福建遠程等離子體源RPS等離子體電源

遠程等離子體源RPS腔體結(jié)構(gòu)，包括進氣口，點火口，回流腔連通電離腔頂端與進氣腔靠近進氣口一側(cè)頂部，氣體由進氣口進入經(jīng)過進氣腔到達電離腔，點火發(fā)生電離反應(yīng)生成氬離子然后通入工藝氣體，通過出氣口排出至反應(yīng)室內(nèi)，部分電離氣體經(jīng)回流腔流至進氣腔內(nèi)，提高腔體內(nèi)部電離程度，以便于維持工藝氣體的電離，同時可提高原子離化率；電離腔的口徑大于進氣腔，氣體在進入電離腔內(nèi)部時降低了壓力，降低了F/O原子碰撞導致的原子淬滅問題，保證電離率，提高清潔效率。適用于防腐涂層前處理的綠色表面活化。福建遠程等離子體源RPS等離子體電源

RPS遠程等離子源應(yīng)用領(lǐng)域在半導體前道制程中尤為關(guān)鍵，特別是在高級 邏輯芯片和存儲芯片的晶圓清洗環(huán)節(jié)。隨著技術(shù)節(jié)點向5納米乃至更小尺寸邁進，任何微小的污染和物理損傷都可能導致器件失效。傳統(tǒng)的濕法清洗或直接等離子體清洗難以避免圖案傾倒、關(guān)鍵尺寸改變或材料損傷等問題。而RPS遠程等離子源通過物理分離等離子體產(chǎn)生區(qū)與處理區(qū)，只將高活性的氧自由基、氫自由基等中性粒子輸送到晶圓表面，能夠在不施加物理轟擊的情況下，高效去除光刻膠殘留、有機污染物和金屬氧化物。這種溫和的非接觸式處理方式，能將對脆弱的FinFET結(jié)構(gòu)或柵極氧化層的損傷降至比較低，確保了器件的電學性能和良率。因此，在先進制程的預擴散清洗、預柵極清洗以及刻蝕后殘留物去除等關(guān)鍵步驟中，RPS遠程等離子源應(yīng)用領(lǐng)域已成為不可或缺的工藝選擇，為摩爾定律的持續(xù)推進提供了可靠的表面處理保障。海南遠程等離子體源RPS石墨舟處理在納米材料轉(zhuǎn)移過程中實現(xiàn)支撐層無損去除。

光伏產(chǎn)業(yè)中的薄膜沉積工藝（如硅基CVD）同樣面臨腔室污染問題。殘留膜層會干擾沉積均勻性，影響太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。RPS遠程等離子源提供了一種高效的清潔解決方案，利用氧基或氟基自由基快速分解污染物，恢復腔室潔凈狀態(tài)。其遠程設(shè)計避免了等離子體直接暴露于敏感涂層，確保了工藝安全。此外，RPS遠程等離子源的高能效特性有助于降低整體能耗，符合綠色制造趨勢。在大規(guī)模光伏生產(chǎn)中，采用RPS遠程等離子源進行定期維護，可以明顯 提升生產(chǎn)效率和產(chǎn)品可靠性。

三維NAND閃存堆疊層數(shù)的不斷增加，對刻蝕后高深寬比結(jié)構(gòu)的清洗帶來了巨大挑戰(zhàn)。其深孔或深溝槽底部的刻蝕殘留物（如聚合物）若不能徹底清理 ，將嚴重影響后續(xù)多晶硅或鎢填充的質(zhì)量，導致電荷陷阱和器件性能劣化。在此RPS遠程等離子源應(yīng)用領(lǐng)域展現(xiàn)出其獨特優(yōu)勢。由于等離子體在遠程生成，其主要產(chǎn)物是電中性的自由基，這些自由基具有較好的擴散能力，能夠無阻礙地深入深寬比超過60:1的結(jié)構(gòu)底部，與殘留物發(fā)生化學反應(yīng)并將其轉(zhuǎn)化為揮發(fā)性氣體排出。相較于直接等離子體，RPS技術(shù)避免了因離子鞘層效應(yīng)導致的清洗不均勻問題，確保了從結(jié)構(gòu)頂部到底部的均勻清潔，且不會因離子轟擊造成結(jié)構(gòu)側(cè)壁的物理損傷。這使得RPS遠程等離子源應(yīng)用領(lǐng)域成為3D NAND制造中實現(xiàn)高良率、高可靠性的主要 技術(shù)之一。用于醫(yī)療器械制造中生物相容性表面的活化處理。

RPS遠程等離子源在MEMS制造中的精密處理：MEMS器件包含敏感的機械結(jié)構(gòu)，易受等離子體損傷。RPS遠程等離子源通過遠程等離子體生成，消除了帶電粒子的影響，只利用中性自由基進行清洗或刻蝕。這在釋放步驟或無償層去除中尤為重要，避免了靜電荷積累導致的結(jié)構(gòu)粘附。此外，RPS遠程等離子源的均勻性確保了整個晶圓上的處理一致性，提高了器件性能和良率。隨著MEMS應(yīng)用擴展到醫(yī)療和汽車領(lǐng)域，RPS遠程等離子源提供了所需的精度和可靠性。RPS遠程等離子氣體解離率高，效果可媲美進口設(shè)備。重慶推薦RPS石英舟腔體清洗

在傳感器制造中實現(xiàn)敏感薄膜的均勻沉積。福建遠程等離子體源RPS等離子體電源

隨著3D NAND堆疊層數(shù)突破500層，深孔刻蝕后的殘留物清洗成為技術(shù)瓶頸。RPS遠程等離子源利用其優(yōu)異的自由基擴散能力，可有效清理 深寬比超過60:1結(jié)構(gòu)底部的聚合物殘留。通過優(yōu)化遠程等離子體參數(shù)，在保持刻蝕選擇比大于100:1的同時，將晶圓損傷深度控制在2nm以內(nèi)。某存儲芯片制造商在引入RPS遠程等離子源后，將深孔清洗工序的良品率從87%提升至96%，單 wafer 處理成本降低30%。RPS遠程等離子源在化合物半導體工藝中的優(yōu)勢在GaN、SiC等寬禁帶半導體制造中，RPS遠程等離子源展現(xiàn)出獨特價值。其低溫處理特性（<150℃）有效避免了化合物材料的熱分解風險。通過采用Cl2/BCl3混合氣體的遠程等離子體刻蝕，實現(xiàn)了GaN材料的各向異性刻蝕，側(cè)壁垂直度達89±1°。在HEMT器件制造中，RPS遠程等離子源將界面態(tài)密度控制在1010/cm2·eV量級，明顯 提升了器件跨導和截止頻率。福建遠程等離子體源RPS等離子體電源