隨著信息技術(shù)、光通信技術(shù)的迅猛發(fā)展，MEMS發(fā)展的又一領(lǐng)域是與光學(xué)相結(jié)合，即綜合微電子、微機(jī)械、光電子技術(shù)等基礎(chǔ)技術(shù)，開發(fā)新型光器件，稱為微光機(jī)電系統(tǒng)(MOEMS)。它能把各種MEMS結(jié)構(gòu)件與微光學(xué)器件、光波導(dǎo)器件、半導(dǎo)體激光器件、光電檢測(cè)器件等完整地集成在一起。形成一種全新的功能系統(tǒng)。MOEMS具有體積小、成本低、可批量生產(chǎn)、可精確驅(qū)動(dòng)和控制等特點(diǎn)。較成功的應(yīng)用科學(xué)研究主要集中在兩個(gè)方面:一是基于MOEMS的新型顯示、投影設(shè)備，主要研究如何通過(guò)反射面的物理運(yùn)動(dòng)來(lái)進(jìn)行光的空間調(diào)制，典型表示為數(shù)字微鏡陣列芯片和光柵光閥:二是通信系統(tǒng)，主要研究通過(guò)微鏡的物理運(yùn)動(dòng)來(lái)控制光路發(fā)生預(yù)期的改變，較成功的有光開關(guān)調(diào)制器、光濾波器及復(fù)用器等光通信器件。MOEMS是綜合性和學(xué)科交叉性很強(qiáng)的高新技術(shù)，開展這個(gè)領(lǐng)域的科學(xué)技術(shù)研究，可以帶動(dòng)大量的新概念的功能器件開發(fā)。晶片清洗過(guò)程是在不改變或損害晶片表面或基底除去的化學(xué)和顆粒雜質(zhì)。吉林新型半導(dǎo)體器件加工流程

半導(dǎo)體器件生產(chǎn)工藝流程主要有4個(gè)部分，即晶圓制造、晶圓測(cè)試、芯片封裝和封裝后測(cè)試。晶圓制造是指在硅晶圓上制作電路與電子元件如電晶體、電容體、邏輯閘等，整個(gè)流程工藝復(fù)雜，主要有晶圓清洗，熱氧化，光刻（涂膠、曝光、顯影），蝕刻，離子注入，擴(kuò)散，沉積和機(jī)械研磨等步驟，來(lái)完成晶圓上電路的加工與制作。晶圓測(cè)試是指對(duì)加工后的晶圓進(jìn)行晶片運(yùn)收測(cè)試其電氣特性。目的是監(jiān)控前道工藝良率，降低生產(chǎn)成本。芯片封裝是利用陶瓷或者塑料封裝晶粒及配線形成集成電路；起到固定，密封和保護(hù)電路的作用。封裝后測(cè)試則是對(duì)封裝好的芯片進(jìn)行性能測(cè)試，以保證器件封裝后的質(zhì)量和性能。四川半導(dǎo)體器件加工實(shí)驗(yàn)室半導(dǎo)體芯片封裝是指利用膜技術(shù)及細(xì)微加工技術(shù)。

半導(dǎo)體器件通常利用不同的半導(dǎo)體材料、采用不同的工藝和幾何結(jié)構(gòu)，已研制出種類繁多、功能用途各異的多種晶體二極，晶體二極管的頻率覆蓋范圍可從低頻、高頻、微波、毫米波、紅外直至光波。三端器件一般是有源器件，典型表示是各種晶體管（又稱晶體三極管）。晶體管又可以分為雙極型晶體管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管兩類。根據(jù)用途的不同，晶體管可分為功率晶體管微波晶體管和低噪聲晶體管。除了作為放大、振蕩、開關(guān)用的一般晶體管外，還有一些特殊用途的晶體管，如光晶體管、磁敏晶體管，場(chǎng)效應(yīng)傳感器等。這些器件既能把一些環(huán)境因素的信息轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，又有一般晶體管的放大作用得到較大的輸出信號(hào)。此外，還有一些特殊器件，如單結(jié)晶體管可用于產(chǎn)生鋸齒波，可控硅可用于各種大電流的控制電路，電荷耦合器件可用作攝橡器件或信息存儲(chǔ)器件等。

