干刻蝕是一類較新型，但迅速為半導(dǎo)體工業(yè)所采用的技術(shù)。其利用電漿(plasma)來進(jìn)行半導(dǎo)體薄膜材料的刻蝕加工。其中電漿必須在真空度約10至0.001Torr的環(huán)境下，才有可能被激發(fā)出來；而干刻蝕采用的氣體，或轟擊質(zhì)量頗巨，或化學(xué)活性極高，均能達(dá)成刻蝕的目的。干刻蝕基本上包括離子轟擊與化學(xué)反應(yīng)兩部份刻蝕機(jī)制。偏「離子轟擊」效應(yīng)者使用氬氣(argon)，加工出來之邊緣側(cè)向侵蝕現(xiàn)象極微。而偏化學(xué)反應(yīng)效應(yīng)者則采氟系或氯系氣體(如四氟化碳CF4)，經(jīng)激發(fā)出來的電漿，即帶有氟或氯之離子團(tuán)，可快速與芯片表面材質(zhì)反應(yīng)。刪轎厚干刻蝕法可直接利用光阻作刻蝕之阻絕遮幕，不必另行成長阻絕遮幕之半導(dǎo)體材料。而其較重要的優(yōu)點(diǎn)，能兼顧邊緣側(cè)向侵蝕現(xiàn)象極微與高刻蝕率兩種優(yōu)點(diǎn)，換言之，本技術(shù)中所謂活性離子刻蝕已足敷頁堡局滲次微米線寬制程技術(shù)的要求，而正被大量使用。材料刻蝕技術(shù)可以用于制造微型光學(xué)傳感器和微型光學(xué)放大器等光學(xué)器件。開封濕法刻蝕

材料刻蝕是一種常用的微納加工技術(shù)，可以用于制備微納結(jié)構(gòu)和器件。在材料刻蝕過程中，表面粗糙度的控制是非常重要的，因?yàn)樗苯佑绊懙狡骷男阅芎涂煽啃浴１砻娲植诙鹊目刂瓶梢詮囊韵聨讉€(gè)方面入手：1.刻蝕條件的優(yōu)化：刻蝕條件包括刻蝕液的成分、濃度、溫度、流速等參數(shù)。通過優(yōu)化這些參數(shù)，可以控制刻蝕速率和表面粗糙度。例如，增加刻蝕液的流速可以減少表面粗糙度。2.掩模設(shè)計(jì)的優(yōu)化：掩模是刻蝕過程中用于保護(hù)部分區(qū)域不被刻蝕的結(jié)構(gòu)。掩模的設(shè)計(jì)可以影響到刻蝕后的表面形貌。例如，采用光刻技術(shù)制備的掩?？梢垣@得更加平滑的表面。3.表面處理：在刻蝕前或刻蝕后對表面進(jìn)行處理，可以改善表面粗糙度。例如，在刻蝕前進(jìn)行表面清潔和平整化處理，可以減少表面缺陷和起伏。4.刻蝕模式的選擇：不同的刻蝕模式對表面粗糙度的影響也不同。例如，濕法刻蝕通常會產(chǎn)生較大的表面粗糙度，而干法刻蝕則可以獲得更加平滑的表面。綜上所述，控制材料刻蝕的表面粗糙度需要綜合考慮刻蝕條件、掩模設(shè)計(jì)、表面處理和刻蝕模式等因素，并進(jìn)行優(yōu)化。ICP材料刻蝕技術(shù)刻蝕技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)對材料的局部刻蝕，從而制造出具有特定形狀和功能的微納結(jié)構(gòu)。

二氧化硅的干法刻蝕方法：刻蝕原理氧化物的等離子體刻蝕工藝大多采用含有氟碳化合物的氣體進(jìn)行刻蝕。使用的氣體有四氟化碳(CF)、八氟丙烷(C，F(xiàn)8)、三氟甲烷(CHF3)等，常用的是CF和CHFCF的刻蝕速率比較高但對多晶硅的選擇比不好，CHF3的聚合物生產(chǎn)速率較高，非等離子體狀態(tài)下的氟碳化合物化學(xué)穩(wěn)定性較高，且其化學(xué)鍵比SiF的化學(xué)鍵強(qiáng)，不會與硅或硅的氧化物反應(yīng)。選擇比的改變在當(dāng)今半導(dǎo)體工藝中，Si02的干法刻蝕主要用于接觸孔與金屬間介電層連接洞的非等向性刻蝕方面。前者在S102下方的材料是Si，后者則是金屬層，通常是TiN（氮化鈦），因此在Si02的刻蝕中，Si07與Si或TiN的刻蝕選擇比是一個(gè)比較重要的因素。

