徐州名優(yōu)集成電路工廠直銷

集成電路或稱微電路（microcircuit）、微芯片（microchip）、芯片（chip）在電子學(xué)中是一種把電路（主要包括半導(dǎo)體裝置，也包括被動(dòng)元件等）小型化的方式，并通常制造在半導(dǎo)體晶圓表面上。前述將電路制造在半導(dǎo)體芯片表面上的集成電路又稱薄膜（thin-film）集成電路。另有一種厚膜（thick-film）混成集成電路（hybrid integrated circuit）是由**半導(dǎo)體設(shè)備和被動(dòng)元件，集成到襯底或線路板所構(gòu)成的小型化電路。本文是關(guān)于單片（monolithic）集成電路，即薄膜集成電路。引腳中心距0.635mm，引腳數(shù)從84到196左右（見QFP）。徐州名優(yōu)集成電路工廠直銷

9、DIL（dual in-line）DIP的別稱（見DIP）。歐洲半導(dǎo)體廠家多用此名稱。10、DIP（dual in-line package）雙列直插式封裝。插裝型封裝之一，引腳從封裝兩側(cè)引出，封裝材料有塑料和陶瓷兩種。DIP是**普及的插裝型封裝，應(yīng)用范圍包括標(biāo)準(zhǔn)邏輯IC，存貯器LSI，微機(jī)電路等。引腳中心距2.54mm，引腳數(shù)從6到64。封裝寬度通常為15.2mm。有的把寬度為7.52mm和10.16mm的封裝分別稱為skinny DIP 和slim DIP（窄體型DIP）。但多數(shù)情況下并不加區(qū)分，只簡(jiǎn)單地統(tǒng)稱為DIP。另外，用低熔點(diǎn)玻璃密封的陶瓷DIP也稱為cerdip（見cerdip）。江蘇名優(yōu)集成電路廠家現(xiàn)貨任何瞬間的短路都容易損壞集成電路，尤其在測(cè)試扁平型封裝的CMOS集成電路時(shí)更要加倍小心。

集成電路已經(jīng)在各行各業(yè)中發(fā)揮著非常重要的作用，是現(xiàn)代信息社會(huì)的基石。集成電路的含義，已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了其剛誕生時(shí)的定義范圍，但其****的部分，仍然沒有改變，那就是“集成”，其所衍生出來的各種學(xué)科，大都是圍繞著“集成什么”、“如何集成”、“如何處理集成帶來的利弊”這三個(gè)問題來開展的。硅集成電路是主流，就是把實(shí)現(xiàn)某種功能的電路所需的各種元件都放在一塊硅片上，所形成的整體被稱作集成電路。對(duì)于“集成”，想象一下住過的房子可能比較容易理解：很多人小時(shí)候都住過農(nóng)村的房子，那時(shí)房屋的主體也許就是三兩間平房，發(fā)揮著臥室的功能，門口的小院子擺上一副桌椅，就充當(dāng)客廳，旁邊還有個(gè)炊煙裊裊的小矮屋，那是廚房，而具有獨(dú)特功能的廁所，需要有一定的隔離，有可能在房屋的背后，要走上十幾米

38、PLCC（plastic leaded chip carrier）帶引線的塑料芯片載體。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝的四個(gè)側(cè)面引出，呈丁字形，是塑料制品。美國(guó)德克薩斯儀器公司首先在64k位DRAM和256kDRAM中采用，90年代已經(jīng)普及用于邏輯LSI、DLD（或程邏輯器件電路。引腳中心距1.27mm，引腳數(shù)從18到84。J形引腳不易變形，比QFP容易操作，但焊接后的外觀檢查較為困難。PLCC與LCC（也稱QFN）相似。以前，兩者的區(qū)別*在于前者用塑料，后者用陶瓷。但現(xiàn)在已經(jīng)出現(xiàn)用陶瓷制作的J形引腳封裝和用塑料制作的無引腳封裝（標(biāo)記為塑料LCC、PC LP、P－LCC等），已經(jīng)無法分辨。為此，日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)于1988年決定，把從四側(cè)引出J形引腳的封裝稱為QFJ，把在四側(cè)帶有電極凸點(diǎn)的封裝稱為QFN（見QFJ和QFN）。DIP是普及的插裝型封裝，應(yīng)用范圍包括標(biāo)準(zhǔn)邏輯IC，存貯器LSI，微機(jī)電路等。

集成電路（integrated circuit）是一種微型電子器件或部件。采用一定的工藝，把一個(gè)電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上，然后封裝在一個(gè)管殼內(nèi)，成為具有所需電路功能的微型結(jié)構(gòu)；其中所有元件在結(jié)構(gòu)上已組成一個(gè)整體，使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面邁進(jìn)了一大步。它在電路中用字母“IC”表示。集成電路發(fā)明者為杰克·基爾比（基于鍺（Ge）的集成電路）和羅伯特·諾伊斯（基于硅（Si）的集成電路）。當(dāng)今半導(dǎo)體工業(yè)大多數(shù)應(yīng)用的是基于硅的集成電路。 [6]集成電路按應(yīng)用領(lǐng)域可分為標(biāo)準(zhǔn)通用集成電路和集成電路。宜興本地集成電路現(xiàn)貨

集成電路按外形可分為圓形（金屬外殼晶體管封裝型，一般適合用于大功率）、扁平型和雙列直插型。徐州名優(yōu)集成電路工廠直銷

26、L－QUAD陶瓷QFP之一。封裝基板用氮化鋁，基導(dǎo)熱率比氧化鋁高7～8倍，具有較好的散熱性。封裝的框架用氧化鋁，芯片用灌封法密封，從而抑制了成本。是為邏輯LSI開發(fā)的一種封裝，在自然空冷條件下可容許W3的功率。現(xiàn)已開發(fā)出了208引腳（0.5mm中心距）和160引腳（0.65mm中心距）的LSI邏輯用封裝，并于1993年10月開始投入批量生產(chǎn)。27、MCM（multi-chip module）多芯片組件。將多塊半導(dǎo)體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝。根據(jù)基板材料可分為MCM－L，MCM－C 和MCM－D三大類。MCM－L是使用通常的玻璃環(huán)氧樹脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎么高，成本較低。 MCM－C是用厚膜技術(shù)形成多層布線，以陶瓷（氧化鋁或玻璃陶瓷）作為基板的組件，與使用多層陶瓷基板的厚膜混合IC類似。兩者無明顯差別。布線密度高于MCM－L。徐州名優(yōu)集成電路工廠直銷

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