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      RPS基本參數(shù)
      • 品牌
      • 晟鼎精密
      • 型號
      • SPR-08
      • 用途
      • 工業(yè)用
      • 清洗方式
      • 遠程等離子
      • 外形尺寸
      • 467*241*270
      • 產(chǎn)地
      • 廣東
      • 廠家
      • 晟鼎
      • 制程氣體
      • NF3、O?、CF4
      • 點火氣體/流量/壓力
      • 氬氣(Ar)/1-6AR sIm/1-8 torr
      • 制程氣體流量
      • 8NF3sLm
      • 工作氣壓
      • 1-10torr
      • 離化率
      • ≥95%
      • 進水溫度
      • 30℃
      RPS企業(yè)商機

      遠程等離子源,是一種基于變壓器電感耦合等離子體技術(shù)的duli式自由基發(fā)生器(RPS),可以有效的解離輸入氣體。產(chǎn)生清洗或蝕刻所需的自由基(氟、氧原子等),這些自由基通過腔室壓差傳輸,遠程等離子體內(nèi)的電場保持在較低的水平,避免電荷可能損壞敏感的晶圓結(jié)構(gòu),利用自由基的強氧化特性,達到腔室清洗(Chamber Clean)或制程(On-Wafer PROCESS)的目的。該產(chǎn)品設(shè)計具有先進的HA或PEO涂層plasma block,先進的功率自適應(yīng)模式,滿足多種鍍膜和刻蝕工藝需求,小體積的同時最大功率可達10kw。用于太赫茲器件的超精密清洗。湖北半導(dǎo)體RPS服務(wù)電話

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      RPS遠程等離子源在熱電材料制備中的創(chuàng)新應(yīng)用在碲化鉍熱電材料圖案化中,RPS遠程等離子源通過Cl2/Ar遠程等離子體實現(xiàn)各向異性刻蝕,將側(cè)壁角度控制在88±1°。通過優(yōu)化工藝參數(shù),將材料ZT值提升至1.8,轉(zhuǎn)換效率達12%。在器件集成中,RPS遠程等離子源實現(xiàn)的界面熱阻<10mm2·K/W,使溫差發(fā)電功率密度達到1.2W/cm2。RPS遠程等離子源在超表面制造中的精密加工在光學超表面制造中,RPS遠程等離子源通過SF6/C4F8遠程等離子體刻蝕氮化硅納米柱,將尺寸偏差控制在±2nm以內(nèi)。通過優(yōu)化刻蝕選擇比,將深寬比提升至20:1,使超表面工作效率達到80%。實驗結(jié)果顯示,經(jīng)RPS遠程等離子源加工的超透鏡,數(shù)值孔徑達0.9,衍射極限分辨率優(yōu)于200nm。重慶推薦RPS石墨舟腔體清洗RPS技術(shù)廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造、光伏產(chǎn)業(yè)表面處理等領(lǐng)域。

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      RPS遠程等離子源在研發(fā)實驗室中的多功能性:研發(fā)實驗室需要靈活的工藝工具來測試新材料和結(jié)構(gòu)。RPS遠程等離子源支持廣泛的應(yīng)用,從基板清潔到表面改性,其可調(diào)參數(shù)(如功率、氣體流量和壓力)允許用戶優(yōu)化實驗條件。在納米技術(shù)研究中,RPS遠程等離子源可用于制備超潔凈表面,確保實驗結(jié)果的準確性。其低損傷特性也使其適用于生物傳感器或柔性電子的開發(fā)。通過提供可重復(fù)的工藝環(huán)境,RPS遠程等離子源加速了創(chuàng)新從實驗室到量產(chǎn)的過程。

      RPS遠程等離子源(Remote Plasma Source)是一種先進的等離子體生成技術(shù),其主要 在于將等離子體的生成區(qū)與反應(yīng)區(qū)進行物理分離。這種設(shè)計通過電磁場激發(fā)工作氣體(如氧氣、氮氣或氬氣)產(chǎn)生高密度的等離子體,隨后利用氣流將活性自由基輸送到反應(yīng)腔室中。由于等離子體生成過程遠離工件,RPS遠程等離子源能夠有效避免高能離子和電子對敏感器件的直接轟擊,從而明顯 降低損傷風險。在高級 制造領(lǐng)域,例如半導(dǎo)體晶圓清洗或薄膜沉積后的腔室維護,RPS遠程等離子源憑借其均勻的活性粒子分布和精確的工藝控制,成為提升良品率的關(guān)鍵工具。此外,該技術(shù)還支持多種氣體組合,適應(yīng)復(fù)雜的工藝需求,幫助用戶實現(xiàn)高效、低污染的清潔和刻蝕應(yīng)用。遠程等離子體源RPS可以被集成到真空處理系統(tǒng)中,使得表面處理和材料改性的工藝更加靈活和高效。

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      RPS遠程等離子源在量子計算器件中的前沿應(yīng)用在超導(dǎo)量子比特制造中,RPS遠程等離子源通過O2/Ar遠程等離子體去除表面磁噪聲源,將量子比特退相干時間延長至100μs以上。在約瑟夫森結(jié)制備中,采用H2/N2遠程等離子體精確控制勢壘層厚度,將結(jié)電阻均勻性控制在±2%以內(nèi)。實驗結(jié)果顯示,經(jīng)RPS遠程等離子源處理的量子芯片,保真度提升至99.95%。RPS遠程等離子源在先進傳感器制造中的精度突破在MEMS壓力傳感器制造中,RPS遠程等離子源通過XeF2遠程等離子體釋放硅膜結(jié)構(gòu),將殘余應(yīng)力控制在10MPa以內(nèi)。在紅外探測器制造中,采用SF6/O2遠程等離子體刻蝕懸臂梁結(jié)構(gòu),將熱響應(yīng)時間縮短至5ms。實測數(shù)據(jù)表明,采用RPS遠程等離子源制造的傳感器,精度等級達到0.01%FS,溫度漂移<0.005%/℃。為催化材料研究提供可控表面改性平臺。江蘇遠程等離子源RPS哪家強

      適用于生物芯片微流道表面的親水化改性處理。湖北半導(dǎo)體RPS服務(wù)電話

      在材料科學的基礎(chǔ)研究和新材料開發(fā)中,獲得一個清潔、無污染的原始表面對于準確分析其本征物理化學性質(zhì)至關(guān)重要。無論是進行XPS、AFM還是SIMS等表面分析技術(shù),微量的表面吸附物都會嚴重干擾測試結(jié)果。RPS遠程等離子源應(yīng)用領(lǐng)域為此提供的解決方案。其能夠在高真空或超高真空環(huán)境下,通過產(chǎn)生純凈的氫或氬自由基,對樣品表面進行原位(in-situ)清洗。氫自由基能高效還原并去除金屬表面的氧化物,而氬自由基能物理性地濺射掉表層的污染物,整個過程幾乎不引入新的污染或造成晶格損傷。這為研究人員揭示材料的真實表面態(tài)、界面電子結(jié)構(gòu)以及催化活性位點等本征特性提供了可能,是連接材料制備與性能表征的關(guān)鍵橋梁。湖北半導(dǎo)體RPS服務(wù)電話

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