工藝所用化學(xué)物質(zhì)取決于要刻蝕的薄膜類型。介電刻蝕應(yīng)用中通常使用含氟的化學(xué)物質(zhì)。硅和金屬刻蝕使用含氯成分的化學(xué)物質(zhì)。在工藝中可能會對一個(gè)薄膜層或多個(gè)薄膜層執(zhí)行特定的刻蝕步驟。當(dāng)需要處理多層薄膜時(shí)，以及刻蝕中必須精確停在某個(gè)特定薄膜層而不對其造成損傷時(shí)，刻蝕工藝的選擇比就變得非常重要。選擇比是兩個(gè)刻蝕速率的比率：被去除層的刻蝕速率與被保護(hù)層的刻蝕速率（例如刻蝕掩膜或終止層）。掩?；蛲Ｖ箤樱┩ǔ６枷Ｍ懈叩倪x擇比。刻蝕技術(shù)可以用于制造微電子器件、MEMS器件、光學(xué)器件等。

干法刻蝕也可以根據(jù)被刻蝕的材料類型來分類。按材料來分，刻蝕一般分成三種：金屬刻蝕、介質(zhì)刻蝕、和硅刻蝕。介質(zhì)刻蝕是用于介質(zhì)材料的刻蝕，如二氧化硅。接觸孔和通孔結(jié)構(gòu)的制作需要刻蝕介質(zhì)，從而在ILD中刻蝕出窗口，而具有高深寬比（窗口的深與寬的比值）的窗口刻蝕具有一定的挑戰(zhàn)性。硅刻蝕（包括多晶硅）應(yīng)用于需要去除硅的場合，如刻蝕多晶硅晶體管柵和硅槽電容。金屬刻蝕主要是在金屬層上去掉鋁合金復(fù)合層，制作出互連線。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。晶圓不同點(diǎn)刻蝕速率不同的情況稱為非均勻性（或者稱為微負(fù)載），通常以百分比表示?？涛g技術(shù)可以通過控制刻蝕速率和深度來實(shí)現(xiàn)對材料的精確加工。南京反應(yīng)離子刻蝕

刻蝕技術(shù)可以通過控制刻蝕介質(zhì)的pH值和電位來實(shí)現(xiàn)不同的刻蝕效果。開封濕法刻蝕

材料刻蝕是一種制造微電子器件和微納米結(jié)構(gòu)的重要工藝，它通過化學(xué)反應(yīng)將材料表面的部分物質(zhì)去除，從而形成所需的結(jié)構(gòu)和形狀。以下是材料刻蝕的優(yōu)點(diǎn)：1.高精度：材料刻蝕可以制造出高精度的微納米結(jié)構(gòu)，其精度可以達(dá)到亞微米級別，比傳統(tǒng)的機(jī)械加工方法更加精細(xì)。2.高效性：材料刻蝕可以同時(shí)處理多個(gè)樣品，因此可以很大程度的提高生產(chǎn)效率。此外，材料刻蝕可以在短時(shí)間內(nèi)完成大量的加工工作，從而節(jié)省時(shí)間和成本。3.可重復(fù)性：材料刻蝕可以在不同的樣品上重復(fù)進(jìn)行，從而確保每個(gè)樣品的制造質(zhì)量和精度相同。這種可重復(fù)性是制造微電子器件和微納米結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵要素。4.可控性：材料刻蝕可以通過控制反應(yīng)條件和刻蝕速率來控制加工過程，從而實(shí)現(xiàn)對微納米結(jié)構(gòu)的形狀和尺寸的精確控制。這種可控性使得材料刻蝕成為制造微納米器件的理想工藝。5.適用性廣闊：材料刻蝕可以用于制造各種材料的微納米結(jié)構(gòu)，包括硅、金屬、半導(dǎo)體、聚合物等。這種廣闊的適用性使得材料刻蝕成為制造微納米器件的重要工藝之一。開封濕法刻蝕