濱湖區(qū)常見集成電路廠家供應(yīng)

11、DSO（dual small out-lint）雙側(cè)引腳小外形封裝。SOP的別稱（見SOP）。部分半導(dǎo)體廠家采用此名稱。12、DICP（dual tape carrier package）集成電路雙側(cè)引腳帶載封裝。TCP（帶載封裝）之一。引腳制作在絕緣帶上并從封裝兩側(cè)引出。由于利用的是TAB（自動帶載焊接）技術(shù)，封裝外形非常薄。常用于液晶顯示驅(qū)動LSI，但多數(shù)為定制品。另外，0.5mm厚的存儲器LSI簿形封裝正處于開發(fā)階段。在日本，按照EIAJ（日本電子機(jī)械工業(yè)）會標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，將DICP命名為DTP。小形扁平封裝。塑料SOP或SSOP的別稱（見SOP和SSOP）。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱。濱湖區(qū)常見集成電路廠家供應(yīng)

26、L－QUAD陶瓷QFP之一。封裝基板用氮化鋁，基導(dǎo)熱率比氧化鋁高7～8倍，具有較好的散熱性。封裝的框架用氧化鋁，芯片用灌封法密封，從而抑制了成本。是為邏輯LSI開發(fā)的一種封裝，在自然空冷條件下可容許W3的功率?，F(xiàn)已開發(fā)出了208引腳（0.5mm中心距）和160引腳（0.65mm中心距）的LSI邏輯用封裝，并于1993年10月開始投入批量生產(chǎn)。27、MCM（multi-chip module）多芯片組件。將多塊半導(dǎo)體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝。根據(jù)基板材料可分為MCM－L，MCM－C 和MCM－D三大類。MCM－L是使用通常的玻璃環(huán)氧樹脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎么高，成本較低。 MCM－C是用厚膜技術(shù)形成多層布線，以陶瓷（氧化鋁或玻璃陶瓷）作為基板的組件，與使用多層陶瓷基板的厚膜混合IC類似。兩者無明顯差別。布線密度高于MCM－L。常州標(biāo)準(zhǔn)集成電路廠家現(xiàn)貨2025年將持續(xù)推進(jìn)集成電路領(lǐng)域標(biāo)準(zhǔn)研制。

9、DIL（dual in-line）DIP的別稱（見DIP）。歐洲半導(dǎo)體廠家多用此名稱。10、DIP（dual in-line package）雙列直插式封裝。插裝型封裝之一，引腳從封裝兩側(cè)引出，封裝材料有塑料和陶瓷兩種。DIP是**普及的插裝型封裝，應(yīng)用范圍包括標(biāo)準(zhǔn)邏輯IC，存貯器LSI，微機(jī)電路等。引腳中心距2.54mm，引腳數(shù)從6到64。封裝寬度通常為15.2mm。有的把寬度為7.52mm和10.16mm的封裝分別稱為skinny DIP 和slim DIP（窄體型DIP）。但多數(shù)情況下并不加區(qū)分，只簡單地統(tǒng)稱為DIP。另外，用低熔點(diǎn)玻璃密封的陶瓷DIP也稱為cerdip（見cerdip）。

13、DIP（dual tape carrier package）同上。日本電子機(jī)械工業(yè)會標(biāo)準(zhǔn)對DTCP 的命名（見DTCP）。14、FP（flat package）扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。QFP或SOP（見QFP和SOP）的別稱。部分半導(dǎo)體廠家采用此名稱。15、flip-chip倒焊芯片。裸芯片封裝技術(shù)之一，在LSI芯片的電極區(qū)制作好金屬凸點(diǎn)，然后把金屬凸點(diǎn)與印刷基板上的電極區(qū)進(jìn)行壓焊連接。封裝的占有面積基本上與芯片尺寸相同。是所有封裝技術(shù)中體積**小、**薄的一種。但如果基板的熱膨脹系數(shù)與LSI芯片不同，就會在接合處產(chǎn)生反應(yīng)，從而影響連接的可靠性。因此必須用樹脂來加固LSI芯片，并使用熱膨脹系數(shù)基本相同的基板材料。集成電路（integrated circuit）是一種微型電子器件或部件。

凸點(diǎn)陳列載體，BGA的別稱（見BGA）。34、PCLP（printed circuit board leadless package）印刷電路板無引線封裝。日本富士通公司對塑料QFN（塑料LCC）采用的名稱（見QFN）。引腳中心距有0.55mm和0.4mm兩種規(guī)格。35、PFPF（plastic flat package）塑料扁平封裝。塑料QFP的別稱（見QFP）。部分LSI廠家采用的名稱。36、PGA（pin grid array）集成電路陳列引腳封裝。插裝型封裝之一，其底面的垂直引腳呈陳列狀排列。封裝基材基本上都采用多層陶瓷基板。在未專門表示出材料名稱的情況下，多數(shù)為陶瓷PGA，用于高速大規(guī)模邏輯LSI電路。功率集成電路應(yīng)散熱良好，不允許不帶散熱器而處于大功率的狀態(tài)下工作。蘇州本地集成電路市價(jià)

陶瓷QFP之一。封裝基板用氮化鋁，基導(dǎo)熱率比氧化鋁高7～8倍，具有較好的散熱性。濱湖區(qū)常見集成電路廠家供應(yīng)

集成電路，英文為Integrated Circuit，縮寫為IC；顧名思義，就是把一定數(shù)量的常用電子元件，如電阻、電容、晶體管等，以及這些元件之間的連線，通過半導(dǎo)體工藝集成在一起的具有特定功能的電路。是20世紀(jì)50年代后期到60年代發(fā)展起來的一種新型半導(dǎo)體器件。它是經(jīng)過氧化、光刻、擴(kuò)散、外延、蒸鋁等半導(dǎo)體制造工藝，把構(gòu)成具有一定功能的電路所需的半導(dǎo)體、電阻、電容等元件及它們之間的連接導(dǎo)線全部集成在一小塊硅片上，然后焊接封裝在一個(gè)管殼內(nèi)的電子器件。其封裝外殼有圓殼式、扁平式或雙列直插式等多種形式。集成電路技術(shù)包括芯片制造技術(shù)與設(shè)計(jì)技術(shù)，主要體現(xiàn)加工設(shè)備，加工工藝，封裝測試，批量生產(chǎn)及設(shè)計(jì)創(chuàng)新的能力上。濱湖區(qū)常見集成電路廠家供應(yīng)

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