RPS遠(yuǎn)程等離子源在航空航天領(lǐng)域的應(yīng)用：航空航天組件常使用高溫合金或復(fù)合材料，其制造過程需要高精度清潔。RPS遠(yuǎn)程等離子源能夠去除油脂、氧化物或其他污染物，確保涂層或粘接的可靠性。在渦輪葉片涂層沉積前，使用RPS遠(yuǎn)程等離子源進(jìn)行表面處理，可以提升涂層的附著力和耐久性。其低損傷特性保護(hù)了精密部件，避免了疲勞壽命的降低。隨著航空航天標(biāo)準(zhǔn)日益嚴(yán)格，RPS遠(yuǎn)程等離子源成為確保組件性能的關(guān)鍵技術(shù)。金屬部件的腐蝕常始于表面污染物或缺陷。RPS遠(yuǎn)程等離子源可用于清潔和活化金屬表面，提升防護(hù)涂層（如油漆或電鍍）的附著力。其均勻的處理確保了整個(gè)表面的一致性，避免了局部腐蝕。在汽車或海洋工程中，采用RPS遠(yuǎn)程等離子源預(yù)處理部件，可以明顯 延長其使用壽命。此外，其環(huán)保過程減少了化學(xué)清洗劑的使用，降低了環(huán)境 impact。遠(yuǎn)程等離子體源以其高效、無損傷的處理效果，在半導(dǎo)體制造中發(fā)揮著越來越重要的作用。山東遠(yuǎn)程等離子電源RPS等離子體電源
遠(yuǎn)程等離子源，是一種基于變壓器電感耦合等離子體技術(shù)的duli式自由基發(fā)生器（RPS），可以有效的解離輸入氣體。產(chǎn)生清洗或蝕刻所需的自由基(氟、氧原子等)，這些自由基通過腔室壓差傳輸，遠(yuǎn)程等離子體內(nèi)的電場保持在較低的水平，避免電荷可能損壞敏感的晶圓結(jié)構(gòu)，利用自由基的強(qiáng)氧化特性，達(dá)到腔室清洗(Chamber Clean)或制程（On-Wafer PROCESS）的目的。該產(chǎn)品設(shè)計(jì)具有先進(jìn)的HA或PEO涂層plasma block，先進(jìn)的功率自適應(yīng)模式，滿足多種鍍膜和刻蝕工藝需求，小體積的同時(shí)最大功率可達(dá)10kw。廣東國內(nèi)RPS等離子體電源為催化材料研究提供可控表面改性平臺(tái)。
RPS遠(yuǎn)程等離子源在熱電材料制備中的創(chuàng)新應(yīng)用在碲化鉍熱電材料圖案化中，RPS遠(yuǎn)程等離子源通過Cl2/Ar遠(yuǎn)程等離子體實(shí)現(xiàn)各向異性刻蝕，將側(cè)壁角度控制在88±1°。通過優(yōu)化工藝參數(shù)，將材料ZT值提升至1.8，轉(zhuǎn)換效率達(dá)12%。在器件集成中，RPS遠(yuǎn)程等離子源實(shí)現(xiàn)的界面熱阻<10mm2·K/W，使溫差發(fā)電功率密度達(dá)到1.2W/cm2。RPS遠(yuǎn)程等離子源在超表面制造中的精密加工在光學(xué)超表面制造中，RPS遠(yuǎn)程等離子源通過SF6/C4F8遠(yuǎn)程等離子體刻蝕氮化硅納米柱，將尺寸偏差控制在±2nm以內(nèi)。通過優(yōu)化刻蝕選擇比，將深寬比提升至20:1，使超表面工作效率達(dá)到80%。實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示，經(jīng)RPS遠(yuǎn)程等離子源加工的超透鏡，數(shù)值孔徑達(dá)0.9，衍射極限分辨率優(yōu)于200nm。
