貴陽真空鍍膜設(shè)備

熱氧化是在一定的溫度和氣體條件下，使硅片表面氧化一定厚度的氧化硅的。主要有干法氧化和濕法氧化，干法氧化是在硅片表面通入氧氣，硅片與氧化反應(yīng)生成氧化硅，氧化速率比較慢，氧化膜厚容易控制。濕法氧化在爐管當(dāng)中通入氧氣和氫氣，兩者反應(yīng)生長水蒸氣，水蒸氣與硅片表面反應(yīng)生長氧化硅，濕法氧化，速率比較快，可以生長比較厚的薄膜。直流（DC）磁控濺射與氣壓的關(guān)系-在一定范圍內(nèi)提高離化率（盡量小的壓強下維持高的離化率）、提高均勻性要增加壓強和保證薄膜純度、提高薄膜附著力要減小壓強的矛盾，產(chǎn)生一個平衡。提供一個額外的電子源，而不是從靶陰極獲得電子。實現(xiàn)低壓濺射（壓強小于0.1帕）。射頻（RF）磁控濺射特點-射頻方法可以被用來產(chǎn)生濺射效應(yīng)的原因是它可以在靶材上產(chǎn)生自偏壓效應(yīng)。在射頻濺射裝置中，擊穿電壓和放電電壓明顯降低。不必再要求靶材一定要是導(dǎo)電體。真空鍍膜過程需嚴(yán)格監(jiān)控鍍膜速度。貴陽真空鍍膜設(shè)備

LPCVD設(shè)備的設(shè)備構(gòu)造可以根據(jù)不同的反應(yīng)室形狀和襯底放置方式進行分類。常見的分類有以下幾種：（1）水平式LPCVD設(shè)備，是指反應(yīng)室呈水平圓筒形，襯底水平放置在反應(yīng)室內(nèi)部或外部的托盤上，氣體從一端進入，從另一端排出；（2）垂直式LPCVD設(shè)備，是指反應(yīng)室呈垂直圓筒形，襯底垂直放置在反應(yīng)室內(nèi)部或外部的架子上，氣體從下方進入，從上方排出；（3）旋轉(zhuǎn)式LPCVD設(shè)備，是指反應(yīng)室呈水平或垂直圓筒形，襯底放置在反應(yīng)室內(nèi)部或外部可以旋轉(zhuǎn)的盤子上，氣體從一端進入，從另一端排出；（4）行星式LPCVD設(shè)備，是指反應(yīng)室呈水平或垂直圓筒形，襯底放置在反應(yīng)室內(nèi)部或外部可以旋轉(zhuǎn)并圍繞中心軸轉(zhuǎn)動的盤子上，氣體從一端進入，從另一端排出。佛山真空鍍膜加工廠商PECVD主要應(yīng)用在芯片制造、太陽能電池、光伏等領(lǐng)域。

在真空中把金屬、合金或化合物進行蒸發(fā)(或濺射)，使其沉積在被涂覆的物體(稱基片、基板或基體)上的方法稱為真空鍍膜法。真空蒸鍍簡稱蒸鍍，是在真空條件下，用一定的方法加熱鍛膜材料(簡稱膜料)使之氣化，并沉積在工件表面形成固態(tài)薄膜。以動量傳遞的方法，用荷能粒子轟擊材料表面，使其表面原子獲得足夠的能量而飛逸出來的過程稱為濺射。離子鍍膜技術(shù)簡稱離子鍍，離子鍍是在真空條件下，利用氣體放電使氣體或被蒸發(fā)物質(zhì)部分電離，在氣體離子或被蒸發(fā)物質(zhì)離子轟擊作用的同時把蒸發(fā)物質(zhì)或其反應(yīng)產(chǎn)物沉積在基片上。電阻加熱蒸鍍是用絲狀或片狀的鎢、鉬、鉭高熔點金屬做成適當(dāng)形狀的蒸發(fā)源，將膜料放在其中，接通電源，電阻直接加熱膜料而使其蒸發(fā)。

使用PECVD，高能電子可以將氣體分子激發(fā)到足夠活躍的狀態(tài)，使得在相對低溫下就能發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。這對于敏感于高溫或者不能承受高溫處理的材料（如塑料）來說是一個重要的優(yōu)勢。等離子體中的反應(yīng)物質(zhì)具有很高的動能，可以使得它們在各種表面，包括垂直和傾斜的表面上發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。這就使得PECVD可以在基板的全范圍內(nèi)，包括難以接觸的區(qū)域，形成高質(zhì)量的薄膜。在PECVD過程中，射頻能量引發(fā)原料氣體形成等離子體。這個等離子體由高能電子和離子組成，它們能夠在各種表面進行化學(xué)反應(yīng)。這就使得反應(yīng)物質(zhì)能夠均勻地分布在整個基板上，從而形成均勻的薄膜。且PECVD可以在相對低溫下進行，因此基板上的熱效應(yīng)對薄膜的形成影響較小。這進一步有助于保持薄膜的均勻性。真空鍍膜過程中需避免鍍膜材料污染。

LPCVD設(shè)備的工藝參數(shù)還需要考慮以下幾個方面的因素：（1）氣體前驅(qū)體的純度和穩(wěn)定性，影響了薄膜的雜質(zhì)含量和沉積速率；（2）氣體前驅(qū)體的分解和聚合特性，影響了薄膜的化學(xué)成分和結(jié)構(gòu)形貌；（3）反應(yīng)了室內(nèi)的氣體流動和分布特性，影響了薄膜的厚度均勻性和顆粒污染；（4）襯底材料的熱膨脹和熱應(yīng)力特性，影響了襯底材料的形變和開裂；（5）襯底材料和氣體前驅(qū)體之間的相容性和反應(yīng)性，影響了襯底材料和薄膜之間的界面反應(yīng)和相變。真空鍍膜過程中需防止塵埃污染。福州真空鍍膜工藝

鍍膜層能明顯提高產(chǎn)品的隔熱性能。貴陽真空鍍膜設(shè)備

電子束真空鍍膜的物理過程：物理的氣相沉積技術(shù)的基本原理可分為三個工藝步驟：（1）電子束激發(fā)鍍膜材料金屬顆粒的氣化：即鍍膜材料的蒸發(fā)、升華從而形成氣化源，（2）鍍膜材料粒子（（原子、分子或離子）的遷移：由氣化源供出原子、分子或離子（原子團、分子團或離子團）經(jīng)過碰撞，產(chǎn)生多種反應(yīng)。（3）鍍膜材料粒子在基片表面的沉積。LPCVD反應(yīng)的能量源是熱能，通常其溫度在500℃-1000℃之間，壓力在0.1Torr-2Torr以內(nèi)，影響其沉積反應(yīng)的主要參數(shù)是溫度、壓力和氣體流量，它的主要特征是因為在低壓環(huán)境下，反應(yīng)氣體的平均自由程及擴散系數(shù)變大，膜厚均勻性好、臺階覆蓋性好。目前采用LPCVD工藝制作的主要材料有：多晶硅、單晶硅、非晶硅、氮化硅等。貴陽真空鍍膜設(shè)備