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  • RPS基本參數(shù)
    • 品牌
    • 晟鼎精密
    • 型號(hào)
    • SPR-08
    • 用途
    • 工業(yè)用
    • 清洗方式
    • 遠(yuǎn)程等離子
    • 外形尺寸
    • 467*241*270
    • 產(chǎn)地
    • 廣東
    • 廠家
    • 晟鼎
    • 制程氣體
    • NF3、O?、CF4
    • 點(diǎn)火氣體/流量/壓力
    • 氬氣(Ar)/1-6AR sIm/1-8 torr
    • 制程氣體流量
    • 8NF3sLm
    • 工作氣壓
    • 1-10torr
    • 離化率
    • ≥95%
    • 進(jìn)水溫度
    • 30℃
    RPS企業(yè)商機(jī)

    RPS遠(yuǎn)程等離子源是一款基于電感耦合等離子體技術(shù)的自成一體的原子發(fā)生器,它的功能是用于半導(dǎo)體設(shè)備工藝腔體原子級(jí)別的清潔,使用工藝氣體三氟化氮(NF3)/O2,在交變電場(chǎng)和磁場(chǎng)作用下,原材料氣體會(huì)被解離,從而釋放出自由基,活性離子進(jìn)入工藝室與工藝室上沉積的污染材料(SIO/SIN)或者殘余氣體(H2O、O2、H2、N2)等物質(zhì)產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng),聚合為高活性氣態(tài)分子經(jīng)過(guò)真空泵組抽出處理腔室,提高處理腔室內(nèi)部潔凈度;利用原子的高活性強(qiáng)氧化特性,達(dá)到清洗CVD或其他腔室后生產(chǎn)工藝的目的,為了避免不必要的污染和工作人員的強(qiáng)度和高風(fēng)險(xiǎn)的濕式清洗工作,提高生產(chǎn)效率。RPS遠(yuǎn)程等離子源原理。北京遠(yuǎn)程等離子源處理cvd腔室RPS工廠直銷(xiāo)

    北京遠(yuǎn)程等離子源處理cvd腔室RPS工廠直銷(xiāo),RPS

    RPS遠(yuǎn)程等離子源在超表面制造中的精密加工在光學(xué)超表面制造中,RPS遠(yuǎn)程等離子源通過(guò)SF6/C4F8遠(yuǎn)程等離子體刻蝕氮化硅納米柱,將尺寸偏差控制在±2nm以?xún)?nèi)。通過(guò)優(yōu)化刻蝕選擇比,將深寬比提升至20:1,使超表面工作效率達(dá)到80%。實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示,經(jīng)RPS遠(yuǎn)程等離子源加工的超透鏡,數(shù)值孔徑達(dá)0.9,衍射極限分辨率優(yōu)于200nm。RPS遠(yuǎn)程等離子源的技術(shù)演進(jìn)與未來(lái)展望新一代RPS遠(yuǎn)程等離子源集成AI智能控制系統(tǒng),通過(guò)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)自由基濃度自動(dòng)調(diào)節(jié)工藝參數(shù)。采用數(shù)字孿生技術(shù),將工藝開(kāi)發(fā)周期縮短50%。未來(lái),RPS遠(yuǎn)程等離子源將向更高精度(刻蝕均勻性>99%)、更低損傷(損傷層<1nm)方向發(fā)展,支持2nm以下制程和第三代半導(dǎo)體制造,為先進(jìn)制造提供主要 工藝裝備。江西國(guó)內(nèi)RPS哪家好晟鼎RPS有主動(dòng)網(wǎng)絡(luò)匹配技術(shù):可對(duì)不同氣體進(jìn)行阻抗匹配,使得等離子腔室獲得能量。

    北京遠(yuǎn)程等離子源處理cvd腔室RPS工廠直銷(xiāo),RPS

    高性能光學(xué)透鏡、激光器和光通信器件對(duì)薄膜(如增透膜、高反膜)的附著力和長(zhǎng)期穩(wěn)定性要求極為苛刻。任何微弱的表面污染或附著力不足都可能導(dǎo)致薄膜在溫度循環(huán)或高能激光照射下脫落。RPS遠(yuǎn)程等離子源應(yīng)用領(lǐng)域在此發(fā)揮著關(guān)鍵的預(yù)處理作用。通過(guò)使用氧或氬的遠(yuǎn)程等離子體產(chǎn)生的自由基,能夠在不引入物理?yè)p傷的前提下,徹底清潔光學(xué)元件表面,并使其表面能比較大化。這個(gè)過(guò)程能有效打破材料表面的化學(xué)鍵,形成高密度的懸空鍵和活性位點(diǎn),使得后續(xù)沉積的薄膜能夠形成牢固的化學(xué)鍵合,而非較弱的物理吸附。這不僅明顯 提升了薄膜的附著力,還減少了界面缺陷,從而改善了光學(xué)薄膜的激光損傷閾值(LIDT)和環(huán)境耐久性,是制造高級(jí) 光學(xué)元件的必要工序。

