LPCVD的關(guān)鍵硬件主要包括以下幾個(gè)部分：反應(yīng)器：LPCVD反應(yīng)器是用于進(jìn)行LPCVD制程的主要設(shè)備，它由一個(gè)密封的容器和一個(gè)加熱系統(tǒng)組成。根據(jù)反應(yīng)器的形狀和加熱方式的不同，LPCVD反應(yīng)器可以分為水平管式反應(yīng)器、垂直管式反應(yīng)器、單片反應(yīng)器等。水平管式反應(yīng)器是一種常用的LPCVD反應(yīng)器，它由一個(gè)水平放置的石英管和一個(gè)螺旋形的電阻絲加熱系統(tǒng)組成，可以同時(shí)處理多片襯底，具有較高的生產(chǎn)效率和較好的沉積均勻性。垂直管式反應(yīng)器是另一種常用的LPCVD反應(yīng)器，它由一個(gè)垂直放置的石英管和一個(gè)電磁感應(yīng)加熱系統(tǒng)組成，可以實(shí)現(xiàn)更高的沉積溫度和更快的沉積速率，適用于高溫沉積材料。衡量沉積質(zhì)量的主要指標(biāo)有均勻度、臺(tái)階覆蓋率、溝槽填充程度。貴州真空鍍膜設(shè)備
電子束真空鍍膜的物理過(guò)程：物理的氣相沉積技術(shù)的基本原理可分為三個(gè)工藝步驟：（1）電子束激發(fā)鍍膜材料金屬顆粒的氣化：即鍍膜材料的蒸發(fā)、升華從而形成氣化源，（2）鍍膜材料粒子（（原子、分子或離子）的遷移：由氣化源供出原子、分子或離子（原子團(tuán)、分子團(tuán)或離子團(tuán)）經(jīng)過(guò)碰撞，產(chǎn)生多種反應(yīng)。（3）鍍膜材料粒子在基片表面的沉積。LPCVD反應(yīng)的能量源是熱能，通常其溫度在500℃-1000℃之間，壓力在0.1Torr-2Torr以?xún)?nèi)，影響其沉積反應(yīng)的主要參數(shù)是溫度、壓力和氣體流量，它的主要特征是因?yàn)樵诘蛪涵h(huán)境下，反應(yīng)氣體的平均自由程及擴(kuò)散系數(shù)變大，膜厚均勻性好、臺(tái)階覆蓋性好。目前采用LPCVD工藝制作的主要材料有：多晶硅、單晶硅、非晶硅、氮化硅等。信陽(yáng)真空鍍膜廠家薄膜中存在的各種缺陷是產(chǎn)生本征應(yīng)力的主要原因，這些缺陷一般都是非平衡缺陷，但需要外界給予活化能。
PECVD（等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積或等離子體輔助化學(xué)氣相沉積），是一種利用等離子體在較低溫度下進(jìn)行沉積的一種薄膜生長(zhǎng)技術(shù)。等離子體中大部分原子或分子被電離，通常使用射頻(RF)產(chǎn)生，但也可以通過(guò)交流電(AC)或直流電(DC)在兩個(gè)平行電極之間放電產(chǎn)生。PECVD是一種基于真空的工藝，通常在<0.1Torr的壓力下進(jìn)行，允許相對(duì)較低的基板溫度，從室溫到300°C。通過(guò)利用等離子體為這些沉積反應(yīng)的發(fā)生提供能量，而不是將基板加熱到很高的的溫度來(lái)驅(qū)動(dòng)這些沉積反應(yīng)。由于PECVD沉積溫度較低，沉積的薄膜應(yīng)力較小，結(jié)合力更強(qiáng)。
對(duì)于典型的半導(dǎo)體應(yīng)用，基板被放置在兩個(gè)平行電極之間的沉積室中一個(gè)接地電極，通常是一個(gè)射頻通電電極.前體氣體如硅烷(SiH4)和氨(NH3)通常與惰性氣體如氬氣(Ar)或氮?dú)?N2)混合以控制過(guò)程。這些氣體通過(guò)基板上方的噴頭固定裝置引入腔室，有助于將氣體更均勻地分布到基板上。等離子體由電極之間的放電(100–300eV)點(diǎn)燃，在基板周?chē)l(fā)生啟輝，有助于產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)化學(xué)反應(yīng)的熱能。前體氣體分子與高能電子碰撞，然后通過(guò)氣流傳播到基板，在那里它們發(fā)生反應(yīng)并被吸收在基板表面上以生長(zhǎng)薄膜。然后將化學(xué)副產(chǎn)品抽走，完成沉積過(guò)程。真空鍍膜過(guò)程中需使用品質(zhì)高的鍍膜材料。
LPCVD設(shè)備中較少用的是旋轉(zhuǎn)式LPCVD設(shè)備和行星式LPCVD設(shè)備，因?yàn)槠渚哂薪Y(jié)構(gòu)復(fù)雜、操作困難、沉積速率低、產(chǎn)能小等缺點(diǎn)。旋轉(zhuǎn)式LPCVD設(shè)備和行星式LPCVD設(shè)備的主要優(yōu)點(diǎn)是可以通過(guò)旋轉(zhuǎn)襯底來(lái)改善薄膜的均勻性和厚度分布。旋轉(zhuǎn)式LPCVD設(shè)備和行星式LPCVD設(shè)備可以根據(jù)不同的旋轉(zhuǎn)方式進(jìn)行分類(lèi)。常見(jiàn)的分類(lèi)有以下幾種：（1）單軸旋轉(zhuǎn)式LPCVD設(shè)備，是指襯底只圍繞一個(gè)軸旋轉(zhuǎn)；（2）雙軸旋轉(zhuǎn)式LPCVD設(shè)備，是指襯底圍繞兩個(gè)軸旋轉(zhuǎn)；（3）多軸旋轉(zhuǎn)式LPCVD設(shè)備，是指襯底圍繞多個(gè)軸旋轉(zhuǎn)。真空鍍膜技術(shù)為產(chǎn)品提供可靠保護(hù)。山東LPCVD真空鍍膜
真空鍍膜設(shè)備需定期進(jìn)行維護(hù)保養(yǎng)。貴州真空鍍膜設(shè)備
LPCVD設(shè)備中常用的是水平式LPCVD設(shè)備，因?yàn)槠渚哂薪Y(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、操作方便、沉積速率高、產(chǎn)能大等優(yōu)點(diǎn)。水平式LPCVD設(shè)備可以根據(jù)不同的加熱方式進(jìn)行分類(lèi)。常見(jiàn)的分類(lèi)有以下幾種：（1）電阻絲加熱式LPCVD設(shè)備，是指使用電阻絲作為加熱元件，將電阻絲纏繞在反應(yīng)室外壁或內(nèi)壁上，通過(guò)電流加熱反應(yīng)室和襯底；（2）鹵素?zé)艏訜崾絃PCVD設(shè)備，是指使用鹵素?zé)糇鳛榧訜嵩?，將鹵素?zé)舭惭b在反應(yīng)室外壁或內(nèi)壁上，通過(guò)輻射加熱反應(yīng)室和襯底；（3）感應(yīng)加熱式LPCVD設(shè)備，是指使用感應(yīng)線圈作為加熱元件，將感應(yīng)線圈圍繞在反應(yīng)室外壁或內(nèi)壁上，通過(guò)電磁感應(yīng)加熱反應(yīng)室和襯底。貴州真空鍍膜設(shè)備
