大功率激光系統(tǒng)通過(guò)離子束刻蝕實(shí)現(xiàn)衍射光學(xué)元件的性能變化，其多自由度束流控制技術(shù)達(dá)成波長(zhǎng)級(jí)加工精度。在國(guó)家點(diǎn)火裝置中，該技術(shù)成功制造500mm口徑的復(fù)雜光柵結(jié)構(gòu)，利用創(chuàng)新性的三軸聯(lián)動(dòng)算法優(yōu)化激光波前相位。突破性進(jìn)展在于建立加工形貌實(shí)時(shí)反饋系統(tǒng)，使高能激光的聚焦精度達(dá)到微米量級(jí)，為慣性約束聚變提供關(guān)鍵光學(xué)組件。離子束刻蝕在量子計(jì)算領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)里程碑突破，其低溫協(xié)同工藝完美平衡加工精度與量子相干性保護(hù)。在超導(dǎo)量子芯片制造中，該技術(shù)創(chuàng)新融合束流調(diào)控與超真空技術(shù)，在150K環(huán)境實(shí)現(xiàn)約瑟夫森結(jié)的原子級(jí)界面加工。突破性在于建立量子比特頻率在線監(jiān)測(cè)系統(tǒng)，將量子門(mén)保真度提升至99.99%實(shí)用水平，為1024位量子處理器工程化掃除關(guān)鍵障礙。深硅刻蝕設(shè)備的主要組成部分有反應(yīng)室， 真空系統(tǒng)，控制系統(tǒng)。上海深硅刻蝕材料刻蝕平臺(tái)
干法刻蝕設(shè)備是一種利用等離子體產(chǎn)生的高能離子和自由基，與被刻蝕材料發(fā)生物理碰撞和化學(xué)反應(yīng)，從而去除材料并形成所需特征的設(shè)備。干法刻蝕設(shè)備是半導(dǎo)體制造工藝中不可或缺的一種設(shè)備，它可以實(shí)現(xiàn)高縱橫比、高方向性、高精度、高均勻性、高重復(fù)性等性能，以滿(mǎn)足集成電路的不斷微型化和集成化的需求。干法刻蝕設(shè)備的制程主要包括以下幾個(gè)步驟：一是樣品加載，即將待刻蝕的樣品放置在設(shè)備中的電極上，并固定好；二是氣體供應(yīng)，即根據(jù)不同的工藝需求，向反應(yīng)室內(nèi)輸送不同種類(lèi)和比例的氣體，并控制好氣體流量和壓力；三是等離子體激發(fā)，即通過(guò)不同類(lèi)型的電源系統(tǒng)，向反應(yīng)室內(nèi)施加電場(chǎng)或磁場(chǎng)，從而激發(fā)出等離子體；四是刻蝕過(guò)程，即通過(guò)控制等離子體的密度、溫度、能量等參數(shù)，使等離子體中的活性粒子與樣品表面發(fā)生物理碰撞和化學(xué)反應(yīng)，從而去除材料并形成特征；五是終點(diǎn)檢測(cè)，即通過(guò)不同類(lèi)型的檢測(cè)系統(tǒng)，監(jiān)測(cè)樣品表面的反射光強(qiáng)度、電容變化、質(zhì)譜信號(hào)等指標(biāo)，從而確定刻蝕是否達(dá)到預(yù)期的結(jié)果；六是樣品卸載，即將刻蝕完成的樣品從設(shè)備中取出，并進(jìn)行后續(xù)的清洗、檢測(cè)和封裝等工藝。珠海IBE材料刻蝕廠商二氧化硅的濕法刻蝕可以使用氫氟酸（HF）作為刻蝕劑，通常在刻蝕溶液中加入氟化銨作為緩沖劑。
