濱湖區(qū)節(jié)能集成電路廠家供應(yīng)

另外，有的LSI廠家把引腳中心距為0.5mm的QFP專(zhuān)門(mén)稱(chēng)為收縮型QFP或SQFP、VQFP。但有的廠家把引腳中心距為0.65mm及0.4mm的QFP也稱(chēng)為SQFP，至使名稱(chēng)稍有一些混亂。QFP的缺點(diǎn)是，當(dāng)引腳中心距小于0.65mm時(shí)，引腳容易彎曲。為了防止引腳變形，現(xiàn)已出現(xiàn)了幾種改進(jìn)的QFP品種。如封裝的四個(gè)角帶有樹(shù)指緩沖墊的BQFP（見(jiàn)BQFP）；帶樹(shù)脂保護(hù)環(huán)覆蓋引腳前端的GQFP（見(jiàn)GQFP）；在封裝本體里設(shè)置測(cè)試凸點(diǎn)、放在防止引腳變形的**夾具里就可進(jìn)行測(cè)試的TPQFP（見(jiàn)TPQFP）。在邏輯LSI方面，不少開(kāi)發(fā)品和高可靠品都封裝在多層陶瓷QFP里。引腳中心距**小為0.4mm、引腳數(shù)**多為348的產(chǎn)品也已問(wèn)世。此外，也有用玻璃密封的陶瓷QFP（見(jiàn)Gerqa d）。雙列直插式封裝。插裝型封裝之一，引腳從封裝兩側(cè)引出，封裝材料有塑料和陶瓷兩種。濱湖區(qū)節(jié)能集成電路廠家供應(yīng)

45、QFP（FP）（QFP fine pitch）小中心距QFP。日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定的名稱(chēng)。指引腳中心距為0.55mm、0.4mm、0.3mm等小于0.65mm的QFP（見(jiàn)QFP）。46、QIC（quad in-line ceramic package）陶瓷QFP的別稱(chēng)。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱(chēng)（見(jiàn)QFP、Cerquad）。47、QIP（quad in-line plastic package）塑料QFP的別稱(chēng)。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱(chēng)（見(jiàn)QFP）。48、QTCP（quad tape carrier package）四側(cè)引腳帶載封裝。TCP封裝之一，在絕緣帶上形成引腳并從封裝四個(gè)側(cè)面引出。是利用TAB技術(shù)的薄型封裝（見(jiàn)TAB、TCP）。49、QTP（quad tape carrier package）四側(cè)引腳帶載封裝。日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)于1993年4月對(duì)QTCP所制定的外形規(guī)格所用的名稱(chēng)（見(jiàn)TCP）。50、QUIL（quad in-line）江陰常見(jiàn)集成電路工廠直銷(xiāo)觸點(diǎn)陳列封裝。即在底面制作有陣列狀態(tài)坦電極觸點(diǎn)的封裝。

這就是初期集成電路的構(gòu)想，晶體管的發(fā)明使這種想法成為了可能，1947年在美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室制造出來(lái)了***個(gè)晶體管，而在此之前要實(shí)現(xiàn)電流放大功能只能依靠體積大、耗電量大、結(jié)構(gòu)脆弱的電子管。晶體管具有電子管的主要功能，并且克服了電子管的上述缺點(diǎn)，因此在晶體管發(fā)明后，很快就出現(xiàn)了基于半導(dǎo)體的集成電路的構(gòu)想，也就很快發(fā)明出來(lái)了集成電路。杰克·基爾比（Jack Kilby）和羅伯特·諾伊斯（Robert Noyce）在1958~1959期間分別發(fā)明了鍺集成電路和硅集成電路。

外，由于引線的阻抗小，對(duì)于高速LSI是很適用的。但由于插座制作復(fù)雜，成本高，90年代基本上不怎么使用。預(yù)計(jì)今后對(duì)其需求會(huì)有所增加。24、LOC（lead on chip）芯片上引線封裝。LSI封裝技術(shù)之一，引線框架的前端處于芯片上方的一種結(jié)構(gòu)，芯片的中心附近制作有凸焊點(diǎn)，用引線縫合進(jìn)行電氣連接。與原來(lái)把引線框架布置在芯片側(cè)面附近的結(jié)構(gòu)相比，在相同大小的封裝中容納的芯片達(dá)1mm左右寬度。25、LQFP（low profile quad flat package）薄型QFP。指封裝本體厚度為1.4mm的QFP，是日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)根據(jù)制定的新QFP外形規(guī)格所用的名稱(chēng)。前述將電路制造在半導(dǎo)體芯片表面上的集成電路又稱(chēng)薄膜（thin-film）集成電路。

——這是集成電路的布局，模擬電路和數(shù)字電路分開(kāi)，處理小信號(hào)的敏感電路與翻轉(zhuǎn)頻繁的控制邏輯分開(kāi)，電源單獨(dú)放在一角。每層樓的房間布局不一樣，走廊也不一樣，有回字形的、工字形的、幾字形的——這是集成電路器件設(shè)計(jì)，低噪聲電路中可以用折疊形狀或“叉指”結(jié)構(gòu)的晶體管來(lái)減小結(jié)面積和柵電阻。各樓層直接有高速電梯可達(dá)，為了效率和功能隔離，還可能有多部電梯，每部電梯能到的樓層不同——這是集成電路的布線，電源線、地線單獨(dú)走線，負(fù)載大的線也寬；時(shí)鐘與信號(hào)分開(kāi)；每層之間布線垂直避免干擾；CPU與存儲(chǔ)之間的高速總線，相當(dāng)于電梯，各層之間的通孔相當(dāng)于電梯間……2025年將持續(xù)推進(jìn)集成電路領(lǐng)域標(biāo)準(zhǔn)研制。無(wú)錫常見(jiàn)集成電路服務(wù)熱線

小形扁平封裝。塑料SOP或SSOP的別稱(chēng)（見(jiàn)SOP和SSOP）。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱(chēng)。濱湖區(qū)節(jié)能集成電路廠家供應(yīng)

26、L－QUAD陶瓷QFP之一。封裝基板用氮化鋁，基導(dǎo)熱率比氧化鋁高7～8倍，具有較好的散熱性。封裝的框架用氧化鋁，芯片用灌封法密封，從而抑制了成本。是為邏輯LSI開(kāi)發(fā)的一種封裝，在自然空冷條件下可容許W3的功率。現(xiàn)已開(kāi)發(fā)出了208引腳（0.5mm中心距）和160引腳（0.65mm中心距）的LSI邏輯用封裝，并于1993年10月開(kāi)始投入批量生產(chǎn)。27、MCM（multi-chip module）多芯片組件。將多塊半導(dǎo)體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝。根據(jù)基板材料可分為MCM－L，MCM－C 和MCM－D三大類(lèi)。MCM－L是使用通常的玻璃環(huán)氧樹(shù)脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎么高，成本較低。 MCM－C是用厚膜技術(shù)形成多層布線，以陶瓷（氧化鋁或玻璃陶瓷）作為基板的組件，與使用多層陶瓷基板的厚膜混合IC類(lèi)似。兩者無(wú)明顯差別。布線密度高于MCM－L。濱湖區(qū)節(jié)能集成電路廠家供應(yīng)

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