將模擬結(jié)果與實(shí)際曝光圖形對(duì)比,不斷修正模型參數(shù),使模擬預(yù)測(cè)的線寬與實(shí)際結(jié)果的偏差縮小到一定范圍。這種理論指導(dǎo)實(shí)驗(yàn)的研究模式,提高了電子束曝光工藝優(yōu)化的效率與精細(xì)度。科研人員探索了電子束曝光與原子層沉積...
電子束曝光在超導(dǎo)量子比特制造中實(shí)現(xiàn)亞微米約瑟夫森結(jié)的精確布局。通過100kV加速電壓的微束斑(<2nm)在鈮/鋁異質(zhì)結(jié)構(gòu)上直寫量子干涉器件,結(jié)區(qū)尺寸控制精度達(dá)±3nm。采用多層PMMA膠堆疊技術(shù)配合低...
晶圓鍵合賦能紅外成像主要組件升級(jí)。鍺硅異質(zhì)界面光學(xué)匹配層實(shí)現(xiàn)3-14μm寬波段增透,透過率突破理論極限達(dá)99%。真空密封腔體抑制熱噪聲,噪聲等效溫差壓至30mK。在邊境安防系統(tǒng)應(yīng)用中,夜間識(shí)別距離提升...
電子束曝光實(shí)現(xiàn)空間太陽能電站突破。砷化鎵電池陣表面構(gòu)建蛾眼減反結(jié)構(gòu),AM0條件下光電轉(zhuǎn)化效率達(dá)40%。輕量化碳化硅支撐框架通過桁架拓?fù)鋬?yōu)化,面密度降至0.8kg/m2。在軌測(cè)試數(shù)據(jù)顯示1m2模塊輸出功...
科研團(tuán)隊(duì)在晶圓鍵合的對(duì)準(zhǔn)技術(shù)上進(jìn)行改進(jìn),針對(duì)大尺寸晶圓鍵合中對(duì)準(zhǔn)精度不足的問題,開發(fā)了一套基于圖像識(shí)別的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)。該系統(tǒng)能實(shí)時(shí)捕捉晶圓邊緣的標(biāo)記點(diǎn),通過算法調(diào)整晶圓的相對(duì)位置,使對(duì)準(zhǔn)誤差控制在較小...
晶圓鍵合加速量子計(jì)算硬件落地。石英-超導(dǎo)共面波導(dǎo)鍵合實(shí)現(xiàn)微波精確操控,量子門保真度達(dá)99.99%。離子阱陣列精度<50nm,支持500量子比特并行操控?;裟犴f爾系統(tǒng)實(shí)測(cè)量子體積1024,較傳統(tǒng)架構(gòu)提升...
磁存儲(chǔ)器技術(shù)通過電子束曝光實(shí)現(xiàn)密度與能效突破。在垂直磁各向異性薄膜表面制作納米盤陣列,直徑20nm下仍保持單疇磁結(jié)構(gòu)。特殊設(shè)計(jì)的邊緣疇壁鎖定結(jié)構(gòu)提升熱穩(wěn)定性300%,使存儲(chǔ)單元臨界尺寸突破5nm物理極...
晶圓鍵合開創(chuàng)量子安全通信硬件新架構(gòu)。磷化銦基量子點(diǎn)與硅波導(dǎo)低溫鍵合生成糾纏光子對(duì),波長(zhǎng)精確鎖定1550.12±0.01nm。城市光纖網(wǎng)絡(luò)中實(shí)現(xiàn)MDI-QKD密鑰生成速率12Mbps(400km),攻擊...
針對(duì)電子束曝光在異質(zhì)結(jié)器件制備中的應(yīng)用,科研團(tuán)隊(duì)研究了不同材料界面處的圖形轉(zhuǎn)移規(guī)律。異質(zhì)結(jié)器件的多層材料可能具有不同的刻蝕選擇性,團(tuán)隊(duì)通過電子束曝光在頂層材料上制備圖形,再通過分步刻蝕工藝將圖形轉(zhuǎn)移到...
研究所將晶圓鍵合技術(shù)與深紫外發(fā)光二極管(UV-LED)的研發(fā)相結(jié)合,探索提升器件性能的新途徑。深紫外 LED 在消毒、醫(yī)療等領(lǐng)域有重要應(yīng)用,但其芯片散熱問題一直影響著器件的穩(wěn)定性和壽命??蒲袌F(tuán)隊(duì)嘗試通...
研究所將電子束曝光技術(shù)應(yīng)用于生物傳感器的微納電極制備中,探索其在跨學(xué)科領(lǐng)域的應(yīng)用。生物傳感器的電極尺寸與間距會(huì)影響檢測(cè)靈敏度,科研團(tuán)隊(duì)通過電子束曝光制備納米級(jí)間隙的電極對(duì),研究間隙尺寸與生物分子檢測(cè)信...
晶圓鍵合開創(chuàng)量子安全通信硬件新架構(gòu)。磷化銦基量子點(diǎn)與硅波導(dǎo)低溫鍵合生成糾纏光子對(duì),波長(zhǎng)精確鎖定1550.12±0.01nm。城市光纖網(wǎng)絡(luò)中實(shí)現(xiàn)MDI-QKD密鑰生成速率12Mbps(400km),攻擊...