在真空中把金屬、合金或化合物進(jìn)行蒸發(fā)(或?yàn)R射)，使其沉積在被涂覆的物體(稱基片、基板或基體)上的方法稱為真空鍍膜法。真空蒸鍍簡稱蒸鍍，是在真空條件下，用一定的方法加熱鍛膜材料(簡稱膜料)使之氣化，并沉積在工件表面形成固態(tài)薄膜。以動(dòng)量傳遞的方法，用荷能粒子轟擊材料表面，使其表面原子獲得足夠的能量而飛逸出來的過程稱為濺射。離子鍍膜技術(shù)簡稱離子鍍，離子鍍是在真空條件下，利用氣體放電使氣體或被蒸發(fā)物質(zhì)部分電離，在氣體離子或被蒸發(fā)物質(zhì)離子轟擊作用的同時(shí)把蒸發(fā)物質(zhì)或其反應(yīng)產(chǎn)物沉積在基片上。電阻加熱蒸鍍是用絲狀或片狀的鎢、鉬、鉭高熔點(diǎn)金屬做成適當(dāng)形狀的蒸發(fā)源，將膜料放在其中，接通電源，電阻直接加熱膜料而使其蒸發(fā)。鍍膜層在真空條件下均勻附著于基材。珠海貴金屬真空鍍膜
真空鍍膜的優(yōu)點(diǎn)：1、鍍覆材料廣，可作為真空鍍蒸發(fā)材料有幾十種，包括金屬、合金和非金屬。真空鍍膜加工還可以像多層電鍍一樣，加工出多層結(jié)構(gòu)的復(fù)合膜，滿足對(duì)涂層各種不同性能的需求；2、真空鍍膜技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)不能通過電沉積方法形成鍍層的涂覆：如鋁、鈦、鋯等鍍層，甚至陶瓷和金剛石涂層，這是十分難能可貴的；3、真空鍍膜性能優(yōu)良：真空鍍膜厚度遠(yuǎn)小于電鍍層，但涂層的耐摩擦和耐腐蝕性能良好，孔隙率低，而且無氫脆現(xiàn)象，相對(duì)電鍍加工而言可以節(jié)約大量金屬材料；4、環(huán)境效益優(yōu)異：真空鍍膜加工設(shè)備簡單、占地面積小、生產(chǎn)環(huán)境優(yōu)雅潔凈，無污水排放，不會(huì)對(duì)環(huán)境和操作者造成危害。在注重環(huán)境保護(hù)和大力推行清潔生產(chǎn)的形勢下，真空鍍膜技術(shù)在許多方面可以取代電鍍加工。七彩真空鍍膜真空鍍膜工藝流程真空鍍膜在航空航天領(lǐng)域有重要應(yīng)用。
電子束蒸發(fā)是目前真空鍍膜技術(shù)中一種成熟且主要的鍍膜方法，它解決了電阻加熱方式中鎢舟材料與蒸鍍?cè)床牧现苯咏佑|容易互混的問題。同時(shí)在同一蒸發(fā)沉積裝置中可以安置多個(gè)坩堝，實(shí)現(xiàn)同時(shí)或分別蒸發(fā)，沉積多種不同的物質(zhì)。通過電子束蒸發(fā)，任何材料都可以被蒸發(fā)，不同材料需要采用不同類型的坩堝以獲得所要達(dá)到的蒸發(fā)速率。電子束蒸發(fā)可以蒸發(fā)高熔點(diǎn)材料，比一般電阻加熱蒸發(fā)熱效率高、束流密度大、蒸發(fā)速度快，制成的薄膜純度高、質(zhì)量好，通過晶振控制，厚度可以較準(zhǔn)確地控制，可以廣泛應(yīng)用于制備高純薄膜和各種光學(xué)材料薄膜。電子束蒸發(fā)的金屬粒子只能考自身能量附著在襯底表面，臺(tái)階覆蓋性比較差，如果需要追求臺(tái)階覆蓋性和薄膜粘附力，建議使用磁控濺射。
