在薄膜沉積工藝（如PVD、CVD）中，腔室內壁會逐漸積累殘留膜層，這些沉積物可能由聚合物、金屬或氧化物組成。隨著工藝次數(shù)的增加，膜層厚度不斷增長，容易剝落形成顆粒污染物，導致器件缺陷和良品率下降。RPS遠程等離子源通過非接觸式清洗方式，將高活性自由基（如氧自由基或氟基自由基）引入腔室，與殘留物發(fā)生化學反應，將其轉化為揮發(fā)性氣體并排出。這種方法不僅避免了機械清洗可能帶來的物理損傷，還能覆蓋復雜幾何結構，確保清洗均勻性。對于高級 CVD設備，定期使用RPS遠程等離子源進行維護，可以明顯 減少工藝中斷和缺陷風險，延長設備壽命。該技術通過遠程等離子體分離原理避免器件表面損傷。山東遠程等離子源RPS腔室清洗
晟鼎遠程等離子體電源RPS的應用類型：1.CVD腔室清潔①清潔HDP-CVD腔（使用F原子）②清潔PECVD腔（使用F原子）③清潔Low-kCVD腔（使用O原子、F原子）④清潔WCVD腔（使用F原子）2.表面處理、反應性刻蝕和等離子體輔助沉積①通過反應替代 （biao面氧化）進行表面改性②輔助PECVD③使用預活化氧氣和氮氣輔助低壓反應性濺射沉積④使用預活化氧氣和氮氣進行反應性蒸發(fā)沉積⑤等離子體增強原子層沉積（PEALD）3.刻蝕：①灰化（除去表面上的碳類化合物）；②使用反應性含氧氣體粒子處理光刻膠。山東遠程等離子源RPS腔室清洗為先進封裝提供TSV通孔和鍵合界面的精密清洗。
RPS遠程等離子源應用領域已深度擴展至2.5D/3D先進封裝技術中。在硅通孔（TSV）工藝中，深硅刻蝕后會在孔內留下氟碳聚合物側壁鈍化層，必須在導電材料填充前將其完全去除，否則會導致電阻升高或互聯(lián)開路。RPS遠程等離子源利用其產生的氟捕獲劑或還原性自由基，能選擇性地高效清理 這些殘留物，同時保護暴露的硅襯底和底部金屬。另一方面，在晶圓-晶圓鍵合或芯片-晶圓鍵合前，表面潔凈度與活化程度直接決定了鍵合強度與良率。RPS遠程等離子源應用領域在此環(huán)節(jié)通過氧或氮的自由基對鍵合表面（如SiO2、SiN）進行處理，能有效去除微量有機污染物并大幅增加表面羥基（-OH）密度，從而在低溫下實現(xiàn)極高的鍵合能量。這為高性能計算、人工智能芯片等需要高密度垂直集成的產品提供了可靠的互聯(lián)解決方案。
顯示面板制造（如OLED或LCD）涉及多層薄膜沉積，腔室污染會直接影響像素均勻性和亮度。RPS遠程等離子源通過非接觸式清洗，有效去除有機和無機殘留物，確保沉積工藝的重復性。其高均勻性特性特別適用于大尺寸基板處理，避免了邊緣與中心的清潔差異。同時，RPS遠程等離子源的低熱負荷設計防止了對溫度敏感材料的損傷。在柔性顯示領域，該技術還能用于表面活化，提升涂層附著力。通過整合RPS遠程等離子源，面板制造商能夠降低缺陷率，提高產品性能。晟鼎RPS擁有高可靠點火方式。
傳統(tǒng)等離子清洗技術（如直接等離子體）常因高能粒子轟擊導致工件損傷，尤其不適用于精密器件。相比之下，RPS遠程等離子源通過分離生成區(qū)與反應區(qū)，只 輸送長壽命的自由基到處理區(qū)域，從而實現(xiàn)了真正的“軟”清洗。這種技術不僅減少了離子轟擊風險，還提高了工藝的可控性。例如，在MEMS器件制造中，RPS遠程等離子源能夠精確去除有機污染物而不影響微結構。此外，其靈活的氣體選擇支持多種應用，從氧化物刻蝕到表面活化。因此，RPS遠程等離子源正逐步取代傳統(tǒng)方法，成為高級 制造的優(yōu)先。為原子級制造提供精密表面處理基礎。山東遠程等離子源RPS腔室清洗
適用于生物芯片微流道表面的親水化改性處理。山東遠程等離子源RPS腔室清洗
RPS遠程等離子源在航空航天領域的應用：航空航天組件常使用高溫合金或復合材料，其制造過程需要高精度清潔。RPS遠程等離子源能夠去除油脂、氧化物或其他污染物，確保涂層或粘接的可靠性。在渦輪葉片涂層沉積前，使用RPS遠程等離子源進行表面處理，可以提升涂層的附著力和耐久性。其低損傷特性保護了精密部件，避免了疲勞壽命的降低。隨著航空航天標準日益嚴格，RPS遠程等離子源成為確保組件性能的關鍵技術。金屬部件的腐蝕常始于表面污染物或缺陷。RPS遠程等離子源可用于清潔和活化金屬表面，提升防護涂層（如油漆或電鍍）的附著力。其均勻的處理確保了整個表面的一致性，避免了局部腐蝕。在汽車或海洋工程中，采用RPS遠程等離子源預處理部件，可以明顯 延長其使用壽命。此外，其環(huán)保過程減少了化學清洗劑的使用，降低了環(huán)境 impact。山東遠程等離子源RPS腔室清洗