隨著3D NAND堆疊層數(shù)突破500層，深孔刻蝕后的殘留物清洗成為技術(shù)瓶頸。RPS遠(yuǎn)程等離子源利用其優(yōu)異的自由基擴(kuò)散能力，可有效清理 深寬比超過60:1結(jié)構(gòu)底部的聚合物殘留。通過優(yōu)化遠(yuǎn)程等離子體參數(shù)，在保持刻蝕選擇比大于100:1的同時(shí)，將晶圓損傷深度控制在2nm以內(nèi)。某存儲(chǔ)芯片制造商在引入RPS遠(yuǎn)程等離子源后，將深孔清洗工序的良品率從87%提升至96%，單 wafer 處理成本降低30%。RPS遠(yuǎn)程等離子源在化合物半導(dǎo)體工藝中的優(yōu)勢在GaN、SiC等寬禁帶半導(dǎo)體制造中，RPS遠(yuǎn)程等離子源展現(xiàn)出獨(dú)特價(jià)值。其低溫處理特性（<150℃）有效避免了化合物材料的熱分解風(fēng)險(xiǎn)。通過采用Cl2/BCl3混合氣體的遠(yuǎn)程等離子體刻蝕，實(shí)現(xiàn)了GaN材料的各向異性刻蝕，側(cè)壁垂直度達(dá)89±1°。在HEMT器件制造中，RPS遠(yuǎn)程等離子源將界面態(tài)密度控制在1010/cm2·eV量級，明顯 提升了器件跨導(dǎo)和截止頻率。用于太赫茲器件的超精密清洗。
半導(dǎo)體制造對工藝潔凈度和精度要求極高，任何微小的污染或損傷都可能導(dǎo)致器件失效。RPS遠(yuǎn)程等離子源通過其低損傷特性，在清洗和刻蝕步驟中發(fā)揮重要作用。例如，在先進(jìn)節(jié)點(diǎn)芯片的制造中，RPS遠(yuǎn)程等離子源可用于去除光刻膠殘留或蝕刻副產(chǎn)物，而不會(huì)對脆弱的晶體管結(jié)構(gòu)造成影響。其均勻的等離子體分布確保了整個(gè)晶圓表面的處理一致性，從而減少參數(shù)波動(dòng)和缺陷密度。通過集成RPS遠(yuǎn)程等離子源 into 生產(chǎn)線，制造商能夠?qū)崿F(xiàn)更高的工藝穩(wěn)定性和產(chǎn)品良率，同時(shí)降低維護(hù)成本。在納米材料轉(zhuǎn)移過程中實(shí)現(xiàn)支撐層無損去除。湖北遠(yuǎn)程等離子體源RPS光伏設(shè)備清洗
RPS利用原子的高活性強(qiáng)氧化特性，達(dá)到清洗CVD或其他腔室后生產(chǎn)工藝的目的。山東遠(yuǎn)程等離子電源RPS等離子體電源
晟鼎遠(yuǎn)程等離子體電源RPS的應(yīng)用類型：1.CVD腔室清潔①清潔HDP-CVD腔（使用F原子）②清潔PECVD腔（使用F原子）③清潔Low-kCVD腔（使用O原子、F原子）④清潔WCVD腔（使用F原子）2.表面處理、反應(yīng)性刻蝕和等離子體輔助沉積①通過反應(yīng)替代 （biao面氧化）進(jìn)行表面改性②輔助PECVD③使用預(yù)活化氧氣和氮?dú)廨o助低壓反應(yīng)性濺射沉積④使用預(yù)活化氧氣和氮?dú)膺M(jìn)行反應(yīng)性蒸發(fā)沉積⑤等離子體增強(qiáng)原子層沉積（PEALD）3.刻蝕：①灰化（除去表面上的碳類化合物）；②使用反應(yīng)性含氧氣體粒子處理光刻膠。山東遠(yuǎn)程等離子電源RPS等離子體電源