首先，通過一個(gè)電子槍生成一個(gè)高能電子束。電子槍一般包括一個(gè)發(fā)射電子的熱陰極（通常是加熱的鎢絲）和一個(gè)加速電子的陽極。電子槍的工作是通過電場和磁場將電子束引導(dǎo)并加速到目標(biāo)材料。電子束撞擊目標(biāo)材料，將其能量轉(zhuǎn)化為熱能，使目標(biāo)材料加熱到蒸發(fā)溫度。蒸發(fā)的材料原子或分子在真空中飛行到基板表面，并在那里冷凝，形成薄膜。因?yàn)檫@個(gè)過程在真空中進(jìn)行，所以蒸發(fā)的原子或分子在飛行過程中基本不會(huì)與其他氣體分子相互作用，這有助于形成高質(zhì)量的薄膜。與其他低成本的PVD工藝相比，電子束蒸發(fā)還具有非常高的材料利用效率。電子束系統(tǒng)加熱目標(biāo)源材料，而不是整個(gè)坩堝，從而降低了坩堝的污染程度。通過將能量集中在目標(biāo)而不是整個(gè)真空室上，它有助于減少對(duì)基板造成熱損壞的可能性?？梢允褂枚噗釄咫娮邮舭l(fā)器在不破壞真空的情況下應(yīng)用來自不同目標(biāo)材料的幾層不同涂層，使其很容易適應(yīng)各種剝離掩模技術(shù)。真空鍍膜技術(shù)是現(xiàn)代制造業(yè)的重要支柱。
通常在真空鍍膜中制備的薄膜與襯底的粘附主要與一下幾個(gè)因素有關(guān)：1.襯底表面的清潔度；2.制備時(shí)腔體的本底真空度；3.襯底表面的預(yù)處理。襯底的清潔度會(huì)嚴(yán)重影響薄膜的粘附力，也可能導(dǎo)致制備的薄膜在臟污處出現(xiàn)應(yīng)力集中甚至導(dǎo)致開裂；設(shè)備的本底真空也是影響粘附力的重要5因素，對(duì)于磁控濺射來說，通常要保證設(shè)備的本底真空盡量低于5E-6Torr；對(duì)于某些襯底表面，通?？梢允褂玫入x子體對(duì)其進(jìn)行預(yù)處理，也能很大程度增加薄膜的粘附力。真空鍍膜過程中需嚴(yán)格控制鍍膜時(shí)間。汕頭真空鍍膜加工
鍍膜層能明顯提升產(chǎn)品的抗沖擊性能。珠海貴金屬真空鍍膜
在磁控濺射中，靶材被放置在真空室中，高壓被施加到靶材以產(chǎn)生氣體離子的等離子體。離子被加速朝向目標(biāo)材料，這導(dǎo)致原子或離子從目標(biāo)材料中噴射出來，這一過程稱為濺射。噴射出的原子或離子穿過腔室并沉積在基板上形成薄膜。磁控濺射的主要優(yōu)勢在于它能夠沉積具有出色附著力、均勻性和再現(xiàn)性的高質(zhì)量薄膜。磁控濺射還可以精確控制薄膜的成分、厚度和結(jié)構(gòu)，使其適用于制造先進(jìn)的器件和材料。磁控濺射可以使用各種類型的靶材進(jìn)行，包括金屬、半導(dǎo)體和陶瓷。靶材的選擇取決于薄膜的所需特性和應(yīng)用。例如，金屬靶通常用于沉積金屬薄膜，而半導(dǎo)體靶則用于沉積半導(dǎo)體薄膜。磁控濺射中薄膜的沉積速率通常很高，從每秒幾納米到每小時(shí)幾微米不等，具體取決于靶材的類型、基板溫度和壓力?？梢酝ㄟ^調(diào)節(jié)腔室中的功率密度和氣體壓力來控制沉積速率。珠海貴金屬真空鍍膜