    在PERC、TOPCon等高效晶硅太陽(yáng)能電池的制造工藝中,表面鈍化質(zhì)量是決定電池轉(zhuǎn)換效率的主要 因素之一。RPS遠(yuǎn)程等離子源應(yīng)用領(lǐng)域深入到這一綠色能源產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。在沉積氧化鋁(Al2O3)或氮化硅(SiNx)鈍化層之前,使用RPS對(duì)硅片表面進(jìn)行精密清洗,可以去除原生氧化物和金屬污染物,為高質(zhì)量鈍化界面的形成奠定基礎(chǔ)。更重要的是,RPS技術(shù)本身可以直接用于沉積高質(zhì)量的氮化硅或氧化硅薄膜,其遠(yuǎn)程等離子體特性使得薄膜內(nèi)的離子轟擊損傷極小,氫含量和膜質(zhì)得到精確控制,從而獲得極低的表面復(fù)合速率。此外,在HJT異質(zhì)結(jié)電池中,RPS可用于對(duì)非晶硅層進(jìn)行表面處理,優(yōu)化其與TCO薄膜的接觸界面,降低接觸電阻,各方面 地提升光伏電池的開(kāi)路電壓和填充因子,終實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)換效率的躍升。用于醫(yī)療器械制造中生物相容性表面的活化處理。

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    RPS遠(yuǎn)程等離子源在光伏行業(yè)的提質(zhì)增效:在PERC太陽(yáng)能電池制造中,RPS遠(yuǎn)程等離子源通過(guò)兩步法優(yōu)化背鈍化層質(zhì)量。首先采用H2/Ar遠(yuǎn)程等離子體清洗硅片表面,將界面復(fù)合速率降至50cm/s以下;隨后通過(guò)N2O/SiH4遠(yuǎn)程等離子體沉積氧化硅鈍化層,實(shí)現(xiàn)表面復(fù)合速率<10cm/s的優(yōu)異性能。量產(chǎn)數(shù)據(jù)顯示,采用RPS遠(yuǎn)程等離子源處理的PERC電池,轉(zhuǎn)換效率是 值提升0.3%,光致衰減率降低40%。針對(duì)OLED顯示器的精細(xì)金屬掩膜板(FMM)清洗,RPS遠(yuǎn)程等離子源開(kāi)發(fā)了專(zhuān)屬工藝方案。通過(guò)Ar/O2遠(yuǎn)程等離子體在150℃以下溫和去除有機(jī)殘留,將掩膜板張力變化控制在±0.5N以?xún)?nèi)。在LTPS背板制造中,RPS遠(yuǎn)程等離子源將多晶硅刻蝕均勻性提升至95%以上,確保了TFT器件閾值電壓的一致性。某面板廠應(yīng)用報(bào)告顯示,采用RPS遠(yuǎn)程等離子源后,OLED像素開(kāi)口率提升至78%,亮度均勻性達(dá)90%。在新能源電池制造中實(shí)現(xiàn)電極材料的表面改性。廣東國(guó)內(nèi)RPS等離子源處理cvd腔室

    Remote Plasma Source,RPS 通常被用于在真空環(huán)境中進(jìn)行表面處理、材料改性、薄膜沉積等工藝。北京遠(yuǎn)程等離子源處理cvd腔室RPS工廠直銷(xiāo)

    傳統(tǒng)等離子清洗技術(shù)(如直接等離子體)常因高能粒子轟擊導(dǎo)致工件損傷,尤其不適用于精密器件。相比之下,RPS遠(yuǎn)程等離子源通過(guò)分離生成區(qū)與反應(yīng)區(qū),只 輸送長(zhǎng)壽命的自由基到處理區(qū)域,從而實(shí)現(xiàn)了真正的“軟”清洗。這種技術(shù)不僅減少了離子轟擊風(fēng)險(xiǎn),還提高了工藝的可控性。例如,在MEMS器件制造中,RPS遠(yuǎn)程等離子源能夠精確去除有機(jī)污染物而不影響微結(jié)構(gòu)。此外,其靈活的氣體選擇支持多種應(yīng)用,從氧化物刻蝕到表面活化。因此,RPS遠(yuǎn)程等離子源正逐步取代傳統(tǒng)方法,成為高級(jí) 制造的優(yōu)先。北京遠(yuǎn)程等離子源處理cvd腔室RPS工廠直銷(xiāo)

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