(chǎng)景下優(yōu)勢(shì)明顯。由于其等離子體均勻性不受基板尺寸限制，活性自由基能夠均勻地分布在整個(gè)大尺寸面板表面，實(shí)現(xiàn)無(wú)死角的徹底清潔。在OLED制造中，用于去除基板表面的微量有機(jī)物和顆粒，確保TFT背板和OLED發(fā)光層的質(zhì)量；在柔性顯示中，用于對(duì)PI基板進(jìn)行表面活化，增強(qiáng)后續(xù)薄膜的附著力。此外，在顯示面板的薄膜晶體管陣列制程中，RPS技術(shù)也用于氮化硅或非晶硅薄膜的低溫、低損傷刻蝕，確保了數(shù)百萬(wàn)個(gè)TFT性能的高度一致，從而保障了顯示畫(huà)面的均勻性和低壞點(diǎn)率。
RPS遠(yuǎn)程等離子源在汽車(chē)電子中的可靠性保障針對(duì)汽車(chē)電子功率模塊的散熱需求，RPS遠(yuǎn)程等離子源優(yōu)化了界面處理工藝。通過(guò)N2/H2遠(yuǎn)程等離子體活化氮化鋁基板，將熱阻從1.2K/W降至0.8K/W。在傳感器封裝中，采用O2/Ar遠(yuǎn)程等離子體清洗焊盤(pán)，將焊點(diǎn)抗拉強(qiáng)度提升至45MPa，使器件通過(guò)3000次溫度循環(huán)測(cè)試（-40℃至125℃）。RPS遠(yuǎn)程等離子源在航空航天電子中的特殊應(yīng)用為滿(mǎn)足航空航天電子器件的極端可靠性要求，RPS遠(yuǎn)程等離子源開(kāi)發(fā)了高真空兼容工藝。在SiC功率器件制造中，通過(guò)He/O2遠(yuǎn)程等離子體在10-6Pa真空環(huán)境下進(jìn)行表面處理，將柵氧擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度提升至12MV/cm。在輻射加固電路中，RPS遠(yuǎn)程等離子源將界面態(tài)密度控制在5×109/cm2·eV以下，確保器件在100krad總劑量輻射下保持正常工作。RPS包含電源和電離腔體兩部分，不同的工藝氣體流量對(duì)應(yīng)匹配的電源功率。
遠(yuǎn)程等離子體源（RPS）是一種用于產(chǎn)生等離子體的裝置，它通常被用于在真空環(huán)境中進(jìn)行表面處理、材料改性、薄膜沉積等工藝。如在CVD等薄膜設(shè)備中，RPS與設(shè)備腔體連接，進(jìn)行分子級(jí)的清洗。在晶圓制造過(guò)程中，即使微米級(jí)的灰塵也會(huì)造成晶體管污染，導(dǎo)致晶圓廢片，因此RPS的清潔性能尤為重要。RPS不僅避免了傳統(tǒng)等離子體源直接接觸處理表面可能帶來(lái)的熱和化學(xué)損傷，還因其高度的集成性和靈活性，成為現(xiàn)代真空處理系統(tǒng)中不可或缺的一部分。晟鼎RPS擁有高可靠點(diǎn)火方式。浙江遠(yuǎn)程等離子源RPS生產(chǎn)廠(chǎng)家
在納米材料轉(zhuǎn)移過(guò)程中實(shí)現(xiàn)支撐層無(wú)損去除。廣東國(guó)內(nèi)RPS生產(chǎn)廠(chǎng)家
晟鼎遠(yuǎn)程等離子體電源RPS的應(yīng)用類(lèi)型：1.CVD腔室清潔①清潔HDP-CVD腔（使用F原子）②清潔PECVD腔（使用F原子）③清潔Low-kCVD腔（使用O原子、F原子）④清潔WCVD腔（使用F原子）2.表面處理、反應(yīng)性刻蝕和等離子體輔助沉積①通過(guò)反應(yīng)替代 （biao面氧化）進(jìn)行表面改性②輔助PECVD③使用預(yù)活化氧氣和氮?dú)廨o助低壓反應(yīng)性濺射沉積④使用預(yù)活化氧氣和氮?dú)膺M(jìn)行反應(yīng)性蒸發(fā)沉積⑤等離子體增強(qiáng)原子層沉積（PEALD）3.刻蝕：①灰化（除去表面上的碳類(lèi)化合物）；②使用反應(yīng)性含氧氣體粒子處理光刻膠。廣東國(guó)內(nèi)RPS生產(chǎn)廠(chǎng)家