刻蝕技術(shù)是在半導(dǎo)體工藝，按照掩模圖形或設(shè)計(jì)要求對(duì)半導(dǎo)體襯底表面或表面覆蓋薄膜進(jìn)行選擇性腐蝕或剝離的技術(shù)?？涛g技術(shù)不只是半導(dǎo)體器件和集成電路的基本制造工藝，而且還應(yīng)用于薄膜電路、印刷電路和其他微細(xì)圖形的加工?？涛g還可分為濕法刻蝕和干法刻蝕。普通的刻蝕過(guò)程大致如下：先在表面涂敷一層光致抗蝕劑，然后透過(guò)掩模對(duì)抗蝕劑層進(jìn)行選擇性曝光，由于抗蝕劑層的已曝光部分和未曝光部分在顯影液中溶解速度不同，經(jīng)過(guò)顯影后在襯底表面留下了抗蝕劑圖形，以此為掩模就可對(duì)襯底表面進(jìn)行選擇性腐蝕。如果襯底表面存在介質(zhì)或金屬層，則選擇腐蝕以后，圖形就轉(zhuǎn)移到介質(zhì)或金屬層上。MEMS器件中摩擦表面的摩擦力主要是由于表面之間的分子相互作用力引起的，而不是由于載荷壓力引起。

晶圓的制作工藝流程：硅提純：將沙石原料放入一個(gè)溫度約為2000℃，并且有碳源存在的電弧熔爐中，在高溫下，碳和沙石中的二氧化硅進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)(碳與氧結(jié)合，剩下硅)，得到純度約為98%的純硅，又稱作冶金級(jí)硅，這對(duì)微電子器件來(lái)說(shuō)不夠純，因?yàn)榘雽?dǎo)體材料的電學(xué)特性對(duì)雜質(zhì)的濃度非常敏感，因此對(duì)冶金級(jí)硅進(jìn)行進(jìn)一步提純：將粉碎的冶金級(jí)硅與氣態(tài)的氯化氫進(jìn)行氯化反應(yīng)，生成液態(tài)的硅烷，然后通過(guò)蒸餾和化學(xué)還原工藝，得到了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.99%，成為電子級(jí)硅。二極管就是由一個(gè)PN結(jié)加上相應(yīng)的電極引線及管殼封裝而成的。吉林新型半導(dǎo)體器件加工流程

清洗是半導(dǎo)體制程的重要環(huán)節(jié)，也是影響半導(dǎo)體器件良率的較重要的因素之一。吉林新型半導(dǎo)體器件加工流程

半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間，利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來(lái)完成特定功能的電子器件，可用來(lái)產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信號(hào)和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體材料是硅、鍺或砷化鎵，可用作整流器、振蕩器、發(fā)光器、放大器、測(cè)光器等器材。為了與集成電路相區(qū)別，有時(shí)也稱為分立器件。絕大部分二端器件（即晶體二極管）的基本結(jié)構(gòu)是一個(gè)PN結(jié)。半導(dǎo)體器件由于性能優(yōu)異、體積小、重量輕和功耗低等特性，在防空反導(dǎo)、電子戰(zhàn)等系統(tǒng)中已得到普遍的應(yīng)用。吉林新型半導(dǎo)體器件加工流程

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所一直專注于面向半導(dǎo)體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領(lǐng)域，致力于打造***的公益性、開放性、支撐性樞紐中心。平臺(tái)擁有半導(dǎo)體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備，建立了一條實(shí)驗(yàn)室研發(fā)線和一條中試線，加工尺寸覆蓋2-6英寸（部分8英寸），同時(shí)形成了一支與硬件有機(jī)結(jié)合的專業(yè)人才隊(duì)伍。平臺(tái)當(dāng)前緊抓技術(shù)創(chuàng)新和公共服務(wù)，面向國(guó)內(nèi)外高校、科研院所以及企業(yè)提供開放共享，為技術(shù)咨詢、創(chuàng)新研發(fā)、技術(shù)驗(yàn)證以及產(chǎn)品中試提供支持。，是一家電子元器件的企業(yè)，擁有自己**的技術(shù)體系。目前我公司在職員工以90后為主，是一個(gè)有活力有能力有創(chuàng)新精神的團(tuán)隊(duì)。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所主營(yíng)業(yè)務(wù)涵蓋微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)，堅(jiān)持“質(zhì)量保證、良好服務(wù)、顧客滿意”的質(zhì)量方針，贏得廣大客戶的支持和信賴。公司力求給客戶提供全數(shù)良好服務(wù)，我們相信誠(chéng)實(shí)正直、開拓進(jìn)取地為公司發(fā)展做正確的事情，將為公司和個(gè)人帶來(lái)共同的利益和進(jìn)步。經(jīng)過(guò)幾年的發(fā)展，已成為微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)行業(yè)出名企業(yè)。