梁溪區(qū)質(zhì)量集成電路圖片

16、FQFP（fine pitch quad flat package）小引腳中心距QFP。通常指引腳中心距小于0.65mm的QFP（見QFP）。部分導(dǎo)導(dǎo)體廠家采用此名稱。17、CPAC（globe top pad array carrier）美國Motorola公司對BGA的別稱（見BGA）。18、CQFP（quad fiat package with guard ring）帶保護環(huán)的四側(cè)引腳扁平封裝。塑料QFP之一，引腳用樹脂保護環(huán)掩蔽，以防止彎曲變形。在把LSI組裝在印刷基板上之前，從保護環(huán)處切斷引腳并使其成為海鷗翼狀（L形狀）。這種封裝在美國Motorola公司已批量生產(chǎn)。引腳中心距0.5mm，引腳數(shù)**多為208左右。模擬集成電路又稱線性電路,用來產(chǎn)生、放大和處理各種模擬信號（指幅度隨時間變化的信號。梁溪區(qū)質(zhì)量集成電路圖片

3、嚴(yán)禁在無隔離變壓器的情況下，用已接地的測試設(shè)備去接觸底板帶電的電視、音響、錄像等設(shè)備嚴(yán)禁用外殼已接地的儀器設(shè)備直接測試無電源隔離變壓器的電視、音響、錄像等設(shè)備。雖然一般的收錄機都具有電源變壓器，當(dāng)接觸到較特殊的尤其是輸出功率較大或?qū)Σ捎玫碾娫葱再|(zhì)不太了解的電視或音響設(shè)備時，首先要弄清該機底盤是否帶電，否則極易與底板帶電的電視、音響等設(shè)備造成電源短路，波及集成電路，造成故障的進一步擴大。4、要注意電烙鐵的絕緣性能不允許帶電使用烙鐵焊接，要確認(rèn)烙鐵不帶電，比較好把烙鐵的外殼接地，對MOS電路更應(yīng)小心，能采用6~8V的低壓電烙鐵就更安全。江陰好的集成電路產(chǎn)品介紹用集成電路來裝配電子設(shè)備，其裝配密度比晶體管可提高幾十倍至幾千倍，設(shè)備的穩(wěn)定工作時間也可提高。

26、L－QUAD陶瓷QFP之一。封裝基板用氮化鋁，基導(dǎo)熱率比氧化鋁高7～8倍，具有較好的散熱性。封裝的框架用氧化鋁，芯片用灌封法密封，從而抑制了成本。是為邏輯LSI開發(fā)的一種封裝，在自然空冷條件下可容許W3的功率?，F(xiàn)已開發(fā)出了208引腳（0.5mm中心距）和160引腳（0.65mm中心距）的LSI邏輯用封裝，并于1993年10月開始投入批量生產(chǎn)。27、MCM（multi-chip module）多芯片組件。將多塊半導(dǎo)體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝。根據(jù)基板材料可分為MCM－L，MCM－C 和MCM－D三大類。MCM－L是使用通常的玻璃環(huán)氧樹脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎么高，成本較低。 MCM－C是用厚膜技術(shù)形成多層布線，以陶瓷（氧化鋁或玻璃陶瓷）作為基板的組件，與使用多層陶瓷基板的厚膜混合IC類似。兩者無明顯差別。布線密度高于MCM－L。

按外形分集成電路按外形可分為圓形（金屬外殼晶體管封裝型，一般適合用于大功率）、扁平型（穩(wěn)定性好，體積?。┖碗p列直插型。集成電路發(fā)展歷史中國集成電路產(chǎn)業(yè)誕生于六十年代，共經(jīng)歷了三個發(fā)展階段：1965年-1978年：以計算機和**配套為目標(biāo)，以開發(fā)邏輯電路為主要產(chǎn)品，初步建立集成電路工業(yè)基礎(chǔ)及相關(guān)設(shè)備、儀器、材料的配套條件1978年-1990年：主要引進美國二手設(shè)備，改善集成電路裝備水平，在“治散治亂”的同時，以消費類整機作為配套重點，較好地解決了彩電集成電路的國產(chǎn)化例如5G手機、數(shù)碼相機、電腦CPU、數(shù)字電視的邏輯控制和重放的音頻信號和視頻信號）。

凸點陳列載體，BGA的別稱（見BGA）。34、PCLP（printed circuit board leadless package）印刷電路板無引線封裝。日本富士通公司對塑料QFN（塑料LCC）采用的名稱（見QFN）。引腳中心距有0.55mm和0.4mm兩種規(guī)格。35、PFPF（plastic flat package）塑料扁平封裝。塑料QFP的別稱（見QFP）。部分LSI廠家采用的名稱。36、PGA（pin grid array）集成電路陳列引腳封裝。插裝型封裝之一，其底面的垂直引腳呈陳列狀排列。封裝基材基本上都采用多層陶瓷基板。在未專門表示出材料名稱的情況下，多數(shù)為陶瓷PGA，用于高速大規(guī)模邏輯LSI電路。焊接時確實焊牢，焊錫的堆積、氣孔容易造成虛焊。新吳區(qū)好的集成電路服務(wù)熱線

DIP是普及的插裝型封裝，應(yīng)用范圍包括標(biāo)準(zhǔn)邏輯IC，存貯器LSI，微機電路等。梁溪區(qū)質(zhì)量集成電路圖片

使用單晶硅晶圓（或III-V族，如砷化鎵）用作基層。然后使用微影、擴散、CMP等技術(shù)制成MOSFET或BJT等組件，然后利用微影、薄膜、和CMP技術(shù)制成導(dǎo)線，如此便完成芯片制作。因產(chǎn)品性能需求及成本考量，導(dǎo)線可分為鋁制程和銅制程。IC由很多重疊的層組成，每層由圖像技術(shù)定義，通常用不同的顏色表示。一些層標(biāo)明在哪里不同的摻雜劑擴散進基層（成為擴散層），一些定義哪里額外的離子灌輸（灌輸層），一些定義導(dǎo)體（多晶硅或金屬層），一些定義傳導(dǎo)層之間的連接（過孔或接觸層）。所有的組件由這些層的特定組合構(gòu)成。梁溪區(qū)質(zhì)量集成電路圖片

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