柵極氧化介電層除了純二氧化硅薄膜，也會用到氮氧化硅作為介質(zhì)層，之所以用氮氧化硅來作為柵極氧化介電層，一方面是因為跟二氧化硅比，氮氧化硅具有較高的介電常數(shù)，在相同的等效二氧化硅厚度下，其柵極漏電流會降低；另一方面，氮氧化硅中的氮對PMOS多晶硅中硼元素有較好的阻擋作用，它可以防止離子注入和隨后的熱處理過程中，硼元素穿過柵極氧化層到溝道，引起溝道摻雜濃度的變化，從而影響閾值電壓的控制。作為柵極氧化介電層的氮氧化硅必須要有比較好的薄膜特性及工藝可控性，所以一般的工藝是先形成一層致密的、很薄的、高質(zhì)量的二氧化硅層，然后通過對二氧化硅的氮化來實現(xiàn)的。真空鍍膜可明顯提高產(chǎn)品的使用壽命。蚌埠來料真空鍍膜
目前認為濺射現(xiàn)象是彈性碰撞的直接結(jié)果，濺射完全是動能的交換過程。當正離子轟擊陰極靶，入射離子撞擊靶表面上的原子時，產(chǎn)生彈性碰撞，它直接將其動能傳遞給靶表面上的某個原子或分子，該表面原子獲得動能再向靶內(nèi)部原子傳遞，經(jīng)過一系列的級聯(lián)碰撞過程，當其中某一個原子或分子獲得指向靶表面外的動量，并且具有了克服表面勢壘(結(jié)合能)的能量，它就可以脫離附近其它原子或分子的束縛，逸出靶面而成為濺射原子。ITO薄膜的磁控濺射靶主要分為InSn合金靶、In2O3-SnO2陶瓷靶兩類。在用合金靶制備ITO薄膜時,由于濺射過程中作為反應(yīng)氣體的氧會和靶發(fā)生很強的電化學反應(yīng),靶面覆蓋一層化合物,使濺射蝕損區(qū)域縮得很小(俗稱“靶中毒”),以至很難用直流濺射的方法穩(wěn)定地制備出高質(zhì)的ITO膜。陶瓷靶因能抑制濺射過程中氧的選擇性濺射,能穩(wěn)定地將金屬銦和錫與氧的反應(yīng)物按所需的化學配比穩(wěn)定地成膜,故無中毒現(xiàn)象,工藝窗口寬,穩(wěn)定性好。湖南真空鍍膜服務(wù)價格降低PVD制備薄膜的應(yīng)力，可以提高襯底溫度，有利于薄膜和襯底間原子擴散，并加速反應(yīng)過程。
使用PECVD，高能電子可以將氣體分子激發(fā)到足夠活躍的狀態(tài)，使得在相對低溫下就能發(fā)生化學反應(yīng)。這對于敏感于高溫或者不能承受高溫處理的材料（如塑料）來說是一個重要的優(yōu)勢。等離子體中的反應(yīng)物質(zhì)具有很高的動能，可以使得它們在各種表面，包括垂直和傾斜的表面上發(fā)生化學反應(yīng)。這就使得PECVD可以在基板的全范圍內(nèi)，包括難以接觸的區(qū)域，形成高質(zhì)量的薄膜。在PECVD過程中，射頻能量引發(fā)原料氣體形成等離子體。這個等離子體由高能電子和離子組成，它們能夠在各種表面進行化學反應(yīng)。這就使得反應(yīng)物質(zhì)能夠均勻地分布在整個基板上，從而形成均勻的薄膜。且PECVD可以在相對低溫下進行，因此基板上的熱效應(yīng)對薄膜的形成影響較小。這進一步有助于保持薄膜的均勻性。
介質(zhì)薄膜是重要的半導(dǎo)體薄膜之一。它可用作電路間的絕緣層，掩蔽半導(dǎo)體主要元件的相互擴散和漏電現(xiàn)象，從而進一步改善半導(dǎo)體操作性能的可靠性；它還可用作保護膜，在半導(dǎo)體制程的環(huán)節(jié)生成保護膜，保護芯片不受外部沖擊；或用作隔離膜，在堆疊一層層元件后進行刻蝕時，防止無需移除的部分被刻蝕。淺槽隔離（STI，ShallowTrenchIsolation）和金屬層間電介質(zhì)層（就是典型的例子。沉積材料主要有二氧化硅（SiO2），碳化硅（SiC）和氮化硅（SiN）等。鍍膜層能有效提升產(chǎn)品的抗疲勞性能。
LPCVD設(shè)備中較新的是垂直式LPCVD設(shè)備，因為其具有結(jié)構(gòu)緊湊、氣體分布均勻、薄膜厚度一致、顆粒污染少等優(yōu)點。垂直式LPCVD設(shè)備可以根據(jù)不同的氣體流動方式進行分類。常見的分類有以下幾種：（1）層流式垂直LPCVD設(shè)備，是指氣體從反應(yīng)室下方進入，沿著垂直方向平行流動，從反應(yīng)室上方排出；（2）湍流式垂直LPCVD設(shè)備，是指氣體從反應(yīng)室下方進入，沿著垂直方向紊亂流動，從反應(yīng)室上方排出；（3）對流式垂直LPCVD設(shè)備，是指氣體從反應(yīng)室下方進入，沿著垂直方向循環(huán)流動，從反應(yīng)室下方排出。真空鍍膜在太陽能領(lǐng)域有普遍應(yīng)用。平頂山真空鍍膜儀
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真空鍍膜的優(yōu)點：1、鍍覆材料廣，可作為真空鍍蒸發(fā)材料有幾十種，包括金屬、合金和非金屬。真空鍍膜加工還可以像多層電鍍一樣，加工出多層結(jié)構(gòu)的復(fù)合膜，滿足對涂層各種不同性能的需求；2、真空鍍膜技術(shù)可以實現(xiàn)不能通過電沉積方法形成鍍層的涂覆：如鋁、鈦、鋯等鍍層，甚至陶瓷和金剛石涂層，這是十分難能可貴的；3、真空鍍膜性能優(yōu)良：真空鍍膜厚度遠小于電鍍層，但涂層的耐摩擦和耐腐蝕性能良好，孔隙率低，而且無氫脆現(xiàn)象，相對電鍍加工而言可以節(jié)約大量金屬材料；4、環(huán)境效益優(yōu)異：真空鍍膜加工設(shè)備簡單、占地面積小、生產(chǎn)環(huán)境優(yōu)雅潔凈，無污水排放，不會對環(huán)境和操作者造成危害。在注重環(huán)境保護和大力推行清潔生產(chǎn)的形勢下，真空鍍膜技術(shù)在許多方面可以取代電鍍加工。蚌埠來料真空鍍膜