深硅刻蝕通是MEMS器件中重要的一環(huán)，其中使用較廣的是Bosch工藝，Bosch工藝的基本原理是在刻蝕腔體內(nèi)循環(huán)通入SF6和C4F8氣體，SF6在工藝中作為刻蝕氣體，C4F8作為保護(hù)氣體，C4F8在腔體內(nèi)被激發(fā)會(huì)生成CF2-CF2高分子薄膜沉積在刻蝕區(qū)域，在SF6和RFPower的共同作用下，底部的刻蝕速率高于側(cè)壁，從而對(duì)側(cè)壁形成保護(hù)，這樣便能實(shí)現(xiàn)高深寬比的硅刻蝕，通常深寬比能達(dá)到40：1。離子束蝕刻 (Ion beam etch) 是一種物理干法蝕刻工藝。由此，氬離子以約1至3keV的離子束輻射到表面上。
離子束刻蝕技術(shù)通過(guò)惰性氣體離子對(duì)材料表面的物理轟擊實(shí)現(xiàn)原子級(jí)去除，其非化學(xué)反應(yīng)特性為敏感器件加工提供理想解決方案。該技術(shù)特有的方向性控制能力可精確調(diào)控離子入射角度，在量子材料表面形成接近垂直的納米結(jié)構(gòu)側(cè)壁。其真空加工環(huán)境完美規(guī)避化學(xué)反應(yīng)殘留物污染，保障超導(dǎo)量子比特的波函數(shù)完整性。在芯片制造領(lǐng)域，該技術(shù)已成為磁存儲(chǔ)器界面工程的選擇，通過(guò)獨(dú)特的能量梯度設(shè)計(jì)消除熱損傷，使新型自旋電子器件在納米尺度展現(xiàn)完美磁學(xué)特性?？涛g是用化學(xué)或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過(guò)程，主要對(duì)各種薄膜以及體硅進(jìn)行加工。
氮化鎵是一種具有優(yōu)異的光電性能和高溫穩(wěn)定性的寬禁帶半導(dǎo)體材料，廣泛應(yīng)用于微波、光電、太赫茲等領(lǐng)域的高性能器件，如激光二極管、發(fā)光二極管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管等。為了制備這些器件，需要對(duì)氮化鎵材料進(jìn)行精密的刻蝕處理，形成所需的結(jié)構(gòu)和圖案。TSV制程是一種通過(guò)硅片或芯片的垂直電氣連接的技術(shù)，它可以實(shí)現(xiàn)三維封裝和三維集成電路的高性能互連。TSV制程具有以下幾個(gè)優(yōu)點(diǎn)：?可以縮小封裝的尺寸和重量，提高集成度和可靠性；?可以降低互連的延遲和功耗，提高帶寬和信號(hào)完整性；?可以實(shí)現(xiàn)不同功能和材料的芯片堆疊，增強(qiáng)系統(tǒng)的靈活性和多樣性。隨著半導(dǎo)體工業(yè)對(duì)集成電路微型化和集成化的需求不斷增加，將在制造高性能、高功能和高可靠性發(fā)揮作用。上海深硅刻蝕材料刻蝕平臺(tái)
深硅刻蝕設(shè)備的主要工藝類(lèi)型有兩種：Bosch工藝和非Bosch工藝。上海深硅刻蝕材料刻蝕平臺(tái)
濕法刻蝕是較為原始的刻蝕技術(shù)，利用溶液與薄膜的化學(xué)反應(yīng)去除薄膜未被保護(hù)掩模覆蓋的部分，從而達(dá)到刻蝕的目的。其反應(yīng)產(chǎn)物必須是氣體或可溶于刻蝕劑的物質(zhì)，否則會(huì)出現(xiàn)反應(yīng)物沉淀的問(wèn)題，影響刻蝕的正常進(jìn)行。通常，使用濕法刻蝕處理的材料包括硅，鋁和二氧化硅等。二氧化硅的濕法刻蝕可以使用氫氟酸（HF）作為刻蝕劑，但是在反應(yīng)過(guò)程中會(huì)不斷消耗氫氟酸，從而導(dǎo)致反應(yīng)速率逐漸降低。為了避免這種現(xiàn)象的發(fā)生，通常在刻蝕溶液中加入氟化銨作為緩沖劑，形成的刻蝕溶液稱(chēng)為BOE。氟化銨通過(guò)分解反應(yīng)產(chǎn)生氫氟酸，維持氫氟酸的恒定濃度。上海深硅刻蝕材料刻蝕平臺(tái)
