LPCVD設(shè)備的工藝參數(shù)主要包括以下幾個(gè)方面：（1）氣體前驅(qū)體的種類和比例，影響了薄膜的組成和性能；（2）氣體前驅(qū)體的流量和壓力，影響了薄膜的沉積速率和均勻性；（3）反應(yīng)溫度和時(shí)間，影響了薄膜的結(jié)構(gòu)和...

晶圓鍵合開創(chuàng)量子安全通信硬件新架構(gòu)。磷化銦基量子點(diǎn)與硅波導(dǎo)低溫鍵合生成糾纏光子對，波長精確鎖定1550.12±0.01nm。城市光纖網(wǎng)絡(luò)中實(shí)現(xiàn)MDI-QKD密鑰生成速率12Mbps（400km），攻擊...

該研究所將晶圓鍵合技術(shù)與半導(dǎo)體材料回收再利用的需求相結(jié)合，探索其在晶圓減薄與剝離工藝中的應(yīng)用。在實(shí)驗(yàn)中，通過鍵合技術(shù)將待處理晶圓與臨時(shí)襯底結(jié)合，為后續(xù)的減薄過程提供支撐，處理完成后再通過特定工藝實(shí)...

真空鍍膜技術(shù)屬于表面處理技術(shù)的一類，應(yīng)用非常廣。主要應(yīng)用有一下幾類：光學(xué)膜:用于CCD、CMOS中的各種濾波片，高反鏡。功能膜:用于制造電阻、電容，半導(dǎo)體薄膜，刀具鍍膜，車燈，車燈罩，激光，太陽能等。...

電子束蒸發(fā)是目前真空鍍膜技術(shù)中一種成熟且主要的鍍膜方法，它解決了電阻加熱方式中鎢舟材料與蒸鍍源材料直接接觸容易互混的問題。同時(shí)在同一蒸發(fā)沉積裝置中可以安置多個(gè)坩堝，實(shí)現(xiàn)同時(shí)或分別蒸發(fā)，沉積多種不同的物...

晶圓鍵合賦能紅外成像主要組件升級。鍺硅異質(zhì)界面光學(xué)匹配層實(shí)現(xiàn)3-14μm寬波段增透，透過率突破理論極限達(dá)99%。真空密封腔體抑制熱噪聲，噪聲等效溫差壓至30mK。在邊境安防系統(tǒng)應(yīng)用中，夜間識(shí)別距離提升...

柵極氧化介電層除了純二氧化硅薄膜，也會(huì)用到氮氧化硅作為介質(zhì)層，之所以用氮氧化硅來作為柵極氧化介電層，一方面是因?yàn)楦趸璞龋趸杈哂休^高的介電常數(shù)，在相同的等效二氧化硅厚度下，其柵極漏電流會(huì)降低...

在磁控濺射中，靶材被放置在真空室中，高壓被施加到靶材以產(chǎn)生氣體離子的等離子體。離子被加速朝向目標(biāo)材料，這導(dǎo)致原子或離子從目標(biāo)材料中噴射出來，這一過程稱為濺射。噴射出的原子或離子穿過腔室并沉積在基板上形...

LPCVD設(shè)備中的工藝參數(shù)之間是相互影響和相互制約的，不能單獨(dú)考慮或調(diào)節(jié)。例如，反應(yīng)溫度、壓力、流量、種類和比例都會(huì)影響反應(yīng)速率和沉積速率，而沉積速率又會(huì)影響薄膜的厚度和時(shí)間。因此，為了得到理想的薄膜...

電子束蒸發(fā)蒸鍍?nèi)珂u(W）、鉬（Mo）等高熔點(diǎn)材料，需要在坩堝的結(jié)構(gòu)上做一定的改進(jìn)。高熔點(diǎn)的材料采用錠或者顆粒狀放在坩堝當(dāng)中，因?yàn)樗溘釄鍖?dǎo)熱過快，材料難以達(dá)到其蒸發(fā)的溫度。經(jīng)過實(shí)驗(yàn)的驗(yàn)證，蒸發(fā)高熔點(diǎn)的...

LPCVD技術(shù)是一種在低壓下進(jìn)行化學(xué)氣相沉積的技術(shù)，它有以下幾個(gè)優(yōu)點(diǎn)高質(zhì)量：LPCVD技術(shù)可以在低壓下進(jìn)行高溫沉積，使得氣相前驅(qū)體與襯底表面發(fā)生充分且均勻的化學(xué)反應(yīng)，形成高純度、低缺陷密度、低氫含量、...

LPCVD設(shè)備的設(shè)備構(gòu)造主要包括以下幾個(gè)部分：真空系統(tǒng)、氣體輸送系統(tǒng)、反應(yīng)室、加熱系統(tǒng)、溫度控制系統(tǒng)、壓力控制系統(tǒng)、流量控制系統(tǒng)等。LPCVD設(shè)備的發(fā)展趨勢主要有以下幾點(diǎn)：（1）為了降低襯底材料的熱損...